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公开(公告)号：CN110468383A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810450085.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种工艺套件及反应腔室，在该工艺套件表面设置有花纹结构，该花纹结构包括多个凹部，每个凹部包括球形凹面。本发明提供的花纹结构，其不仅可以有效提高颗粒控制效果，而且不会对工艺套件表面造成损伤，从而提高了工艺套件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110468383B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810450085.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种工艺套件及反应腔室，在该工艺套件表面设置有花纹结构，该花纹结构包括多个凹部，每个凹部包括球形凹面。本发明提供的花纹结构，其不仅可以有效提高颗粒控制效果，而且不会对工艺套件表面造成损伤，从而提高了工艺套件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113604786B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110762248.1
申请日：2021-07-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体设备的加热器和一种半导体设备，上述加热器包括：加热盘，用于设置在所述半导体设备的腔体中，所述加热盘具有第一空腔以及相对的载物平面和底面，所述底面具有开口，所述第一空腔通过所述开口与大气环境连通；第一冷却元件，固定于所述第一空腔内，所述第一冷却元件用于向所述第一空腔内通入冷却气体。上述加热器在半导体设备的工艺过程中，加热盘温度稳定。
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公开(公告)号：CN112249709B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011061731.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: B65G49/07 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种机械手及其获取和传输晶圆的方法，其中机械手包括机械手臂以及与机械手臂连接的承载部，承载部用于承载晶圆，机械手还包括：测距装置，设置于机械手臂朝向承载部的端面上，测距装置用于实时检测测距装置与承载于承载部上的晶圆之间的距离；处理器，处理器实时接收测距装置检测的距离，并根据距离判断晶圆是否偏移承载部上的预设承载位。测距装置能够实时检测测距装置与晶圆之间的距离，实时判断晶圆是否偏移承载部上的预设承载位，防止晶圆在获取和传输的过程中导致工艺偏差甚至碎片。
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公开(公告)号：CN114695240A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210204978.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , B08B5/02
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备及静电卡盘的清扫方法，属于半导体设备技术领域。该半导体工艺设备包括：工艺腔室；静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述工艺腔室内，所述静电卡盘具有承载面；吹扫件，所述吹扫件可活动地设置于所述工艺腔室内，所述吹扫件可在第一位置和第二位置之间活动，在所述吹扫件处于所述第一位置的情况下，所述吹扫件避让所述承载面；在所述吹扫件处于所述第二位置的情况下，所述吹扫件朝向所述承载面。该方案能够解决清扫静电卡盘存在的颗粒时耗时较长及静电卡盘的使用寿命较短的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108728791B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710277996.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备。该进气机构环绕设置在腔室内的基台周围，基台周围沿基台径向由内向外依次环绕设置有压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构，基台、压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构在腔室内围成工艺区域，进气机构包括调节结构，调节结构位于上屏蔽结构和下屏蔽结构之间，且能沿基台的轴向上下移动，以分别在工艺区域内形成不同路径的进气通道，分别满足不同的工艺要求。该进气机构通过不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域的反应气体的流量不同，从而能够使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求。
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公开(公告)号：CN110289226A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810226568.3
申请日：2018-03-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。所述工艺腔室包括腔室本体和LED灯源，LED灯源用于朝向腔室本体内的待处理工件发出光线，所述LED灯源包括灯罩和在所述灯罩内设置的至少一个LED芯片，每个所述LED芯片均能够发出预定波长的光线。本发明的工艺腔室，采用至少一个LED芯片作为发光单元，可以使得LED芯片在灯罩内灵活排布，其次，LED芯片的发光效率较高、发热量小、寿命较高，因此维护成本较低。此外，当待处理工件为待处理介质层时，合理选用所需要的预定波长，可以提高对Low-k材料中C-SI，C-H，H-O等键的裂解作用，从而形成SI-O-SI键，可以有效降低介电常数K值，并且可以有效增加Low-k的机械强度。
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公开(公告)号：CN108091588A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611045887.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备，在向工艺腔室内传片之前，向工艺腔室内通入第一气体，并使工艺腔室的压力维持在预设的阈值，在向工艺腔室内传片之后，向工艺腔室内通入第二气体，并使工艺腔室内的压力仍然维持在所述阈值，同时对晶片进行退火工艺，保持晶片传入前后，腔室内的压力恒定，可以避免在退火工艺过程中的气体乱流，不但可以降低工艺腔体内温度波动，提高腔室和晶片温度的均匀性，还可以缩短腔室内温度回复稳定的时间，从而提高设备产能。
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公开(公告)号：CN114220758B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202111432272.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种晶圆承载装置及工艺腔室，其中，晶圆承载装置包括基座、静电卡盘、驱动部件和多个顶升部件，静电卡盘设置在基座上，用于吸附并承载晶圆，且静电卡盘能够与基座可选择的吸附；驱动部件与多个顶升部件连接，用于驱动多个顶升部件升降，顶升部件用于在驱动部件的驱动下穿过基座，并与静电卡盘朝向基座的一面相抵，带动静电卡盘升降，使静电卡盘与基座分离或者贴合。本发明提供的晶圆承载装置及工艺腔室能够提高设备利用率及产能，并节省工艺组件，降低成本。
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公开(公告)号：CN110344013B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN201910763676.9
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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