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公开(公告)号：CN115233174A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210935597.3
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种工艺腔室，属于半导体加工技术领域。所公开的工艺腔室用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括腔室本体、承载装置、靶材、准直器和驱动装置，所述承载装置设置于所述腔室本体内且用于承载待加工的晶圆，所述靶材设置于所述腔室本体的顶部，所述准直器设置于所述承载装置与所述靶材之间且与所述靶材相对设置，所述驱动装置与所述准直器相连，所述驱动装置可驱动所述准直器沿靠近或远离所述靶材的方向运动。上述方案能够解决晶圆的表面均匀性较差的问题。
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公开(公告)号：CN110660698B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810686292.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种压环组件、工艺腔室和半导体处理设备。包括隔热件、压环以及夹设在所述压环和所述隔热件之间的绝缘支撑件，所述隔热件位于所述压环上方，所述绝缘支撑件的两端分别与所述隔热件和所述压环抵接，并且，所述绝缘支撑件的两端的横截面尺寸大于其中部区域的横截面尺寸。本发明的压环组件，可以有效减少溅射粒子对绝缘支撑件上半部分的沉积，可有效保证绝缘支撑件保持绝缘状态，从而使得压环与隔热件之间保持绝缘状态，提高晶片的工艺良率，并可以有效降低射频功率损耗，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN110620074A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810628962.X
申请日：2018-06-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供的基座组件及反应腔室，包括基座，基座中设置有气体通道，在承载面上形成有凹道，凹道与气体通道的出气端连通，用于在晶圆置于承载面上时，向晶圆的下表面与承载面之间的凹道通入热交换气体，本发明提供的基座组件还包括流量控制器，通过流量控制器来控制自气体通道的出气端流出的热交换气体的流量，使得当晶圆置于承载面上并对晶圆进行背吹时，不会因为热交换气体的流量过大而将晶圆吹走，同时，由于无需使用按压部件对晶圆进行按压固定，因此晶圆的上表面能够全面进行工艺，而不会影响晶圆的后续工艺。
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公开(公告)号：CN109920925A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910062018.7
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法，该方法包括：通过铝腔室进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；通过具有氧化性气体对所述阳极携带铝薄膜的OLED基板进行富氧处理，生成铝化合物层；通过ITO腔室基于富氧处理后的所述铝化合物层进行ITO薄膜沉积。通过上述方案，有效解决铝薄膜因与ITO薄膜中氧发生反应，从而影响阳极反射率问题，能够有效提高阳极反射率；使得经过富氧处理后的铝薄膜界面具有更好的稳定性和隔离作用。
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公开(公告)号：CN109887879B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201711273520.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种在孔内覆盖薄膜的方法及半导体加工设备。该在孔内覆盖薄膜的方法包括以下步骤：步骤一，通过溅射工艺在孔的底部及至少部分侧壁上沉积形成薄膜；步骤二，通过刻蚀工艺使带正电荷的工艺气体离子轰击所述孔的底部的所述薄膜以提高所述孔的靠近底部的侧壁的台阶覆盖率。该在孔内覆盖薄膜的方法既能提高工艺性能，又能兼顾设备的产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109920925B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910062018.7
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法，该方法包括：通过铝腔室进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；通过具有氧化性气体对所述阳极携带铝薄膜的OLED基板进行富氧处理，生成铝化合物层；通过ITO腔室基于富氧处理后的所述铝化合物层进行ITO薄膜沉积。通过上述方案，有效解决铝薄膜因与ITO薄膜中氧发生反应，从而影响阳极反射率问题，能够有效提高阳极反射率；使得经过富氧处理后的铝薄膜界面具有更好的稳定性和隔离作用。
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公开(公告)号：CN109207943B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710551520.5
申请日：2017-07-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35 , H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种磁控管和半导体处理设备。该磁控管包括内磁极和外磁极，外磁极围设在内磁极外围，且外磁极和内磁极相互间隔形成等离子体路径，等离子体路径呈马蹄形，磁控管能使制备形成的膜层厚度均匀性和电阻率均匀性均小于3％。该磁控管通过采用马蹄形的等离子体路径，能使其磁场强度在不同半径区域内的一致性更好；沉积膜层时，从靶材中心和边缘逃逸出的溅射粒子所携带的动能相近，从而使沉积在晶片上不同区域的膜层在成膜模式、膜层成份、结晶程度以及膜层结构等方面均能够达到良好的一致性；进而使膜层的厚度和电阻率都更加均匀，同时还使得膜层的密度及应力得到更加理想的控制。
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公开(公告)号：CN107868942A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610854815.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。
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公开(公告)号：CN104746028B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201310753210.3
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种可实时监控晶片温度的压环系统，应用在磁控溅射设备上，压环系统包括晶片压环、弹性测温臂和用于测量晶片温度的测温探头，弹性测温臂的一端固定在晶片压环上，弹性测温臂的另一端悬空，弹性测温臂为中空的管状，晶片压环上设置通孔，所述通孔连通弹性测温臂的中空部分，测温探头设置在弹性测温臂的中空部分，置于弹性测温臂的悬空的一端，测温探头的导线先后贯穿弹性测温臂的中空部分和晶片压环的所述通孔而延伸至晶片压环的外侧。还涉及一种磁控溅射设备。本发明的可实时监控晶片温度的压环系统及磁控溅射设备，实现在不破坏腔室真空的条件下从腔室内部引出测温探头的导线，从而保证薄膜沉积环境不受污染，且测温更加真实。
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公开(公告)号：CN107579033A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610522143.8
申请日：2016-07-05
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种压环、反应腔室和半导体加工设备，该压环包括环状本体和沿环状本体周向排布的若干个压爪，其特征在于，还包括设置在压爪底部的弹性部件，弹性部件与若干个压爪一一对应；并且，弹性部件在压环将晶片固定于基座上时产生压缩变形，并与晶片上表面的边缘区域弹性接触。本发明中的压环可以有效的避免压环与晶片之间的“粘片”现象的发生，该结构的压环可以使用更小的压爪来压住晶片，从而减少压爪对于晶片的遮挡区域，提高晶片的有效工艺镀膜或刻蚀区域，并能实现较高的晶片利用率，从而提高单片晶片的产能和经济效益。
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