公开(公告)号：CN1650382A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02829426.2

申请日：2002-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·德利吉安尼 ,  D·R·格林伯格 ,  C·V·亚恩斯 ,  J·L·伦德 ,  K·L·森格尔 ,  R·P·沃朗

IPC: H01H57/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01H59/0009

Abstract: 一种具有可变形弹性体元件(1)的微机电开关(MEMS)，该微机电开关以少量的移位表现出导电性方面的大的变化。可变形弹性体元件(1)被通过横向施加的静电力移动，从而产生了小的横向位移。所述横向位移又将金属触点(7)推向两个导电通路(5，6)，从而允许电信号通过。在两个相对侧给弹性体(1)提供了嵌入的金属元件(9，10)，诸如注入的金属棒、金属薄片、金属微粒或者导电膏。驱动电极(18，8)与弹性体的导电侧并行放置。在弹性体的导电侧和相应的驱动电极(18，8)之间施加的电压产生静电吸引力，所述静电吸引力压缩弹性体(1)，从而产生闭合MEMS的横向位移。基于弹性体的MEMS通过延长可变形开关元件的疲劳寿命而延长了开关的寿命。

公开(公告)号：CN1477717A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03150025.0

申请日：2003-07-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·辛格 ,  K·L·森格尔 ,  V·V·帕特尔 ,  A·格里尔 ,  S·J·克斯特

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28587 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明公开了一种用于调制掺杂的场效应晶体管(MODFET)的增强的T形栅极的结构和方法。增强的T形栅极具有将T形栅极的颈部夹在之间的绝缘间隔层。间隔层薄于T形条部分悬伸部分。绝缘层提供了机械支撑并在随后的器件处理期间保护了脆弱的颈部不受化学侵蚀，使T形栅极结构具有高的伸缩性并提高了成品率。使用低介电常数的薄保形绝缘层可以确保低栅极寄生电容，并降低了在源－栅间距减小到较小尺寸时，栅极和源极冶金接触短路的危险性。

公开(公告)号：CN103582934A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280026784.4

申请日：2012-05-08

Applicant: 国际商业机器公司 ,  阿卜杜勒阿齐兹国王科技城

Inventor： M·M·卡亚特 ,  N·E·索萨科提斯 ,  K·L·森格尔 ,  S·W·比德尔 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/187

Abstract: 提供了用于以下（i）和（ii）的方法：（i）在材料剥落过程中引入额外的控制，由此改善裂缝引发和传播，以及（ii）增加可选择的剥落深度的范围。在一个实施例中，该方法包括在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温。接下来,使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度。在所述第二温度下剥落所述基体衬底，以形成剥落的材料层。之后，将所述剥落的材料层恢复到室温，即，所述第一温度。

公开(公告)号：CN1316531C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN02829426.2

申请日：2002-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·德利吉安尼 ,  D·R·格林伯格 ,  C·V·亚恩斯 ,  J·L·伦德 ,  K·L·森格尔 ,  R·P·沃朗

IPC: H01H57/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01H59/0009

Abstract: 一种具有可变形弹性体元件(1)的微机电开关(MEMS)，该微机电开关以少量的移位表现出导电性方面的大的变化。可变形弹性体元件(1)被通过横向施加的静电力移动，从而产生了小的横向位移。所述横向位移又将金属触点(7)推向两个导电通路(5，6)，从而允许电信号通过。在两个相对侧给弹性体(1)提供了嵌入的金属元件(9，10)，诸如注入的金属棒、金属薄片、金属微粒或者导电膏。驱动电极(18，8)与弹性体的导电侧并行放置。在弹性体的导电侧和相应的驱动电极(18，8)之间施加的电压产生静电吸引力，所述静电吸引力压缩弹性体(1)，从而产生闭合MEMS的横向位移。基于弹性体的MEMS通过延长可变形开关元件的疲劳寿命而延长了开关的寿命。

公开(公告)号：CN1130762C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98123985.4

申请日：1998-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·E·伊斯梅尔 ,  S·A·里斯顿 ,  K·L·森格尔

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575

Abstract: 介绍了一种场效应晶体管及其形成方法，其中场效应晶体管引入与原有的浅结区自对准的T形栅和源和漏接触。本发明提供一种低阻栅电极和自对准的低阻源/漏接触，适于亚微米FET器件，并可以缩小到更小器件尺寸。

公开(公告)号：CN1219761A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN98123985.4

申请日：1998-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·E·伊斯梅尔 ,  S·A·里斯顿 ,  K·L·森格尔

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575

Abstract: 介绍了一种场效应晶体管及其形成方法,其中场效应晶体管引入与原有的浅结区自对准的T形栅和源和漏接触。本发明提供一种低阻栅电极和自对准的低阻源/漏接触,适于亚微米FET器件,并可以缩小到更小器件尺寸。

公开(公告)号：CN104112690B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410156463.7

申请日：2014-04-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  郑政玮 ,  D·K·萨达那 ,  K·L·森格尔 ,  徐崑庭

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/7813 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及用于衬底分离的裂纹控制。一种分离用于转移的层的方法包括在衬底上形成裂纹引导层以及在所述裂纹引导层上形成器件层。通过将所述裂纹引导层暴露于减小与所述裂纹引导层相邻的界面处的粘附力的气体，弱化所述裂纹引导层。在所述器件层上形成应力诱导层以帮助通过所述裂纹引导层和/所述或界面引发裂纹。通过使所述裂纹扩展，从所述衬底去除所述器件层。

公开(公告)号：CN104112690A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410156463.7

申请日：2014-04-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  郑政玮 ,  D·K·萨达那 ,  K·L·森格尔 ,  徐崑庭

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/7813 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及用于衬底分离的裂纹控制。一种分离用于转移的层的方法包括在衬底上形成裂纹引导层以及在所述裂纹引导层上形成器件层。通过将所述裂纹引导层暴露于减小与所述裂纹引导层相邻的界面处的粘附力的气体，弱化所述裂纹引导层。在所述器件层上形成应力诱导层以帮助通过所述裂纹引导层和/所述或界面引发裂纹。通过使所述裂纹扩展，从所述衬底去除所述器件层。

公开(公告)号：CN103426969A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310193832.5

申请日：2013-05-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  K·E·福格尔 ,  A·J·宏 ,  李宁 ,  D·K·萨达那 ,  K·L·森格尔 ,  D·沙赫莉亚迪 ,  徐崑庭

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及通过剥脱产生和转印表面形态的方法。在本公开中无需采用蚀刻工艺便可实现表面图形的产生或表面图形的复制。相反地，本公开中使用被称为剥脱的独特断裂模式来产生或复制表面图形。在表面图形产生的情况下，在应力源层中提供表面图形，然后执行剥脱。在表面图形复制的情况下，在基础衬底的表面内或表面上形成表面图形，然后施加应力源层。在施加应力源层之后，执行剥脱。利用剥脱产生或复制表面图形提供了低成本的用于表面图形产生或复制的方式。

公开(公告)号：CN101443918B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200580046522.4

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·C·卡勒伽里 ,  M·A·格里伯佑 ,  D·L·拉赛 ,  F·R·麦克菲力 ,  K·L·森格尔 ,  S·扎法尔

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC classification number: H01L29/4966 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0635 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供了一种包括TiC的金属化合物及制造TiC金属化合物的方法，其中该金属化合物是功函数在约4.75与约5.3之间、优选约5eV的p型金属，其在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。另外，本发明的TiC金属化合物在1000℃时是非常有效的氧扩散阻挡，并且在p型金属氧化物半导体(pMOS)器件中允许非常活跃的等效氧化物厚度(EOT)和反型层厚度范围在以下。