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公开(公告)号：CN110459479B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810426236.X
申请日：2018-05-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种阻挡层沉积方法、金凸块的底层金属薄膜及其制备方法，该沉积方法用于在底材上形成阻挡层组，包括包括在底材上形成阻挡层组的步骤，该步骤包括：沿远离底材的方向依次沉积至少三层叠置的阻挡层来形成所述阻挡层组；其中，沉积最上层的阻挡层和沉积最下层的阻挡层时所采用的工艺气压低于沉积其余阻挡层时所采用的工艺气压，以提高最上层的所述阻挡层和最下层的所述阻挡层的致密性。本发明提供的阻挡层沉积方法，其可以顺利通过PCT试验，而且无需采用较高的工艺温度，从而可以避免产生TiW靶材脱靶等的严重影响产品良率的事件。
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公开(公告)号：CN110828271A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810890130.5
申请日：2018-08-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括基座，承载于基座上的托盘，盖板和内衬，其中，托盘包括用于承载基片的承载位，盖板用于覆盖托盘除承载位之外的区域；内衬环绕设置于反应腔室的侧壁内侧，且内衬上设置有支撑部，支撑部用于当基座自工艺位置下降时，支撑盖板使盖板与托盘分离。本发明提供的反应腔室能够避免工艺气体产生的离子对托盘进行轰击，防止污染物的产生，从而提高预清洗的刻蚀速率和均匀性，使工艺产能和工艺效果提高。
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公开(公告)号：CN115692301B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202110863982.7
申请日：2021-07-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本申请公开一种工艺腔室和晶圆加工方法，工艺腔室包括腔室本体、承载件、内衬体、第一顶针、第二顶针、第一压环、第二压环和旋转支撑件，工艺腔室具有第一工作模式和第二工作模式，在第一工作模式下，第一顶针在第一停止位支撑第一晶圆，承载件上升至工艺位时，使第一压环和第一晶圆依次叠置于承载件上；在第二工作模式下，第二顶针支撑第二晶圆，第一顶针位于第二停止位，旋转支撑件将第二压环置于第一顶针上，承载件上升至工艺位时，使第一压环、第二压环和第二晶圆依次叠置于承载件上。采用上述工艺腔室加工不同尺寸的晶圆时，无需开盖，亦可以工作模式之间相互切换时的工作量相对较小，且对晶圆的加工进度产生的影响相对较小。
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公开(公告)号：CN115692301A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110863982.7
申请日：2021-07-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本申请公开一种工艺腔室和晶圆加工方法，工艺腔室包括腔室本体、承载件、内衬体、第一顶针、第二顶针、第一压环、第二压环和旋转支撑件，工艺腔室具有第一工作模式和第二工作模式，在第一工作模式下，第一顶针在第一停止位支撑第一晶圆，承载件上升至工艺位时，使第一压环和第一晶圆依次叠置于承载件上；在第二工作模式下，第二顶针支撑第二晶圆，第一顶针位于第二停止位，旋转支撑件将第二压环置于第一顶针上，承载件上升至工艺位时，使第一压环、第二压环和第二晶圆依次叠置于承载件上。采用上述工艺腔室加工不同尺寸的晶圆时，无需开盖，亦可以工作模式之间相互切换时的工作量相对较小，且对晶圆的加工进度产生的影响相对较小。
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公开(公告)号：CN110828658A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810896709.2
申请日：2018-08-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器件制备方法和阻变存储器件。包括在沉积有第一电极的衬底上形成含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层；将所述阻变材料层进行退火处理。通过诸如磁控溅射技术等工艺沉积得到包含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层，能够很好地保持材料的化学计量比，通过退火处理改善了所形成的阻变材料层的缺陷状态，提高了阻变存储器件的转变一致性。此外，阻变存储器件具有存储窗口宽、数据保持时间长、耐久性高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110144556A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910294788.4
申请日：2019-04-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/02 , C23C14/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/739
Abstract: 本发明实施例提供一种沟槽中溅射薄膜层填充方法和器件，该方法包括：预先设定用于为待填充沟槽加热的基座温度，采用预设溅射功率向所述待填充沟槽内分层顺序填充溅射薄膜层；在后填充的所述溅射薄膜层才覆盖在在先填充的所述溅射薄膜层的表面；在后填充时采用的所述预设溅射功率与在先填充时采用的所述预设溅射功率不同；各层次薄膜层的厚度总和满足预设薄膜厚度。在对具有高深宽比的沟槽中进行溅射薄膜层填充时，可以在预设的温度下，划分为多个功率等级进行填充。在填充时，可以采用回流和沉积交替的方式，能够有效防止槽口封闭而形成槽内空洞；功率由低到高循序渐进，能够有效避免沟槽底部钉穿失效，保证器件结构完整。
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公开(公告)号：CN112359338B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202011163806.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 宋海洋
Abstract: 本发明公开一种半导体工艺设备，包括反应腔、第一管路、第二管路、晶片承载台、射频装置、测距传感器和控制模块，其中：第一管路和第二管路均与反应腔相连通，第二管路用于通入第二气体，晶片承载台位于反应腔内，晶片承载台的承载面开设有凹槽，测距传感器设置于凹槽内，测距传感器用于测量搭接于凹槽槽口上的晶片的形变量，晶片承载台与射频装置电连接，控制模块与测距传感器控制相连；控制模块用于：从测距传感器获得形变量，并根据形变量控制射频装置输出功率，以控制射频装置对晶片承载台施加射频偏压；或者，根据形变量控制第二气体和第一气体的流量比值。上述方案能够解决晶片的良品率较低的问题。本发明还公开一种晶片的形变控制方法。
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公开(公告)号：CN110965023A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911356970.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化钛薄膜沉积方法，包括：向反应腔室通入工艺气体；向含钛靶材施加直流功率，以激发所述工艺气体形成等离子体，轰击所述含钛靶材，并在晶片上沉积形成氮化钛薄膜；其中，所述工艺气体包括氮气和惰性气体，所述直流功率与所述氮气的流量的比例为一个固定值。应用本发明，可提高含钛靶材原子的离化率，使含钛靶材离子以一定的速度向晶片运动，达到轰击薄膜表面的作用，从而抑制薄膜的立方生长晶向，促进薄膜的斜方生长晶向，继而改变了薄膜物质的内部结构，减少薄膜内部缺陷，可以获得电阻率更低的膜层。
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公开(公告)号：CN110459479A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201810426236.X
申请日：2018-05-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种阻挡层沉积方法、金凸块的底层金属薄膜及其制备方法，该沉积方法用于在底材上形成阻挡层组，包括包括在底材上形成阻挡层组的步骤，该步骤包括：沿远离底材的方向依次沉积至少三层叠置的阻挡层来形成所述阻挡层组；其中，沉积最上层的阻挡层和沉积最下层的阻挡层时所采用的工艺气压低于沉积其余阻挡层时所采用的工艺气压，以提高最上层的所述阻挡层和最下层的所述阻挡层的致密性。本发明提供的阻挡层沉积方法，其可以顺利通过PCT试验，而且无需采用较高的工艺温度，从而可以避免产生TiW靶材脱靶等的严重影响产品良率的事件。
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公开(公告)号：CN112359338A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011163806.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 宋海洋
Abstract: 本发明公开一种半导体工艺设备，包括反应腔、第一管路、第二管路、晶片承载台、射频装置、测距传感器和控制模块，其中：第一管路和第二管路均与反应腔相连通，第二管路用于通入第二气体，晶片承载台位于反应腔内，晶片承载台的承载面开设有凹槽，测距传感器设置于凹槽内，测距传感器用于测量搭接于凹槽槽口上的晶片的形变量，晶片承载台与射频装置电连接，控制模块与测距传感器控制相连；控制模块用于：从测距传感器获得形变量，并根据形变量控制射频装置输出功率，以控制射频装置对晶片承载台施加射频偏压；或者，根据形变量控制第二气体和第一气体的流量比值。上述方案能够解决晶片的良品率较低的问题。本发明还公开一种晶片的形变控制方法。
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