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公开(公告)号：CN110344013B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN201910763676.9
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN119843228A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510323611.8
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN112017934B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910470037.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种压力控制方法及系统，用于对传输平台中的腔室进行压力控制，该方法包括以下步骤：S1：对所述腔室进行本底抽气，直至所述腔室的压力达到预设本底压力值；S2：向所述腔室充气，在第一设定时间后停止充气；S3：以预定抽气速度对所述腔室进行抽气，直至所述腔室中的压力达到目标压力值为止。通过本发明，降低了传输平台的压力控制成本。
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公开(公告)号：CN112249709A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011061731.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: B65G49/07 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种机械手及其获取和传输晶圆的方法，其中机械手包括机械手臂以及与机械手臂连接的承载部，承载部用于承载晶圆，机械手还包括：测距装置，设置于机械手臂朝向承载部的端面上，测距装置用于实时检测测距装置与承载于承载部上的晶圆之间的距离；处理器，处理器实时接收测距装置检测的距离，并根据距离判断晶圆是否偏移承载部上的预设承载位。测距装置能够实时检测测距装置与晶圆之间的距离，实时判断晶圆是否偏移承载部上的预设承载位，防止晶圆在获取和传输的过程中导致工艺偏差甚至碎片。
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公开(公告)号：CN110349910B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810305925.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111508872A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010321694.4
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种光照射装置及半导体加工设备。该光照射装置设置于半导体加工设备的工艺腔体内的顶部，用于对工艺腔体内的工件进行光照处理，其包括：反射器及光源模组；反射器固定于工艺腔体上，反射器内形成有反射腔，反射腔用于对光线进行反射并调节光线状态；反射器的顶部开设有与反射腔连通的光入射口；反射器的底部设有多个与反射腔连通的光出射孔，多个光出射孔的排布形状与其辐照区域的形状对应设置；光源模组固定设置于反射器的上方，并且光源模组的光出射面与光入射口对应设置。本申请实施例无需采用旋转机构调节光线分布方式，因此有效降低光照射装置设计与加工制造难度，减少设备报错与故障，从而大幅降低应用及维护成本。
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公开(公告)号：CN110468383A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810450085.1
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种工艺套件及反应腔室，在该工艺套件表面设置有花纹结构，该花纹结构包括多个凹部，每个凹部包括球形凹面。本发明提供的花纹结构，其不仅可以有效提高颗粒控制效果，而且不会对工艺套件表面造成损伤，从而提高了工艺套件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108091588B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201611045887.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备，在向工艺腔室内传片之前，向工艺腔室内通入第一气体，并使工艺腔室的压力维持在预设的阈值，在向工艺腔室内传片之后，向工艺腔室内通入第二气体，并使工艺腔室内的压力仍然维持在所述阈值，同时对晶片进行退火工艺，保持晶片传入前后，腔室内的压力恒定，可以避免在退火工艺过程中的气体乱流，不但可以降低工艺腔体内温度波动，提高腔室和晶片温度的均匀性，还可以缩短腔室内温度回复稳定的时间，从而提高设备产能。
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公开(公告)号：CN111508872B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010321694.4
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种光照射装置及半导体加工设备。该光照射装置设置于半导体加工设备的工艺腔体内的顶部，用于对工艺腔体内的工件进行光照处理，其包括：反射器及光源模组；反射器固定于工艺腔体上，反射器内形成有反射腔，反射腔用于对光线进行反射并调节光线状态；反射器的顶部开设有与反射腔连通的光入射口；反射器的底部设有多个与反射腔连通的光出射孔，多个光出射孔的排布形状与其辐照区域的形状对应设置；光源模组固定设置于反射器的上方，并且光源模组的光出射面与光入射口对应设置。本申请实施例无需采用旋转机构调节光线分布方式，因此有效降低光照射装置设计与加工制造难度，减少设备报错与故障，从而大幅降低应用及维护成本。
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公开(公告)号：CN115305454B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211030289.2
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控管装置及磁控溅射设备，该包括旋转轴、旋转横梁、磁控管组件和两个限位组件，其中，旋转轴能够围绕自身的第一轴线沿第一方向或者与之相反的第二方向旋转；旋转轴与旋转横梁可围绕第二轴线相对旋转的连接；磁控管组件与旋转横梁连接；两个限位组件设置于旋转横梁上，且沿旋转横梁的延伸方向相对设置于第二轴线的两侧，旋转轴位于两个限位组件之间，且旋转轴上设置有用于与限位组件进行定位配合的定位结构；定位结构用于在旋转轴沿第一方向或者第二方向旋转至预设位置时，与对应的限位组件相配合，以使旋转轴和旋转横梁同步旋转。本发明提供的磁控管装置可以解决因电机扰动被放大而引起的电机扭矩过载报警的问题。
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