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公开(公告)号：CN108807214A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710287321.8
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种去气装置。该去气装置包括腔室和温控单元，所述腔室的顶部设有介质窗，所述温控单元包括温度控制器、加热部件和风扇，所述温度控制器用于监测所述介质窗的温度，所述加热部件和所述风扇分别与所述温度控制器连接，所述去气装置还包括位于所述介质窗上方、且与所述腔室同轴设置的风道控件，所述风道控件中开设有通风孔，所述风道控件能引导所述风扇产生的流动气体经所述通风孔遍布所述介质窗。该去气装置通过设置内部有通风孔的风道控件，从而将风扇产生的流动气体也即风流经通风孔直接扩散到整个介质窗，有效解决介质窗的中心和边缘温差较大，进而导致晶圆温度均匀性差的问题，能获得较佳的工艺效果。
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公开(公告)号：CN107492509A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201610414337.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆去气腔室及物理气相沉积设备，包括腔室本体，腔室本体内设置有至少一个用于承载晶圆的晶圆载具和用于对晶圆加热的加热单元，晶圆去气腔室还包括隔离部，该隔离部用于将加热单元与晶圆分隔开，隔离部为透光材料，加热单元发出的热量能够透过隔离部对晶圆进行加热，晶圆去气腔室还包括对隔离部的温度进行控制的温度控制装置。本发明中的晶圆去气腔室的温度控制装置可以对隔离部的温度进行控制，从而避免了隔离部自身变成一个热源，使得晶圆去气腔室的工艺条件稳定，经过晶圆去气腔室加工后的晶圆之间具有良好的温度均匀性，且温度趋同，从而有利于后续的预清洗工艺的进行，提高整个物理气相沉积工艺加工的质量。
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公开(公告)号：CN108615692B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201611142352.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 贾强
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/02 , C23C14/22
Abstract: 本发明公开了一种片盒、反应腔室和半导体设备。本发明的片盒，包括顶板、底板、以及设置在顶板和底板之间的多个支撑件，支撑件的内壁设置有放置位用于放置基片，还包括隔板，隔板设置在顶板和底板之间，且顶板、隔板和底板相互平行，隔板用于增加对各基片的热辐射。本发明的反应腔室包括本发明的片盒。本发明的半导体设备包括本发明的反应腔室。本发明提供的片盒，能够使位于片盒中各位置的基片在基本相同的时间内达到预设温度。
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公开(公告)号：CN107313019B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710575210.7
申请日：2017-07-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，其包括腔室主体，在该腔室主体内设置有基座，该基座包括用于承载待加工工件的承载面，并且磁性薄膜沉积腔室还包括偏置磁场装置，该偏置磁场装置包括第一磁体组，该第一磁体组设置在基座的下方，用于在基座上方形成第一水平磁场，该第一水平磁场用于使沉积在待加工工件上的磁性薄膜具有面内各向异性。本发明提供的磁性薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场，满足生产型设备在大尺寸待加工工件上制备具有面内各向异性的磁性薄膜的需要。
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公开(公告)号：CN109755089A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711083255.9
申请日：2017-11-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子体腔室，包括腔体、保护筒、基座、卡环和壳体，腔体内还设有壳体；在等离子体腔室进行反应加工时，所述壳体的内表面和所述保护筒的内表面围成第一空间，所述基座和所述卡环位于所述第一空间内；所述基座能够施加射频功率；所述腔体的内表面、所述壳体的外表面和所述保护筒的外表面之间形成第二空间；所述壳体接地，用以对所述第二空间屏蔽来自所述基座和所述卡环上施加的射频功率。本发明还提供半导体加工设备，可以保证位于基座下方的较大空间不会发生起辉，从而可以获得稳定的工艺结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105336650B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201410398681.1
申请日：2014-08-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种片盒定位装置以及半导体加工设备，其包括：限位门，与片盒的侧框可旋转地连接，通过旋转限位门，而使其位于阻挡或非阻挡片盒中的晶片移动的第一位置或第二位置；定位机构，用于将限位门锁定在第一位置或第二位置，以及在需要取放片时，解除对限位门的锁定。本发明提供的片盒定位装置，其可以根据具体需要随时开启或关闭限位门，从而可以阻挡晶片相对于片盒移动，以避免发生晶片位置偏移或掉落，进而可以保证机械手能够正常取片。
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公开(公告)号：CN107313019A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710575210.7
申请日：2017-07-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，其包括腔室主体，在该腔室主体内设置有基座，该基座包括用于承载待加工工件的承载面，并且磁性薄膜沉积腔室还包括偏置磁场装置，该偏置磁场装置包括第一磁体组，该第一磁体组设置在基座的下方，用于在基座上方形成第一水平磁场，该第一水平磁场用于使沉积在待加工工件上的磁性薄膜具有面内各向异性。本发明提供的磁性薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场，满足生产型设备在大尺寸待加工工件上制备具有面内各向异性的磁性薄膜的需要。
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公开(公告)号：CN111101097A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811257769.6
申请日：2018-10-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供的反应腔室和薄膜沉积设备，包括基座和环绕基座设置的偏置磁体组件，还包括偏置磁体升降机构，其用于驱动偏置磁体组件进行升降运动，因此，偏置磁体组件与靶材之间的距离是可调节的，当进行不同材料及不同工艺要求的沉积时，可以通过调节偏置磁体组件的高度来提高各向异性水平磁场的均匀性，从而扩大反应腔室的适用范围。
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公开(公告)号：CN107868942B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610854815.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。
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公开(公告)号：CN107871681B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201610854013.4
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种去气腔室和半导体处理装置。该去气腔室包括腔体和片盒，腔体的侧壁上开设有传片口；片盒在腔体内可沿竖直方向移动，还包括设置在腔体内的加热组件，加热组件包括第一光源件和第二光源件，腔体以传片口为界分为第一腔体和第二腔体；第一光源件位于第一腔体内，第二光源件位于第二腔体内；第一光源件和第二光源件用于对片盒内的待去气基片进行均衡加热。该去气腔室通过设置加热组件，能使放置于片盒中的待去气基片都能受到均衡加热，从而确保了待去气基片在去气工艺和取放片过程中的工艺温度均衡，进而不仅提高了待去气基片的去气工艺质量，而且为后续工艺过程提供了更加洁净的基片。
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