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公开(公告)号：CN107868942B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610854815.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。
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公开(公告)号：CN106898567B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201510955079.8
申请日：2015-12-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 宗令蓓
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种透明介质窗、基片处理腔室和基片处理系统，涉及半导体技术领域，用于在对基片进行加热的过程中，保证透明介质窗的温度均匀性，进而提高基片的温度的均匀性。所述透明介质窗位于加热组件和基片之间，所述透明介质窗的不同区域的厚度不同，以使所述加热组件对所述透明介质窗加热时，所述透明介质窗的温度均匀。本发明中的透明介质窗在使用加热组件对基片进行加热过程中使用。
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公开(公告)号：CN107868942A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610854815.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。
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公开(公告)号：CN104752289B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201310750274.8
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 宗令蓓
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种传输系统及半导体加工设备，传输系统包括机械手，机械手的上表面用于承载被加工工件，且在机械手的上表面上分布有至少一个凹道，每个凹道的至少一端沿机械手的径向延伸至机械手的边界处，每个凹道与被加工工件的下表面形成气流通道，用以使位于机械手与被加工工件之间的气流经由该气流通道排出。本发明提供的传输系统，不仅可以有效地防止被加工工件相对机械手滑动，进而可以提高传输系统的稳定性；而且可以提高传输系统的传输质量，还可以提高传输系统的适用性。
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