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公开(公告)号：CN110468383A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810450085.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种工艺套件及反应腔室，在该工艺套件表面设置有花纹结构，该花纹结构包括多个凹部，每个凹部包括球形凹面。本发明提供的花纹结构，其不仅可以有效提高颗粒控制效果，而且不会对工艺套件表面造成损伤，从而提高了工艺套件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110468383B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810450085.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种工艺套件及反应腔室，在该工艺套件表面设置有花纹结构，该花纹结构包括多个凹部，每个凹部包括球形凹面。本发明提供的花纹结构，其不仅可以有效提高颗粒控制效果，而且不会对工艺套件表面造成损伤，从而提高了工艺套件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110468377B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810450381.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种腔室及半导体加工设备，在腔室内设置有工艺组件及用于在腔室空闲时烘烤工艺组件的加热装置，还包括温度监控装置，用于监测工艺组件的温度；根据工艺组件的温度，来调节加热装置的输出功率，以将工艺组件的温度维持在目标温度。本发明提供的腔室，其可以避免因工艺组件的温度波动大而造成的颗粒增加，从而可以延长工艺组件清洗周期，提高机台利用率。
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公开(公告)号：CN110468377A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810450381.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种腔室及半导体加工设备，在腔室内设置有工艺组件及用于在腔室空闲时烘烤工艺组件的加热装置，还包括温度监控装置，用于监测工艺组件的温度；根据工艺组件的温度，来调节加热装置的输出功率，以将工艺组件的温度维持在目标温度。本发明提供的腔室，其可以避免因工艺组件的温度波动大而造成的颗粒增加，从而可以延长工艺组件清洗周期，提高机台利用率。
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公开(公告)号：CN110344013B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN201910763676.9
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119843228A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510323611.8
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN112017934B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910470037.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种压力控制方法及系统，用于对传输平台中的腔室进行压力控制，该方法包括以下步骤：S1：对所述腔室进行本底抽气，直至所述腔室的压力达到预设本底压力值；S2：向所述腔室充气，在第一设定时间后停止充气；S3：以预定抽气速度对所述腔室进行抽气，直至所述腔室中的压力达到目标压力值为止。通过本发明，降低了传输平台的压力控制成本。
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公开(公告)号：CN112249709A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011061731.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: B65G49/07 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种机械手及其获取和传输晶圆的方法，其中机械手包括机械手臂以及与机械手臂连接的承载部，承载部用于承载晶圆，机械手还包括：测距装置，设置于机械手臂朝向承载部的端面上，测距装置用于实时检测测距装置与承载于承载部上的晶圆之间的距离；处理器，处理器实时接收测距装置检测的距离，并根据距离判断晶圆是否偏移承载部上的预设承载位。测距装置能够实时检测测距装置与晶圆之间的距离，实时判断晶圆是否偏移承载部上的预设承载位，防止晶圆在获取和传输的过程中导致工艺偏差甚至碎片。
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公开(公告)号：CN110349910B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810305925.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN111508872A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010321694.4
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种光照射装置及半导体加工设备。该光照射装置设置于半导体加工设备的工艺腔体内的顶部，用于对工艺腔体内的工件进行光照处理，其包括：反射器及光源模组；反射器固定于工艺腔体上，反射器内形成有反射腔，反射腔用于对光线进行反射并调节光线状态；反射器的顶部开设有与反射腔连通的光入射口；反射器的底部设有多个与反射腔连通的光出射孔，多个光出射孔的排布形状与其辐照区域的形状对应设置；光源模组固定设置于反射器的上方，并且光源模组的光出射面与光入射口对应设置。本申请实施例无需采用旋转机构调节光线分布方式，因此有效降低光照射装置设计与加工制造难度，减少设备报错与故障，从而大幅降低应用及维护成本。
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