公开(公告)号：CN107868942A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201610854815.5

申请日：2016-09-27

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 叶华 ,  贾强 ,  徐悦 ,  蒋秉轩 ,  侯珏 ,  石璞 ,  郑金果 ,  宗令蓓 ,  赵梦欣 ,  丁培军 ,  王厚工

IPC: C23C14/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。

公开(公告)号：CN107868942B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201610854815.5

申请日：2016-09-27

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 叶华 ,  贾强 ,  徐悦 ,  蒋秉轩 ,  侯珏 ,  石璞 ,  郑金果 ,  宗令蓓 ,  赵梦欣 ,  丁培军 ,  王厚工

IPC: C23C14/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。