公开(公告)号：CN107808602A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710806870.1

申请日：2017-09-08

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金炳容 ,  李锺赫 ,  黃晸護

IPC: G09F9/33 ,  G09G3/3208

CPC classification number: H01L27/1244 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13458 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/3276 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06135 ,  G09F9/33 ,  G09G3/3208

Abstract: 公开了显示装置。显示装置包括衬底和第一焊盘单元，衬底包括显示图像的显示区域和设置在显示区域周围的焊盘区域，以及第一焊盘单元定位在焊盘区域上并且包括第一端子区，第一端子区具有在第一方向上布置的多个第一焊盘端子，其中，多个第一焊盘端子中的每个包括：多个第一连接焊盘端子，布置在相对于第一方向以第一角度设置的第一列中；多个第二连接焊盘端子，与多个第一连接焊盘端子间隔开，并且布置在相对于第一方向以第二角度设置的第二列中；以及第一端子连接线，配置为连接多个第一连接焊盘端子中的一个和多个第二连接焊盘端子中的一个，并且具有至少一个弯曲形状。第一端子连接线设置在与第一连接焊盘端子和第二连接焊盘端子的层不同的层中。

公开(公告)号：CN106920769A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611118742.X

申请日：2016-12-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 太田祐一 ,  喜多贤太郎 ,  大浦雄大 ,  吉田宏平

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0218 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68318

Abstract: 本公开涉及半导体装置制造方法和半导体晶片。半导体装置制造方法提高了制造半导体装置的产率。提供了用于覆盖多个接合焊盘的绝缘膜、在绝缘膜上的第一保护膜和在第一保护膜上的第二保护膜。在半导体芯片中，多个电极层经由形成在绝缘膜中的第一开口和形成在第一保护膜中的第二开口电耦接到接合焊盘中的每个。多个突起电极经由形成在第二保护膜中的第三开口电耦接到电极层中的每个。在伪芯片中，第二开口形成在第一保护膜中，且第三开口形成在第二保护膜中。在与第三开口重合的第二开口的底部处暴露绝缘膜。保护带被施加到主平面以覆盖突起电极。

公开(公告)号：CN106549003A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610822919.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： M·J·塞登 ,  F·J·卡尔尼

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/288 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4822 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L29/0847 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M3/158 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5386

Abstract: 本发明涉及贯穿衬底通孔结构及其制造方法。本发明公开了一种贯穿衬底通孔结构，该结构包括具有相对的第一主表面和第二主表面的衬底。一个或多个导电通孔结构被设置成在所述衬底内从所述第一主表面延伸到第一垂直距离。凹陷区域在所述衬底内从所述第二主表面延伸到第二垂直距离，并邻接所述导电通孔的下表面。在一个实施方案中，所述第二垂直距离大于所述第一垂直距离。导电区域被设置在所述凹陷区域内，并被构造成与所述导电通孔电导通和/或热连通。

公开(公告)号：CN102456653B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110243071.0

申请日：2011-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  郭彦良 ,  张志鸿

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/535 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件中的凸点下金属化层(UBM)结构，该结构包括铜层、镍层、以及在该铜层和镍层之间的Cu-Ni-Sn金属间化合物(IMC)层。

公开(公告)号：CN102738107A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210183161.X

申请日：2007-05-22

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 曾川祯道 ,  山崎隆雄 ,  高桥信明

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49866 ,  H01L21/563 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/115 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在常规UBM例如Cu、Ni或NiP中，存在的这样问题：在长时间将电子部件保持在高温条件下时导致UBM的阻挡特性被破坏，并且由于在结合界面形成脆性的合金层，导致结合强度降低。焊料连接部分在高温下储存之后长期连接可靠性降低的问题得到了解决。电子部件上提供有：安置在基板或半导体元件上的电极片；和为覆盖所述电极片而安置的阻挡金属层。所述阻挡金属层在与所述电极片接触侧相反的一侧上包含CuNi合金层，所述CuNi合金层含有15至60原子％的Cu和40至85原子％的Ni。

公开(公告)号：CN102157458B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110042145.4

申请日：2007-05-22

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 曾川祯道 ,  山崎隆雄 ,  高桥信明

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49866 ,  H01L21/563 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/115 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在常规UBM例如Cu、Ni或NiP中，存在的这样问题：在长时间将电子部件保持在高温条件下时导致UBM的阻挡特性被破坏，并且由于在结合界面形成脆性的合金层，导致结合强度降低。焊料连接部分在高温下储存之后长期连接可靠性降低的问题得到了解决。电子部件上提供有：安置在基板或半导体元件上的电极片；和为覆盖所述电极片而安置的阻挡金属层。所述阻挡金属层在与所述电极片接触侧相反的一侧上包含CuNi合金层，所述CuNi合金层含有15至60原子％的Cu和40至85原子％的Ni。

公开(公告)号：CN102456653A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110243071.0

申请日：2011-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗甫 ,  郭彦良 ,  张志鸿

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/535 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件中的凸点下金属化层(UBM)结构，该结构包括铜层、镍层、以及在该铜层和镍层之间的Cu-Ni-Sn金属间化合物(IMC)层。

公开(公告)号：CN109148409A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810684173.8

申请日：2018-06-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柴田雅博 ,  德田大辅 ,  黑川敦 ,  德矢浩章 ,  梅本康成

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838

Abstract: 本发明提供一种不依赖于焊料的涂敷量的控制而使凸块高度对齐的半导体芯片。半导体芯片具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在半导体基板的主面上；第二电极，形成在半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在第一电极的一部分上；第一凸块，形成在第一电极的另一部分以及第一绝缘层上，并且与第一电极电连接；以及第二凸块，形成在第二电极上，并且在半导体基板的主面的俯视下具有比第一凸块的面积大的面积，通过第一绝缘层对半导体基板的主面的法线方向上的从半导体基板的主面到第一凸块的上表面的距离进行调整。

公开(公告)号：CN104425462B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410408611.X

申请日：2014-08-19

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 赖伟铭 ,  胡毓文

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/645 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1355 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1206

Abstract: 一种电感结构及其制作方法，该电感结构的制作方法包含下列步骤：提供具有多个焊垫的基板；于基板与焊垫上形成具有多个保护层开口的保护层，使焊垫分别由保护层开口露出；于焊垫与保护层上形成导电层；于导电层上形成图案化的第一光阻层，使导电层由多个第一光阻层开口露出；于第一光阻层开口中的导电层上分别形成多个铜块；于第一光阻层上形成图案化的第二光阻层，使铜块的至少一个由第二光阻层开口与对应的第一光阻层开口露出；于露出第二光阻层开口的铜块上依序形成扩散阻障层与抗氧化层。去除第一光阻层、第二光阻层及未被铜块覆盖的导电层。本发明不仅可节省扩散阻障层与抗氧化层的材料花费，且能降低电感结构的线路总电阻值。

公开(公告)号：CN106548924A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610823133.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： M·J·塞登 ,  F·J.·卡尼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/288 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4822 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L29/0847 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M3/158 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0209 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明涉及使用原位厚度测量将材料从衬底移除的方法，提供了一种用于将材料从衬底移除的方法，所述方法包括提供具有第一主表面和与其相对的第二主表面的所述衬底。掩模层沿着所述第一主表面和所述第二主表面之一设置并且具有多个开口。将所述衬底放置在蚀刻设备内并使用所述蚀刻设备将材料通过开口从所述衬底移除。使用厚度换能器在所述蚀刻设备内测量所述衬底的厚度。将所述测量的厚度与预定厚度进行比较，并且响应于所述测量的厚度与所述预定厚度相对应而终止所述材料移除步骤。在一个实施方案中，所述方法用于在半导体管芯中更准确地形成凹陷区域，所述凹陷区域可用于例如层叠式器件配置。