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公开(公告)号：CN111081589A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811222096.0
申请日：2018-10-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 徐悦
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供的反应腔室及半导体加工设备，其中，反应腔室包括离子释放单元，离子释放单元用于向反应腔室内输送离子，该离子能够与晶片上残余电荷的电性中和，从而将聚集在晶片上的残余电荷释放，避免在顶针将晶片顶起时，晶片的残余电荷产生局部放电进而导致晶片发生偏移以及响声，以提高工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN107868942A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610854815.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。
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公开(公告)号：CN107868942B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610854815.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。
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公开(公告)号：CN107492509B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201610414337.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆去气腔室及物理气相沉积设备，包括腔室本体，腔室本体内设置有至少一个用于承载晶圆的晶圆载具和用于对晶圆加热的加热单元，晶圆去气腔室还包括隔离部，该隔离部用于将加热单元与晶圆分隔开，隔离部为透光材料，加热单元发出的热量能够透过隔离部对晶圆进行加热，晶圆去气腔室还包括对隔离部的温度进行控制的温度控制装置。本发明中的晶圆去气腔室的温度控制装置可以对隔离部的温度进行控制，从而避免了隔离部自身变成一个热源，使得晶圆去气腔室的工艺条件稳定，经过晶圆去气腔室加工后的晶圆之间具有良好的温度均匀性，且温度趋同，从而有利于后续的预清洗工艺的进行，提高整个物理气相沉积工艺加工的质量。
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公开(公告)号：CN107492509A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201610414337.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆去气腔室及物理气相沉积设备，包括腔室本体，腔室本体内设置有至少一个用于承载晶圆的晶圆载具和用于对晶圆加热的加热单元，晶圆去气腔室还包括隔离部，该隔离部用于将加热单元与晶圆分隔开，隔离部为透光材料，加热单元发出的热量能够透过隔离部对晶圆进行加热，晶圆去气腔室还包括对隔离部的温度进行控制的温度控制装置。本发明中的晶圆去气腔室的温度控制装置可以对隔离部的温度进行控制，从而避免了隔离部自身变成一个热源，使得晶圆去气腔室的工艺条件稳定，经过晶圆去气腔室加工后的晶圆之间具有良好的温度均匀性，且温度趋同，从而有利于后续的预清洗工艺的进行，提高整个物理气相沉积工艺加工的质量。
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