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公开(公告)号：CN115418617B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210599186.1
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室及其磁控溅射组件，磁控溅射组件包括磁控结构、靶材固定结构和弹性调整机构，靶材固定结构用于设置在半导体工艺设备工艺腔室的顶部，靶材固定结构的底部用于固定设置磁性靶材，磁控结构通过弹性调整机构吊设在靶材固定结构的上方，用于提供溅射磁场，弹性调整机构能够随磁控结构与磁性靶材之间的磁性力的变化而在竖直方向上发生弹性形变，以带动磁控结构在竖直方向上移动。在本发明中，弹性调整机构能够在磁性靶材的底部材料逐渐损耗后将磁控结构升高，使磁控结构与磁性靶材底部的相对位置不变，提高靶材利用率及薄膜性能的稳定性、均匀性和薄膜沉积速率，在降低成本的同时保证半导体器件的良率和性能。
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公开(公告)号：CN107447195B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201610371827.2
申请日：2016-05-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 公开了一种磁控管及磁控溅射系统。所述磁控管可以包括内磁极和外磁极，所述外磁极围绕所述内磁极，所述外磁极与所述内磁极的磁极方向相反，其特征在于，所述磁控管还包括：辅助磁组，所述辅助磁组包括多个磁柱，所述多个磁柱的磁极方向与所述磁控管的磁极方向相同。
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公开(公告)号：CN108004516B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201610930978.7
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供磁控溅射腔室、磁控溅射设备和磁控管。本发明的磁控溅射腔室用于沉积磁性薄膜，包括：用于对靶材表面进行扫描的磁控管，和设置在磁控溅射腔室中用于形成水平磁场的偏置磁场装置。本发明的磁控溅射设备，包括本发明的磁控溅射腔室。本发明的磁控管沿旋转轴进行旋转用于对靶材表面进行扫描，包括极性相反的第一外磁极和第一内磁极；其中，第一外磁极和第一内磁极沿由旋转轴轴心发射的半径方向交替且间隔一定距离设置；第一外磁极和第一内磁极之间形成第一磁场轨道；由旋转轴轴心发射的半径至少连续穿过两次第一磁场轨道，连续穿过的相邻的第一磁场轨道的磁场方向相反。
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公开(公告)号：CN107313019B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710575210.7
申请日：2017-07-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，其包括腔室主体，在该腔室主体内设置有基座，该基座包括用于承载待加工工件的承载面，并且磁性薄膜沉积腔室还包括偏置磁场装置，该偏置磁场装置包括第一磁体组，该第一磁体组设置在基座的下方，用于在基座上方形成第一水平磁场，该第一水平磁场用于使沉积在待加工工件上的磁性薄膜具有面内各向异性。本发明提供的磁性薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场，满足生产型设备在大尺寸待加工工件上制备具有面内各向异性的磁性薄膜的需要。
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公开(公告)号：CN107154330B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610124589.5
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供的磁控管及应用该磁控管的磁控溅射设备，其包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，外磁极和内磁极的形状满足：使内磁极的总磁通量与外磁极的总磁通量的差值在预设范围内。本发明提供的磁控管，其不仅可以提高薄膜厚度的均匀性，而且可以降低靶材溅射电压，从而可以减少器件表面形成的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105336640B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201410269591.2
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 杨玉杰
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种反应腔室和反应设备，包括用于承载被加工工件的基座和工艺组件，所述工艺组件包括遮蔽件，所述遮蔽件包括上遮蔽件和下遮蔽件，所述下遮蔽件的底部为Ｕ型槽结构，所述Ｕ形槽包围所述上遮蔽件的底部，所述Ｕ形槽靠近所述反应腔室侧壁的一侧的下部开有至少一个第一气孔。本发明提供的反应腔室和反应设备的技术方案中，第一气孔开设在下遮蔽件的底部临近气源进口，反应气体可以直接进入处理区域。通过上述进气方式，反应气体能够充分均匀的扩散至反应腔室，以至于影响反应气体在反应腔室中的比例成分以及提高反应气体进入反应腔室的扩散效果和均匀性，从而获得更好的薄膜。
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公开(公告)号：CN108690961A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710220659.1
申请日：2017-04-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射组件，包括磁控管和靶材，所述磁控管相对于所述靶材固定设置，所述磁控管包括磁极方向相反的内磁极和外磁极，在所述内、外磁极之间形成磁场轨道。本发明还提供一种磁控溅射腔室及磁控溅射设备。本发明不仅可提高磁控溅射组件稳定性，而且还可以增加生成的磁性薄膜的应用频率范围。
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公开(公告)号：CN108281414A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810044659.5
申请日：2018-01-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种电容、制作方法及半导体设备。该电容包括上电极、下电极和电介质层，所述电介质层设置于所述上电极和所述下电极之间，所述上电极和所述下电极均包括一层相同的金属层。该电容结构简单，简化了制作流程，而且具有较好的电极特性。
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公开(公告)号：CN104928635B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410107896.3
申请日：2014-03-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3455 , H01J37/3461
Abstract: 本发明提供的磁控溅射腔室及磁控溅射设备，其包括承载件和环形磁体组件，其中，承载件用于承载环形磁体组件，并使其与磁控溅射腔室内的等离子体隔离；环形磁体组件环绕在靶材的外围，且位于靠近靶材的位置处，用以在进行溅射沉积工艺时，产生可提高靶材边缘区域的磁场强度的辅助磁场，从而可以增加自靶材边缘区域溅射出粒子的数量，且减少自靶材中心区域溅射出的粒子数量，进而可以提高基片边缘区域的薄膜厚度，减小基片中心区域的薄膜厚度。本发明提供的磁控溅射腔室，其不仅可以更灵活地调节磁控溅射腔室内产生的磁场的分布和强度，而且还可以在能够获得低应力的薄膜的前提下，提高薄膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN107313019A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710575210.7
申请日：2017-07-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，其包括腔室主体，在该腔室主体内设置有基座，该基座包括用于承载待加工工件的承载面，并且磁性薄膜沉积腔室还包括偏置磁场装置，该偏置磁场装置包括第一磁体组，该第一磁体组设置在基座的下方，用于在基座上方形成第一水平磁场，该第一水平磁场用于使沉积在待加工工件上的磁性薄膜具有面内各向异性。本发明提供的磁性薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场，满足生产型设备在大尺寸待加工工件上制备具有面内各向异性的磁性薄膜的需要。
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