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公开(公告)号：CN112151436B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011033793.9
申请日：2020-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种压环组件及半导体工艺腔室，其中，压环与卡盘配合使用，压环通过升降装置将托盘固定在卡盘上，压环组件包括静电组件和绝缘的压环本体，压环本体用于与托盘接触，且压环本体上设置有通孔，通孔用于暴露托盘上所承载的晶片；静电组件与压环本体连接，用于使压环本体产生静电吸附力，以通过压环本体对托盘进行吸附，以及静电组件还用于将压环本体的静电吸附力消除，以释放托盘。本发明提供的压环组件及半导体工艺腔室，能够降低托盘损坏的概率，并能够降低放电现象出现的概率，以降低下电极结构损坏的概率，且能够降低下电极结构的设计难度，以提高反应腔室的密封性。
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公开(公告)号：CN110218984B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910645772.3
申请日：2019-07-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：预处理步骤，向反应腔室内通入工艺气体和能够去除晶片表面上的杂质的预处理气体；第一沉积步骤，停止通入预处理气体，并继续向反应腔室内通入工艺气体，且开启激励电源，向靶材施加激励功率，以在晶片上形成缓冲层；第二沉积步骤，提高激励功率，并开启偏压电源，向基座施加偏压功率，以在晶片上形成薄膜；后处理步骤，关闭激励电源和偏压电源，并停止向反应腔室内通入工艺气体，同时向反应腔室内通入能够提高薄膜的性能的后处理气体。本发明提供的薄膜沉积方法，其不仅可以降低薄膜的电阻率，实现薄膜应力的调节，而且还可以增大工艺窗口，扩大应用范围。
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公开(公告)号：CN112151436A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011033793.9
申请日：2020-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种压环组件及半导体工艺腔室，其中，压环与卡盘配合使用，压环通过升降装置将托盘固定在卡盘上，压环组件包括静电组件和绝缘的压环本体，压环本体用于与托盘接触，且压环本体上设置有通孔，通孔用于暴露托盘上所承载的晶片；静电组件与压环本体连接，用于使压环本体产生静电吸附力，以通过压环本体对托盘进行吸附，以及静电组件还用于将压环本体的静电吸附力消除，以释放托盘。本发明提供的压环组件及半导体工艺腔室，能够降低托盘损坏的概率，并能够降低放电现象出现的概率，以降低下电极结构损坏的概率，且能够降低下电极结构的设计难度，以提高反应腔室的密封性。
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公开(公告)号：CN111698821A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910189726.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 张超
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置。该基座包括金属盘，该金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一子盘均与射频源和偏压电源连接，基座还设置有偏压电源的调整电路，所有子盘均与调整电路连接，调整电路用于：以所有子盘中绝对值最小的偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他子盘的偏压电源的直流偏压值调节至与基准电压值相比在一设定范围内。其通过对基座上的电场分布进行调整，即通过自动检测并比较偏压电源的直流偏压值来调整各子盘所施加偏压电源的直流偏压值的大小，对基座上的偏压电源分区进行自动调整，从而实现整个基座区域刻蚀的均匀性调整，改善对晶圆刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN107464764B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610396883.1
申请日：2016-06-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 张超
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/32 , C23C14/02 , C23C14/50
Abstract: 本发明公开了一种承载装置及预清洗腔室，该承载装置包括用于承载待处理工件的顶板，所述顶板包括中心件以及环绕在所述中心件周围的环形件，且所述中心件与所述环形件相互绝缘；通过分别向所述中心件和环形件加载不同的负偏压，使所述待处理工件在其径向上不同位置的刻蚀速率趋于一致。本发明中的承载装置的中心件和环形件加载了不同的负偏压，使得承载装置所承载的待处理工件上的等离子体密度分布均匀，这样待处理工件在其径向上不同位置的刻蚀速率趋于一致，从而提高了待处理工件上的刻蚀均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104753486B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201310752343.9
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种射频滤波器及半导体加工设备，射频滤波器用于对与静电卡盘相连接的射频功率源向与静电卡盘相连接的直流电源回流的射频信号进行滤波，包括电感元件和电容元件，电感元件为磁芯电感。本发明提供的射频滤波器，其可以在对低频的射频信号滤波同时可以对高频的射频信号滤波，从而可以同时对两路或者多路频率相差很大的射频信号滤波，进而可以提高射频滤波器的适用性。
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公开(公告)号：CN108054074A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810026173.9
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的实施例提供一种基座以及包括该基座的半导体处理设备。该基座用于承载被加工工件，包括依次层叠设置的加热器、隔离层和射频电极，所述隔离层为绝缘材料，以将所述加热器和所述射频电极二者电位隔离。本发明的实施例的基座中加热器与射频电极电位隔离，减少了滤波器的使用。
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公开(公告)号：CN107513692A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710735705.1
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种制膜方法。该制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求。该制膜方法通过向靶材施加脉冲直流溅射方式，并调节所述脉冲直流功率的占空比和/或功率值，来控制薄膜的沉积速率，实现在高功率下，增加溅射能量但并不增加薄膜的沉积速率，平衡沉积速率和溅射能量的关系，达到增加薄膜的致密性，并适当降低薄膜的沉积速率，延长薄膜工艺时间，增加生产稳定性，获得应力更大的薄膜。
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公开(公告)号：CN104754851B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201310751652.4
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明涉及一种多频匹配器及等离子体装置，多频匹配器包括相互并联的低频电路与高频电路，在所述低频电路上串联第一电感；在所述高频电路上串联第一电容；所述第一电感一端电连接到等离子反应腔，另一端电连接到低频电源；所述第一电容一端电连接到等离子反应腔，另一端电连接到高频电源。等离子体装置包括等离子反应腔、高频电源、低频电源与所述的多频匹配器；所述等离子反应腔的上电极和下电极分别电连接到所述多频匹配器的低频电路和高频电路；所述低频电路或所述高频电路分别电连接到所述低频电源和所述高频电源。通过以上设计，达到尺寸小、匹配范围较大，并且两个输入端口之间有较高的隔离度的目的。
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公开(公告)号：CN114959559B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210586343.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/02 , C23C14/14 , C23C14/35 , H01L21/768
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其上电极机构。该上电极机构包括：电源装置、馈入组件及调节组件；馈入组件包括有引入杆、引入板及连接杆，引入杆的两端分别与电源装置及引入板连接，并且引入杆与引入板同轴设置；多个连接杆围绕引入杆的轴线均匀分布，并且每个连接杆的一端通过调节组件与引入板选择性连接，另一端与靶材连接；调节组件包括有多个调节块，多个调节块与多个连接杆一一对应设置，用于选择性将连接杆与引入板连接，以使引入板能通过连接杆向靶材提供功率。本申请实施例实现了对靶材接收功率的均匀性进行调节，从而使得靶材接收到的功率较为均匀，进而提高膜厚的均匀性问题。
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