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公开(公告)号：CN118507401A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310181212.3
申请日：2023-02-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , C30B31/14 , H01L21/673 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备及其舟输送装置，该舟输送装置包括机架、两个第一运动模组、至少四个水平调节机构、第二运动模组以及舟承载模组；两个第一运动模组分别安装在机架上，且每个第一运动模组的沿竖直方向相对的两端分别通过一个水平调节机构与机架进行活动连接，使得每个第一运动模组均可相对机架进行第一水平方向和第二水平方向的位置调节；两个第一运动模组分别驱动连接第二运动模组沿第二水平方向相对的两端；第二运动模组驱动连接舟承载模组，以使舟承载模组在第二运动模组的驱动下沿第二水平方向进行水平运动。本技术方案，其能够高效地实现舟承载模组与反应腔室同心，以保证舟顺利进出反应腔室。
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公开(公告)号：CN115332125B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202211035173.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体工艺炉，涉及半导体制造技术领域。该半导体工艺炉包括包括炉体、炉门组件、第一进气组件和排气管，其中，炉体竖直设置，炉体具有工艺腔，炉体的底部具有开口，开口与工艺腔连通；炉门组件设置于炉体的底部，且炉门组件用于封盖开口，第一进气组件设置于炉体的底部侧，第一进气组件与工艺腔的连通，且第一进气组件用于向工艺腔内进气，排气管的一端与工艺腔的顶部连通，排气管的另一端与炉体外部连通，且排气管用于排出工艺腔内的气体。该方案能解决立式半导体工艺炉的炉门处容易被堆积的尾气腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN115332125A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211035173.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体工艺炉，涉及半导体制造技术领域。该半导体工艺炉包括包括炉体、炉门组件、第一进气组件和排气管，其中，炉体竖直设置，炉体具有工艺腔，炉体的底部具有开口，开口与工艺腔连通；炉门组件设置于炉体的底部，且炉门组件用于封盖开口，第一进气组件设置于炉体的底部侧，第一进气组件与工艺腔的连通，且第一进气组件用于向工艺腔内进气，排气管的一端与工艺腔的顶部连通，排气管的另一端与炉体外部连通，且排气管用于排出工艺腔内的气体。该方案能解决立式半导体工艺炉的炉门处容易被堆积的尾气腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN120072607A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202311635148.8
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/509 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种电极引入装置和半导体工艺设备，所公开的电极引入装置应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括承载舟，电极引入装置包括第一电极组件和第二电极组件，其中，第一电极组件包括第一电极引入件和第一输气管，第二电极组件包括第二电极引入件和第二输气管，第一电极引入件具有第一电接触部，第二电极引入件具有第二电接触部，第一电接触部和第二电接触部用于与承载舟电接触，第一输气管用于向第一电接触部的接触面的上方吹送保护气体，第二输气管用于向第二电接触部的接触面的上方吹送保护气体。上述方案可以解决相关技术中承载舟与导电石墨块容易接触不良而出现弧光放电，进而引发射频高频的问题。
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公开(公告)号：CN119663455A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411977523.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种输送系统和扩散炉，属于半导体加工技术领域。输送系统中，进气组件沿扩散炉的工艺腔室的轴向延伸，且与工艺腔室连通；进气组件中，第二进气管套设于第一进气管之外，且第二进气管与第一进气管之间形成输送间隙；第一进气管的出气端和第二进气管的出气端均靠近扩散炉的炉门位置；第一输入管路的一端与工艺气源连通，另一端与第一进气管的进气端连通；第二进气管的进气端位于第二进气管的侧壁且远离炉门，第二输入管路的一端与水源连通，另一端连接于第二进气管的进气端。上述输送系统可以解决目前扩散炉工作过程中，进气管路极易被硼酸所堵塞，从而需要频繁地对进气管路进行清洗，严重影响工艺效率，且增加人力和备件成本的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118441266A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310124796.0
申请日：2023-02-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种散热装置，涉及光伏电池工艺设备技术领域，为解决热气在机箱内部停留的时间过长的问题而设计。该散热装置用于冷却机箱内的存储位区域，散热装置包括吸风骨架和抽风元件，吸风骨架设置于机箱的内部，吸风骨架具有骨架腔体以及均与骨架腔体连通的吸风口和引风口，吸风口朝向存储位；抽风元件安装于机箱，抽风元件用于提供气流自引风口排出的动力。本发明能够缩短热气在机箱内部的停留时间。
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公开(公告)号：CN114754585B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210422134.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: F27B17/00 , F27D7/06 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种烧结设备，其包括内壳体、外壳体和加热装置，其中，外壳体间隔地环绕在内壳体的周围；加热装置设置于外壳体与内壳体之间，用于对内壳体及其内部进行加热；内壳体围成用于容置待烧结件的封闭空间，且内壳体的材质为能够避免颗粒产生的致密性材质，并能够将封闭空间中的气体与内壳体之外的气体隔离。本发明提供的烧结设备，可以解决现有技术中产生大量颗粒和外界气体对烧结工艺产生影响等的问题。
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公开(公告)号：CN112452074A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011172306.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种废气处理装置及半导体设备，废气处理装置包括处理腔体、过滤组件、支撑组件和抽气部件，支撑组件设置在处理腔体中，将处理腔体的内部空间分为第一处理腔和第二处理腔；支撑组件上设有供废气通过的通气结构，废气通过抽气部件从第一处理腔经过通气结构向第二处理腔流动；处理腔体上设置有进气结构和排气结构，进气结构与第一处理腔连通，排气结构与第二处理腔连通；过滤组件设于支撑组件上且位于第二处理腔中，包括多个相互堆叠的固体填料，固体填料用于对由废气产生的污染物进行过滤。本发明提供的废气处理装置及半导体设备能够降低过滤组件更换的频率，从而能够降低废气处理装置的使用成本，并提高半导体设备的使用效率。
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公开(公告)号：CN116994984A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310610667.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种晶圆冷却装置及半导体工艺设备，该装置包括：箱体，箱体内设置有多个晶圆传输机构和晶圆冷却装置系统；晶圆传输机构用于传输晶圆；晶圆冷却装置系统包括与多个晶圆传输机构一一对应设置的喷淋组件；喷淋组件与冷却气体输送管路连接，喷淋组件用于喷出冷却气体，以对位于晶圆传输机构上的晶圆进行冷却。本发明可以实现对晶圆进行快速冷却，提高半导体工艺生产效率，同时避免高温造成的零部件变形及烤化损坏以及高温析出金属颗粒对硅片的污染。
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公开(公告)号：CN110473821B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910772547.6
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种晶舟伸展装置及半导体加工设备，包括逐级连接的多个直线驱动装置和设置在各个直线驱动装置上的连接滑块；每级直线驱动装置用于驱动位于该级别以下的所有直线驱动装置整体沿水平方向移动；最下级的直线驱动装置用于与晶舟连接；直线驱动装置与连接滑块成套设置。本发明提供的晶舟伸展装置及半导体加工设备能够水平运载晶舟，并具备良好的稳定性，且装配简单便捷，从而提高生产效率及生产稳定性。
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