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公开(公告)号：CN110211902B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910531842.2
申请日：2019-06-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种承载装置及工艺腔室，该承载装置包括顶升机构、加热组件和用于承载晶片的基座，其中，基座包括用于承载晶片的承载面；顶升机构用于带动晶片上升至高于承载面的加热位置，或带动晶片下降至承载面上；加热组件贯穿基座，设置在承载面上，用于在顶升机构带动晶片上升至加热位置时，向晶片输出光能以加热晶片。本发明提供的承载装置及工艺腔室能够缩短工艺时间，提高工艺效率，提高工艺产能，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109841468B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201711215656.5
申请日：2017-11-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁控管组件，包括：旋转机构，用于在驱动机构的驱动下沿其中心轴旋转；第一磁控管，通过第一旋转臂与所述旋转机构固定连接，用以在所述旋转机构旋转时带动所述第一磁控管绕所述中心轴旋转；第二磁控管，与第二旋转臂固定连接，所述第二旋转臂通过旋转轴与所述旋转机构相连，用以在所述旋转机构旋转时带动所述第二磁控管绕所述中心轴旋转；所述旋转轴能够自转，用以带动所述第二磁控管绕所述旋转轴的轴线旋转。本发明还提供一种磁控溅射腔室及半导体加工设备。本发明可以提高靶材的溅射均匀性。
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公开(公告)号：CN105575873B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201410555654.0
申请日：2014-10-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供的压环机构及半导体加工设备，包括用于将被加工工件固定在基座上的压环，在压环内沿其周向环绕设置有环形通道；通过向该环形通道输送冷却介质，而实现对压环进行冷却。本发明提供的压环机构，其可以避免因温度过高而导致被加工工件损坏，从而可以提高良品率。
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公开(公告)号：CN107868942B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610854815.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。
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公开(公告)号：CN110484884A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910843856.8
申请日：2019-09-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种磁控溅射控制系统及其控制方法。该控制方法包括：接收下位机发送的工艺配方，所述工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数；接收所述下位机发送的工艺开始指令，开始计时；在达到预设时间后，根据所述电源功率参数控制直流电源和/或射频电源输出设定功率。本申请实施例的磁控溅射控制方法采用电源控制器直接对直流电源及射频电源进行控制，由于电源控制器内执行的任务较少，并且程序执行周期较短，因此采用电源控制器对直流电源及射频电源进行控制，可以有效降低通讯延迟的影响，从而强化了控制系统的实时性，进而增强了晶圆性能的一致性，提高了晶圆的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349830A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910845812.9
申请日：2019-09-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 一种等离子体系统，包括:介电窗、适配件、下部电极平台以及过滤装置。介电窗环绕包围的区域定义第一腔室，并用于容置等离子体。适配件紧邻设置于介电窗下方，且环绕包围的区域定义第二腔室。下部电极平台置于第二腔室之中，用于承载工作件。过滤装置具有过滤部、第一延伸部及第二延伸部,且过滤部置于第一腔室与第二腔室的交界，并具有复数个通孔来过滤第一腔室内的等离子体；第一延伸部自过滤部于第一方向延伸，并放置于第一适配件之上；第二延伸部自邻近第一延伸部处朝第二方向延伸，并紧邻第一适配件设置并环绕第二腔室以支撑过滤部，其中,第二方向垂直第一方向。
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公开(公告)号：CN107492509B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201610414337.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆去气腔室及物理气相沉积设备，包括腔室本体，腔室本体内设置有至少一个用于承载晶圆的晶圆载具和用于对晶圆加热的加热单元，晶圆去气腔室还包括隔离部，该隔离部用于将加热单元与晶圆分隔开，隔离部为透光材料，加热单元发出的热量能够透过隔离部对晶圆进行加热，晶圆去气腔室还包括对隔离部的温度进行控制的温度控制装置。本发明中的晶圆去气腔室的温度控制装置可以对隔离部的温度进行控制，从而避免了隔离部自身变成一个热源，使得晶圆去气腔室的工艺条件稳定，经过晶圆去气腔室加工后的晶圆之间具有良好的温度均匀性，且温度趋同，从而有利于后续的预清洗工艺的进行，提高整个物理气相沉积工艺加工的质量。
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公开(公告)号：CN109887879A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201711273520.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种在孔内覆盖薄膜的方法及半导体加工设备。该在孔内覆盖薄膜的方法包括以下步骤：步骤一，通过溅射工艺在孔的底部及至少部分侧壁上沉积形成薄膜；步骤二，通过刻蚀工艺使带正电荷的工艺气体离子轰击所述孔的底部的所述薄膜以提高所述孔的靠近底部的侧壁的台阶覆盖率。该在孔内覆盖薄膜的方法既能提高工艺性能，又能兼顾设备的产能。
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公开(公告)号：CN105779960B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201410805258.9
申请日：2014-12-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供的沉积组件及半导体加工设备，用于将晶片传递并固定在基座上，该基座通过作升降运动上升至工艺位置，或者下降至装卸位置；沉积组件包括沉积环、卡环和至少三个顶针，其中，至少三个顶针沿基座的周向分布，且在基座位于装卸位置时，至少三个顶针通过作升降运动贯穿沉积环，而使至少三个顶针的顶端所在平面高于或低于基座上表面；并且，在每个顶针的用于支撑晶片的承载面上设置有定位凸部，定位凸部用于在顶针支撑所述晶片时，阻挡该晶片沿其径向移动。本发明提供的沉积组件，其不仅可以限定晶片在顶针上的径向位置，而且还可以降低基座的加工难度，并避免因在基座上加工通孔而对基座冷却晶片的均匀性产生的不良影响。
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公开(公告)号：CN109887879B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201711273520.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种在孔内覆盖薄膜的方法及半导体加工设备。该在孔内覆盖薄膜的方法包括以下步骤：步骤一，通过溅射工艺在孔的底部及至少部分侧壁上沉积形成薄膜；步骤二，通过刻蚀工艺使带正电荷的工艺气体离子轰击所述孔的底部的所述薄膜以提高所述孔的靠近底部的侧壁的台阶覆盖率。该在孔内覆盖薄膜的方法既能提高工艺性能，又能兼顾设备的产能。
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