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公开(公告)号：CN119465061A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411570646.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/673
Abstract: 本申请提供了一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置用于在反应腔室中承载晶圆并控制所述晶圆的温度，包括：托盘，用于承载晶圆；液冷盘，设置在托盘的下方，并通过导流冷却液以对托盘以及承载于托盘的晶圆进行冷却；背板，设置在液冷盘的下方，并承载托盘和液冷盘；其中，背板包括本体和加强结构，加强结构和液冷盘分别位于本体的两侧，且加强结构位于本体的承载液冷盘的至少部分区域中。上述的晶圆承载装置，使背板具有加强结构，其能增大背板的结构强度，避免背板在高温环境下发生变形，从而能避免晶圆的温度升高，也避免晶圆的不同区域存在温差，进而避免了晶圆出现硅析出和反射率异常的情况，提升了晶圆的沉积质量。
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公开(公告)号：CN117559187A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311360824.5
申请日：2023-10-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01R39/08 , H01R13/52 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开一种导电滑环及半导体工艺设备，所公开的导电滑环，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，导电滑环包括外壳、固定电连接部和转动电连接部，其中：外壳具有壳腔和与壳腔连通的第一安装孔，外壳用于与工艺腔室密封连接，以使壳腔与工艺腔室的腔室空间密封连通；固定电连接部与第一安装孔密封配合，且固定电连接部的第一端部伸至壳腔中，并与转动电连接部电连接，固定电连接部的第二端部位于外壳之外，且用于与电源电连接；转动电连接部转动地设于外壳之内，并用于与工艺腔室之内的用电器件电连接。上述方案能解决相关技术涉及的工艺腔室采用磁流体结构来实现工艺空间与工艺腔室的外部环境之间的密封，而存在密封效果不佳问题。
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公开(公告)号：CN114754585A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210422134.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: F27B17/00 , F27D7/06 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种烧结设备，其包括内壳体、外壳体和加热装置，其中，外壳体间隔地环绕在内壳体的周围；加热装置设置于外壳体与内壳体之间，用于对内壳体及其内部进行加热；内壳体围成用于容置待烧结件的封闭空间，且内壳体的材质为能够避免颗粒产生的致密性材质，并能够将封闭空间中的气体与内壳体之外的气体隔离。本发明提供的烧结设备，可以解决现有技术中产生大量颗粒和外界气体对烧结工艺产生影响等的问题。
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公开(公告)号：CN110582155A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201810586846.6
申请日：2018-06-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明公开了一种等离子体启辉的检测装置、方法和工艺腔室。包括光电转换元件和控制单元，其中，光电转换元件的感光面用于与工艺腔室的出光侧对应，以检测工艺腔室内的光信号并将光信号转换为电信号后发送至控制单元；控制单元，用于接收电信号后与预设的临界启辉电信号进行比较，当电信号满足临界启辉电信号时，判定工艺腔室内的等离子体发生启辉。通过检测工艺腔室内的光信号并将光信号转换为电信号，之后根据电信号确定等离子体是否发生启辉。检测等离子体是否启辉的装置简单、有效，能够有效地降低检测等离子体启辉的成本。此外，还便于工艺开发人员进行预判，无需复杂的控制算法与数据处理，可以更好地进行推广应用。
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公开(公告)号：CN108962709A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710348813.3
申请日：2017-05-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 叶华
IPC: H01J37/20 , H01J37/244 , C23C14/35
Abstract: 一种磁控溅射腔室以及通过该磁控溅射腔室实现的托盘位置误差检测方法。磁控溅射腔室、设置于腔体内的基座、旋转轴、传输臂、托盘和检测传感器，以基座所在平面为投影面，预设旋转轴和基座的中心在投影面上的连线为lo，预设传输臂与lo重合时的位置为第一极限位置，预设在第二极限位置时传输臂与lo的夹角为Ф；检测传感器与旋转轴的距离L满足以下关系式：R‑r
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105734522B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610129184.0
申请日：2016-03-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/56
Abstract: 本发明公开了一种去气腔室，该去气腔室包括真空腔、辐射源，辐射源设置在真空腔中，以直接对其下方的真空腔内放置的待处理晶片进行辐射加热。本发明一改以往将辐射源设置在真空腔外的传统做法，而将辐射源直接设置在真空腔中，消除了以往石英窗所带来的弊端，简化了加热流程，缩短了去气工序的工艺准备时间，大大缩短了去气工序的周期，为提高PVD设备的产能创造了条件。
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公开(公告)号：CN107868942A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610854815.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种去气腔室及其去气方法和半导体处理设备。该去气方法包括：步骤S10：将去气腔室内加热到预设温度，并保持去气腔室内维持预设温度；步骤S11：将待去气晶片传入保持在预设温度的去气腔室内，并在加热设定时间段后取出，以对待去气晶片进行去气。该去气方法能够实现待去气晶片在加热去气过程中的随入随出，即当去气腔室内加热并保持在预设温度时，任何时间都可以向去气腔室内传入任意数量的待去气晶片；无论什么时候传入去气腔室内的待去气晶片，只要其被加热设定时间段后即可从去气腔室中取出；从而实现了对晶片加热程度的准确控制，进而保证了经过去气处理后的晶片的品质。
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公开(公告)号：CN114520182B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210381543.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的承载装置。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座、承载件以及限位环结构；限位环结构套设于基座的外周，内周壁与基座的外周壁之间形成有吹气流道及第一匀流空间，第一匀流空间与吹气流道连通；承载件与基座相互叠置且位于基座的下方，并且承载件与基座之间设置有气流道结构；气流道结构通过连接流道与第一匀流空间连通；气流道结构用于将吹扫气体通过连接流道输送至第一匀流空间；第一匀流空间用于对吹扫气体进行匀流；吹气流道用于将匀流后的吹扫气体吹出，以对晶圆的底面及侧面进行吹扫。本申请实施例实现了边缘吹气对晶圆的底面及侧面气流场影响是一致的，从而大幅提高了工艺均匀性及工艺良率。
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公开(公告)号：CN114883168A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210492403.7
申请日：2022-05-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种卡盘装置，用于半导体设备，卡盘装置包括承载盘，承载盘的内部设置有至少一个第一电极，第一电极用于与供电组件连接，以接收供电组件提供的射频信号，卡盘装置还包括至少一个电磁感测组件，电磁感测组件与第一电极一一对应设置，且电磁感测组件能够响应于供电组件与第一电极之间的电流所产生的磁场，产生与射频信号对应的电信号。在本发明中，电磁感测组件能够响应于供电组件与第一电极间连接电路上的电流所产生的磁场，生成对应的电信号，从而可以实时监测射频电流的大小，并且与现有技术方案相比受到射频回路的干扰更小，提高了射频电流的检测精度。本发明还提供一种半导体腔室、卡盘装置的制作方法和卡盘装置的制作方法。
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公开(公告)号：CN114520182A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210381543.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的承载装置。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座、承载件以及限位环结构；限位环结构套设于基座的外周，内周壁与基座的外周壁之间形成有吹气流道及第一匀流空间，第一匀流空间与吹气流道连通；承载件与基座相互叠置且位于基座的下方，并且承载件与基座之间设置有气流道结构；气流道结构通过连接流道与第一匀流空间连通；气流道结构用于将吹扫气体通过连接流道输送至第一匀流空间；第一匀流空间用于对吹扫气体进行匀流；吹气流道用于将匀流后的吹扫气体吹出，以对晶圆的底面及侧面进行吹扫。本申请实施例实现了边缘吹气对晶圆的底面及侧面气流场影响是一致的，从而大幅提高了工艺均匀性及工艺良率。
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