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公开(公告)号:CN111627849B
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN201910144980.5
申请日:2019-02-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种翻转装置及装卸腔室,包括固定件、升降驱动机构、连杆机构和翻转基座,其中,翻转基座与固定件连接,且能够在由固定件承载的第一位置和与第一位置呈预设夹角的第二位置之间翻转;升降驱动机构用于提供垂直动力;连杆机构分别与升降驱动机构和翻转基座铰接,用于将升降驱动机构提供的垂直动力转换为驱动翻转基座在第一位置与第二位置之间翻转的动力。本发明提供的翻转装置及装卸腔室能够降低翻转装置的加工难度,降低翻转装置无法翻转至工作位置的情况的发生,并能够提高翻转装置的使用寿命。
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公开(公告)号:CN109473331B
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN201710807707.7
申请日:2017-09-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种腔室屏蔽装置和半导体处理腔室,腔室屏蔽装置包括依次拼接的上屏蔽板、侧屏蔽板和下屏蔽板,上屏蔽板与侧屏蔽板通过第一导体电连接,侧屏蔽板和下屏蔽板通过导电组件电连接。该腔室屏蔽装置的上屏蔽板、侧屏蔽板和下屏蔽板的电位相等,能够防止屏蔽板发生表面放电现象,避免屏蔽板表面留下打火痕迹,避免腔室内颗粒度超标。
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公开(公告)号:CN110544660B
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN201810873260.8
申请日:2018-08-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 一种模块化晶圆传输系统和半导体设备,模块化晶圆传输系统包括相互独立的装载台模块、前端模块、过渡腔室模块和传输腔室模块,其中:装载台模块与前端模块相连接;前端模块与传输腔室模块之间以及各传输腔室模块之间通过过渡腔室模块相连接。本发明可以通过过渡腔室模块将多个传输腔室模块相连接,从而增加单台设备可集成的工艺模块数量,进而实现晶圆前后道工艺在单台设备中连续传输。
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公开(公告)号:CN110299301B
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN201810245055.7
申请日:2018-03-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种用于多腔传输装置的开盖机构,包括切换组件、驱动组件、多组传动组件和多组开盖执行组件,每组传动组件对应连接有一组开盖执行组件;切换组件用于将驱动组件选择性地与其中一组传动组件相连;驱动组件用于驱动传动组件以带动开盖执行组件摆动。开盖机构可以节约多腔传输装置的安装空间、降低了设备成本和人力成本,大幅地提升开盖机构的工作效率。
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公开(公告)号:CN108470704B
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN201710100042.6
申请日:2017-02-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种传片腔室及半导体加工设备,其包括腔体,在所述腔体内设置有沿竖直方向依次排列的多个子腔,且在每个子腔内沿竖直方向间隔设置有至少两个用于承载被加工工件的托架。本发明提供的传片腔室,其能够增加单次传输晶片的数量,从而提高腔室的传输能力,进而提高设备的产能。
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公开(公告)号:CN110416144B
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN201810392513.X
申请日:2018-04-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种静电卡盘、工艺腔室和半导体处理设备。静电卡盘包括卡盘本体,具有用于承载待测晶片的承载面;射频负偏压检测组件,用于检测待测晶片的射频负偏压,射频负偏压检测组件包括:检测电极,至少部分内嵌于卡盘本体内;导电层,设置在承载面上且与检测电极电连接;半导体介质层,覆盖导电层且半导体介质层的背离卡盘本体的一侧面能承载至少部分待测晶片。利用射频负偏压检测组件与待测晶片之间形成单向导通的二极管结构,直接检测二极管的输出电压,得到射频负偏压,可以提高射频负偏压的检测精度,有效保护待测晶片,提高工艺良率,降低制作成本。
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公开(公告)号:CN109256357B
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201710569034.6
申请日:2017-07-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域,具体涉及一种高温静电卡盘。该高温静电卡盘,包括基座和设置于所述基座上方的卡盘主体,所述卡盘主体用于支撑晶片,所述卡盘主体的外侧环绕设置有压环和沉积环,所述压环用于对所述卡盘主体进行限位,所述沉积环位于所述压环的上方,所述压环开设有豁口,所述沉积环和/或所述基座在对应所述豁口的区域设置有接触脚,所述接触脚使得所述沉积环与所述基座直接接触。该高温静电卡盘,通过重新设计金属基座、压环和沉积环结构,采用压环开设豁口、以及设置接触脚的形式使沉积环直接接触基座,避免压环受热膨胀将沉积环顶起,而造成的沉积环和晶片之间发生粘黏的现象。
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公开(公告)号:CN108573845B
公开(公告)日:2020-02-14
申请号:CN201710131861.7
申请日:2017-03-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备,其包括法拉第屏蔽环和用于支撑该法拉第屏蔽环的绝缘环,在绝缘环的支撑面设置有凹部,且在法拉第屏蔽环的被支撑面设置有凸部,该凸部位于凹部内,其中,凹部包括朝外方向的第一侧面,凸部包括朝内方向的第二侧面,第一侧面和第二侧面相贴合;凹部被设置为使凸部在受热膨胀时不受凹部的限制。本发明提供的反应腔室,其不仅可以保证绝缘环在高温状态下不被破坏,而且可以确保法拉第屏蔽环的准确定位,从而可以提高工艺均匀性、稳定性和设备可靠性。
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公开(公告)号:CN110620074A
公开(公告)日:2019-12-27
申请号:CN201810628962.X
申请日:2018-06-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供的基座组件及反应腔室,包括基座,基座中设置有气体通道,在承载面上形成有凹道,凹道与气体通道的出气端连通,用于在晶圆置于承载面上时,向晶圆的下表面与承载面之间的凹道通入热交换气体,本发明提供的基座组件还包括流量控制器,通过流量控制器来控制自气体通道的出气端流出的热交换气体的流量,使得当晶圆置于承载面上并对晶圆进行背吹时,不会因为热交换气体的流量过大而将晶圆吹走,同时,由于无需使用按压部件对晶圆进行按压固定,因此晶圆的上表面能够全面进行工艺,而不会影响晶圆的后续工艺。
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公开(公告)号:CN106282914B
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201510251571.7
申请日:2015-05-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明提供一种加热腔室以及半导体加工设备,包括:设置在加热腔室内的加热筒体以及可拆卸地安装在加热筒体中的上盖环形光源组件;该上盖环形光源组件包括:环绕设置在加热筒体内侧的筒状热源,用于自加热筒体的周围向内部辐射热量;电引入总成,用于将电流传导至筒状热源;支撑总成,包括:环形支撑组件,筒状热源安装在该环形支撑组件上;上盖组件,可拆卸地设置在环形支撑组件的顶部,电引入总成安装在上盖组件上,且通过环形支撑组件与筒状热源间接电连接。本发明提供的加热腔室,其可以简化筒状热源的拆装过程,从而可以更方便地对加热腔室进行维护。
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