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公开(公告)号：CN110468383A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810450085.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种工艺套件及反应腔室，在该工艺套件表面设置有花纹结构，该花纹结构包括多个凹部，每个凹部包括球形凹面。本发明提供的花纹结构，其不仅可以有效提高颗粒控制效果，而且不会对工艺套件表面造成损伤，从而提高了工艺套件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110468383B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810450085.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种工艺套件及反应腔室，在该工艺套件表面设置有花纹结构，该花纹结构包括多个凹部，每个凹部包括球形凹面。本发明提供的花纹结构，其不仅可以有效提高颗粒控制效果，而且不会对工艺套件表面造成损伤，从而提高了工艺套件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114754585A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210422134.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: F27B17/00 , F27D7/06 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种烧结设备，其包括内壳体、外壳体和加热装置，其中，外壳体间隔地环绕在内壳体的周围；加热装置设置于外壳体与内壳体之间，用于对内壳体及其内部进行加热；内壳体围成用于容置待烧结件的封闭空间，且内壳体的材质为能够避免颗粒产生的致密性材质，并能够将封闭空间中的气体与内壳体之外的气体隔离。本发明提供的烧结设备，可以解决现有技术中产生大量颗粒和外界气体对烧结工艺产生影响等的问题。
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公开(公告)号：CN108172396B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201611117907.1
申请日：2016-12-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01F41/22
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体，在所述腔室主体的外侧设置有与电源相连的偏置电磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件；偏置电磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
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公开(公告)号：CN110459479B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810426236.X
申请日：2018-05-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种阻挡层沉积方法、金凸块的底层金属薄膜及其制备方法，该沉积方法用于在底材上形成阻挡层组，包括包括在底材上形成阻挡层组的步骤，该步骤包括：沿远离底材的方向依次沉积至少三层叠置的阻挡层来形成所述阻挡层组；其中，沉积最上层的阻挡层和沉积最下层的阻挡层时所采用的工艺气压低于沉积其余阻挡层时所采用的工艺气压，以提高最上层的所述阻挡层和最下层的所述阻挡层的致密性。本发明提供的阻挡层沉积方法，其可以顺利通过PCT试验，而且无需采用较高的工艺温度，从而可以避免产生TiW靶材脱靶等的严重影响产品良率的事件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107513692B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710735705.1
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种制膜方法。该制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求。该制膜方法通过向靶材施加脉冲直流溅射方式，并调节所述脉冲直流功率的占空比和/或功率值，来控制薄膜的沉积速率，实现在高功率下，增加溅射能量但并不增加薄膜的沉积速率，平衡沉积速率和溅射能量的关系，达到增加薄膜的致密性，并适当降低薄膜的沉积速率，延长薄膜工艺时间，增加生产稳定性，获得应力更大的薄膜。
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公开(公告)号：CN105448768B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201410277390.7
申请日：2014-06-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供的半导体加工设备，其包括反应腔室和设置在其内部的加热装置，该加热装置包括加热灯组、位于该加热灯组上方的石英盖、至少一个隔热部件和控制单元，其中，加热灯组的数量为至少两组，且对应于被加工工件的不同区域间隔排布；至少一个隔热部件用于使各组加热灯组产生的热量相互隔离；控制单元用于在进行工艺时，根据预先获得的被加工工件不同区域的薄膜电阻值的分布以及被加工工件不同区域的温度与薄膜电阻值的对应关系，调节施加到各组加热灯组上的功率，从而调节被加工工件不同区域的薄膜电阻值分布，本发明提供的半导体加工设备，其可以在不影响薄膜厚度均匀性的前提下，提高薄膜电阻均匀性。
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公开(公告)号：CN108022751A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610929057.9
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件，该沉积方法包括以下步骤：S1，在待加工工件上沉积粘附层；S2，沉积磁性/隔离单元；磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法，可以增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而可拓宽由其制备所得的电感器件的应用频率范围。
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公开(公告)号：CN107868942A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610854815.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。
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公开(公告)号：CN114754585B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210422134.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: F27B17/00 , F27D7/06 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种烧结设备，其包括内壳体、外壳体和加热装置，其中，外壳体间隔地环绕在内壳体的周围；加热装置设置于外壳体与内壳体之间，用于对内壳体及其内部进行加热；内壳体围成用于容置待烧结件的封闭空间，且内壳体的材质为能够避免颗粒产生的致密性材质，并能够将封闭空间中的气体与内壳体之外的气体隔离。本发明提供的烧结设备，可以解决现有技术中产生大量颗粒和外界气体对烧结工艺产生影响等的问题。
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