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公开(公告)号：CN108172396A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201611117907.1
申请日：2016-12-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01F41/22
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体，在所述腔室主体的外侧设置有与电源相连的偏置电磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件；偏置电磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
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公开(公告)号：CN108022714B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201610934742.0
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种软磁薄膜及其制备方法。本发明的软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，每组层结构包括软磁材料层及位于软磁材料层上方的介质层，每组层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，第一粘结层和第二粘结层用于增强层结构的粘附性；其中，第一粘结层位于软磁材料层和介质层之间，和/或，第二粘结层位于介质层之上。本发明的软磁薄膜的制备方法，包括循环制备层结构的步骤，以形成堆叠设置的多组层结构，制备层结构的步骤包括：S1：溅射软磁材料层；S2：溅射介质层；在S1和S2之间还包括S3：在软磁材料层上溅射第一粘结层；和/或，在S2之后还包括S4：在介质层上溅射第二粘结层。
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公开(公告)号：CN108010718B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201610929208.0
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
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公开(公告)号：CN105331940B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410356230.1
申请日：2014-07-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于在衬底上沉积金属膜的方法及LED器件。用于在衬底上沉积金属膜的方法，包括如下步骤：S1：向工艺腔室内通入惰性气体；S2：向金属靶材施加射频功率进行起辉以在工艺腔室内产生等离子体；S3：同时向金属靶材施加射频功率和直流功率以用于轰击金属靶材产生金属原子，金属原子在衬底上沉积形成反射率达98％以上的金属膜。根据本发明的方法，可以提高金属膜的反射率和粘附性，减小对衬底表面氮化镓膜的损伤程度，可以提高衬底的稳定性和使用寿命，降低衬底的电压值。
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公开(公告)号：CN108022751B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201610929057.9
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件，该沉积方法包括以下步骤：S1，在待加工工件上沉积粘附层；S2，沉积磁性/隔离单元；磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法，可以增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而可拓宽由其制备所得的电感器件的应用频率范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108022714A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610934742.0
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种软磁薄膜及其制备方法。本发明的软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，每组层结构包括软磁材料层及位于软磁材料层上方的介质层，每组层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，第一粘结层和第二粘结层用于增强层结构的粘附性；其中，第一粘结层位于软磁材料层和介质层之间，和/或，第二粘结层位于介质层之上。本发明的软磁薄膜的制备方法，包括循环制备层结构的步骤，以形成堆叠设置的多组层结构，制备层结构的步骤包括：S1：溅射软磁材料层；S2：溅射介质层；在S1和S2之间还包括S3：在软磁材料层上溅射第一粘结层；和/或，在S2之后还包括S4：在介质层上溅射第二粘结层。
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公开(公告)号：CN105331936B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201410272974.5
申请日：2014-06-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
CPC classification number: C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种ITO薄膜的沉积方法，采用磁控溅射工艺进行ITO薄膜的沉积，包括以下步骤：利用射频和直流共溅射在基片表面沉积ITO缓冲层；利用DC溅射在所述ITO缓冲层表面沉积ITO薄膜层。其通过射频和直流共溅射，有效降低了溅射粒子对基片表面轰击造成的损伤。此外，本发明还提供了一种GaN基LED芯片，该芯片的ITO透明电极采用本发明的ITO薄膜的沉积方法制备而成。在进行ITO透明电极的沉积时，由于采用本发明的ITO薄膜的沉积方法，有效降低了溅射粒子对GaN基片表面轰击造成的损伤，从而降低了ITO透明电极与GaN基片之间的接触电阻，进而降低了LED芯片的能耗，增加了LED芯片的光电转化效率，提高了LED芯片的寿命。
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公开(公告)号：CN105304510B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201410350029.2
申请日：2014-07-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种铝薄膜制备方法，包括如下步骤：向工艺腔室中通入第一流量的第一工艺气体和第二流量的第二工艺气体，并在第一沉积功率下沉积第一层铝薄膜；继续向工艺腔室中通入第三流量的第一工艺气体和第四流量的第二工艺气体，并在第二沉积功率下沉积第二层铝薄膜；其中，第一沉积功率小于第二沉积功率。其通过两步法，采用双层膜的沉积模式，第一步制备较为疏松的第一层铝薄膜，与晶片之间形成良好的欧姆接触，第二步制备更为致密，电阻率更低的第二层铝薄膜，有效地解决了现有的铝薄膜制备工艺制备的铝薄膜合金相不稳定，且工艺窗口要求苛刻，不利于生产的问题。
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公开(公告)号：CN109207942B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201710536931.7
申请日：2017-07-04
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备。该金属膜层沉积方法用于通过磁控溅射沉积方法在基片表面的外延层上沉积金属膜层，包括：在预设时间内，向靶材加载射频功率，在外延层上沉积金属缓冲层；向靶材加载直流功率，直至在外延层上沉积预定厚度的金属膜层。该金属膜层沉积方法，通过在沉积开始的预设时间内向靶材加载射频功率，能够在相同输入功率下使靶材上的负偏压显著降低，靶材电压的降低能减小金属膜层沉积过程中溅射粒子对基片表面外延层的损伤；从而使外延层与金属膜层之间形成良好的欧姆接触，提升LED芯片的良率；通过后续阶段向靶材加载直流功率，能提高金属膜层的沉积速率，提高LED芯片的产能。
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公开(公告)号：CN108172396B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201611117907.1
申请日：2016-12-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01F41/22
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体，在所述腔室主体的外侧设置有与电源相连的偏置电磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件；偏置电磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
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