公开(公告)号：CN106356449A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610554216.1

申请日：2016-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛林 ,  安在洙 ,  M·帕卡拉 ,  程志康 ,  汪荣军

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01F10/14 ,  H01F10/3222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。

公开(公告)号：CN101710525B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910243307.3

申请日：2009-12-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 于广华 ,  丁雷 ,  滕蛟 ,  李明华 ,  冯春

IPC: H01F10/08 ,  H01F10/14 ,  H01F41/18 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  C23C14/24

CPC classification number: H01F10/14 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  H01F10/30 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高的磁场灵敏度。该方法主要优点是材料结构设计简单，磁场灵敏度提高明显，基本上能够与某些隧道磁电阻(TMR)薄膜材料和相应元件磁场灵敏度相当；同时克服了以往材料体系工艺中当NiFe层较薄时在一定温度下处理材料或器件带来的薄膜界面处固相反应所导致的“磁死层”，因此，该材料可以用于制作高灵敏磁电阻传感元器件。

公开(公告)号：CN101299374A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810082575.7

申请日：2004-11-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野间贤二

IPC: H01F10/16 ,  H01F10/14 ,  G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11B5/127 ,  H01F10/14 ,  H01F10/324 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/1186

Abstract: 本发明提供了磁性膜、硬盘驱动装置的记录磁头和固体器件。所述磁性膜可以抑制由磁头受热引起的磁极突出，可以应用于能以高记录密度记录数据的硬盘驱动装置的磁头，并包含至少含铁(Fe)、钴(Co)和铂(Pt)的合金制成的合金膜，其中，铂(Pt)的摩尔含量大于等于2％，并且铁(Fe)的摩尔含量是69－70％。

公开(公告)号：CN1860564A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200580001119.X

申请日：2005-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石本仁 ,  松谷伸哉

IPC: H01F27/24 ,  H01F27/28 ,  H01F27/34 ,  H01F41/02 ,  H01F10/16 ,  H01F41/32

CPC classification number: H01F17/0006 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/265 ,  H01F17/04 ,  H01F2017/0066

Abstract: 包括线圈(1)以及将第一金属层(4)、第一金属磁体层(5)、含铜的氧化物的中间层(6)和第二金属磁体层(7)层叠于基材(3)的至少一个面上的多层磁体层(2)的电感元件，第一和第二金属磁体层(5)和(7)含Fe、Ni或Co中的至少一种，且中间层(6)由电阻率此第一和第二金属磁体层(5)和(7)高的材料形成。由于此结构，可提供用于高频波段的量产性优异的小型薄型的电感元件。

公开(公告)号：CN1719521A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200410091700.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野间贤二

IPC: G11B5/31 ,  H01F10/14

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11B5/127 ,  H01F10/14 ,  H01F10/324 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/1186

Abstract: 本发明提供了磁性膜，其可以抑制由磁头受热引起的磁极突出。该磁性膜可以应用于能以高记录密度记录数据的硬盘驱动装置的磁头。该磁性膜包括：第一合金膜，其由铁(Fe)和铂(Pt)的合金制成，或者由铁(Fe)、铂(Pt)和其它一种金属或多种金属的合金制成；和第二合金膜，该第二合金膜直接层叠在第一合金膜上，由从包括铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)的组中选出的至少两种金属的合金制成。铁(Fe)在第一合金膜中的摩尔含量是63－74％。

公开(公告)号：CN1257292A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN99126710.9

申请日：1999-12-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小田切充 ,  竹房早奈江 ,  三宅裕子

IPC: H01F10/14 ,  H01F1/147 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3113 ,  H01F1/14708 ,  H01F10/14 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/11 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明涉及一种由NiFeMo构成的磁头,它具有优异的高频特性,无需任何热处理易于形成磁畴结构,因此,提高了磁记录能力。磁性材料由Ni、Fe和Mo构成,其特征在于,按照这样的条件选择NiFeMo的成分比,即按原子%值计,Ni为77—82%,Fe为15—21%,Mo为6%以下,以及磁应变常数λs范围为－1×10-6≤λs≤1×10-6。

公开(公告)号：CN105074838B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201480017811.0

申请日：2014-03-27

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 渡边光弘 ,  三木裕彦 ,  中村真贵

IPC: H01F1/16 ,  G01C17/38 ,  H01F1/00 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01F10/26 ,  G01C17/28 ,  H01F1/14775 ,  H01F1/16 ,  H01F10/14 ,  H01F10/142 ,  H01F27/365

Abstract: 一种磁性片，其在树脂薄膜上隔着粘附层保持有由Fe基金属磁性材料构成的薄板状磁性体而成，所述薄板状磁性体的单层厚度为15μm～35μm，所述薄板状磁性体在500kHz频率下的交流相对磁导率μr为220以上770以下。

公开(公告)号：CN104813472B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201380060955.X

申请日：2013-06-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·S·多伊尔 ,  C·C·郭 ,  K·奥乌兹 ,  U·沙阿 ,  E·V·卡尔波夫 ,  R·G·莫亚拉德 ,  M·L·多齐 ,  R·S·周

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F10/32 ,  G11C11/18 ,  H01F10/193 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 描述了具有增强稳定性的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件和制造具有增强稳定性的垂直STTM器件的方法。例如，用于磁性隧穿结的材料层叠置体包括固定磁性层。电介质层设置于所述固定磁性层上方。自由磁性层设置于所述电介质层上方。导电氧化物材料层设置于所述自由磁性层上。

公开(公告)号：CN106062901A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011040.9

申请日：2015-02-27

Applicant: 国立大学法人东京工业大学

Inventor： 谷山智康 ,  白幡泰浩 ,  椎名亮太

IPC: H01F10/28 ,  H01F10/14 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

CPC classification number: H01F10/14 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/324 ,  H01F41/22 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66984 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明使得具有更稳定的垂直磁化取向，且能够利用电压使磁化取向性在面外方向和面内方向之间切换。一种兼具铁电性和铁磁性的多铁性结构的层叠结构体(10)，其特征在于，具备：铁电体层(11)，其由具有铁电性的铁电体形成；基底层(12)，其将与铁电体晶格匹配性好的金属作为主成分且层叠在铁电体层的一面；中间层(13)，其以非磁性体为主成分且层叠在基底层的一面；铁磁性/非磁性的多层膜层(14)，其是使以铁磁体为主成分的铁磁体层(15)和以非磁性体为主成分的非磁性体层(16)在中间层的一面上相互交替地层叠至少3个周期以上而构成的。

公开(公告)号：CN105534319A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201511002452.4

申请日：2015-12-28

Applicant: 合浦展鹏实业有限公司

Inventor： 刘德波

IPC: A47J36/04 ,  C04B35/622 ,  C04B41/90 ,  C03C8/08 ,  H01F41/14 ,  H01F10/14 ,  C22C5/08

CPC classification number: A47J36/04 ,  C03C8/08 ,  C04B35/622 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/612 ,  C22C5/08 ,  H01F10/14 ,  H01F41/14 ,  C04B41/504 ,  C04B41/5022

Abstract: 本发明提供一种IH电饭煲的陶瓷内胆，包括有煲体，所述煲体包括胚体，所述胚体包括胚身和胚底，所述IH电饭煲的陶瓷内胆还包括两导磁块，中一导磁块贴在所述胚身的外表面并位于所述胚身的下部，另一导磁块贴在所述胚底的底部，所述两导磁块分别包括有内封膜釉、导磁膜及外封膜釉，所述外封膜釉、导磁膜及内封膜釉在指向所述胚体中心的方向上依次排列，并相互紧贴。本发明底部和侧壁均粘贴导磁膜，使煲胆快速升温，具有很好的热传力和热对流性，当IH电饭煲工作时导磁膜使内胆发热，减少加热盘热传递，减少热能损耗，使热效率更高，加热更充分，更省电。本发明依据IH工作原理,绝对均匀加热，使米饭口感和营养成分都提升到前所未有的高度。