公开(公告)号：CN112201688A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202010864142.8

申请日：2020-08-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 朱利恒 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  覃荣震 ,  王梦洁

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT芯片，包括第一导电类型衬底；若干间隔设置于所述衬底下方且与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区位于以芯片中心为中心的第一预设范围外；在所述第一预设范围外且于第二预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第一预设阈值；在所述第二预设范围外且于第三预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第二预设阈值；在所述第三预设范围外且于所述芯片边缘范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第三预设阈值。不仅解决了逆导型IGBT芯片的初次和二次电压折回现象，还降低了芯片的终端区的注入效率，从而降低了器件的高温漏电流。

公开(公告)号：CN114121946B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010879846.2

申请日：2020-08-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李迪 ,  刘武平 ,  宁旭斌 ,  肖海波 ,  肖强

IPC: H01L27/08 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提供了一种半导体集成芯片和IGBT模块，通过在所述第一半导体器件的第一电极裸露的第一部分上设置第二半导体器件，所述第一半导体器件表面除第一电极外不需要布局其它电极，有利于所述第二半导体器件的位置和电极布局的灵活性设置，包含所述半导体集成芯片的IGBT模块由于温度传感器不需要占用IGBT芯片的元胞区的面积，从而不会引起IGBT芯片电流密度的下降和饱和压降的增加，提高了IGBT模块的性能；而且温度传感器和快速恢复二极管之间的隔离简单，工艺成本低；此外，FRD芯片结温要比IGBT芯片结温高，将温度传感放置在FRD芯片上，避免IGBT芯片超过最高工作结温，引起模块失效。

公开(公告)号：CN114122105B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202010879830.1

申请日：2020-08-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 朱利恒 ,  肖强 ,  覃荣震 ,  罗海辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件，包括从下到上依次设置的阳极区、缓冲区、漂移区、N阱区和P阱区，还包括从上到下贯穿所述N阱区和P阱区且伸入所述漂移区的沟槽栅以及设置在所述漂移区顶部与所述N阱区连接的深P阱区。通过在IGBT器件的漂移区设置与N阱区连接的深P阱区，由于深P阱区处在沟槽栅IGBT非沟道区，可以将沟槽栅氧化层底部的电场峰值转移至深P阱区，使雪崩击穿点远离寄生晶闸管电流通路，进而提升沟槽栅IGBT的安全工作区，提升IGBT器件的性能，结构简单。

公开(公告)号：CN116613156A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310524487.2

申请日：2023-05-10

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  李想 ,  罗海辉 ,  秦光远 ,  王彦刚 ,  肖强 ,  彭勇殿

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L23/485 ,  H01L23/367 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装结构，包括基板以及均布在所述基板上的多个衬板，所述衬板上具有多个金属层。多个所述衬板形成在所述基板上并列分布且彼此并联的多个功能单元，每个所述功能单元均包括两个相对设置的所述衬板，同一个所述功能单元中的两个所述衬板上的所述金属层的布局结构关于所述功能单元的中心中心对称，多个所述功能单元的所述金属层的布局结构以及相对所述基板的布局方位相同。本发明通过设计封装结构中的衬板、芯片的布局，以及改进键合结构和功率端子的结构，能够实现各种功率容量的低电感封装。

公开(公告)号：CN113035950B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201911355591.3

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李迪 ,  宁旭斌 ,  肖强 ,  覃荣震

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种IGBT芯片及其制备方法。该IGBT芯片包括：终端保护区和元胞区；其中，所述元胞区包括IGBT元胞和温度传感区，所述温度传感区包括第一导电类型衬底、位于所述衬底上方的场氧层、于所述场氧层上方并排设置的第一多晶硅层和第二多晶硅层、位于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层上方且彼此隔离的第一电极、第二电极和第三电极；其中，所述第一多晶硅层用于构成正温度系数热敏电阻，所述第二多晶硅层用于构成负温度系数热敏电阻。本公开在将正温度系数热敏电阻(PTC)和负温度系数热敏电阻(NTC)集成在IGBT元胞区内，利用NTC和PTC电阻的串联来放大温度变化产生的电学信号，提高温度检测灵敏度，进一步提升了IGBT芯片的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN114220852A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111536522.X

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  梁利晓 ,  刘葳 ,  管佳宁 ,  覃荣震 ,  何逸涛

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供的栅极总线结构及沟槽栅芯片，所述栅极总线结构包括：形成于第一导电类型的漂移区上方的具有第二导电类型的阱区，阱区与元胞区延伸出的元胞区沟槽相交，且阱区内形成有多条与元胞区沟槽方向成设定角度的栅极总线沟槽，以缓解沟槽栅芯片的翘曲；形成于阱区上方的绝缘层；以及形成于绝缘层上方的栅极信号传导层。通过在阱区内引入了与元胞区沟槽成一定角度的多条栅极总线沟槽，可以有效缓解沟槽栅芯片在加工过程中带来的翘曲，且制备流程与原流程完全兼容，对原有工艺无影响，容易实现。

公开(公告)号：CN113066861A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201911296084.7

申请日：2019-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 罗海辉 ,  姚尧 ,  肖强 ,  肖海波 ,  覃荣震 ,  谭灿健

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提出了一种沟槽栅功率半导体器件及制作方法，该方法包括，在衬底表面形成第一导电类型区域和第二导电类型区域；在衬底表面刻蚀方形沟槽栅极和方形沟槽陪栅，陪栅位于栅极围成的区域内；在衬底表面和沟槽内部形成栅氧；在衬底表面及沟槽内部淀积多晶硅；在栅极围成的区域内表面形成第一导电类型源区；在栅氧表面及沟槽栅围成的区域表面沉积绝缘介质层；刻蚀沟槽栅极与沟槽陪栅之间的部分区域、沟槽陪栅之间的所有区域、沟槽陪栅及其上方的绝缘介质层，在刻蚀的窗口区域形成第二导电类型源区；在刻蚀的窗口内部及衬底表面形成发射极，并将多晶硅通过金属引出形成栅极；在衬底背面形成第一导电类型缓冲层、第二导电类型发射区及集电极。

公开(公告)号：CN113053746A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911374549.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  罗湘 ,  何逸涛 ,  丁杰 ,  刘葳 ,  刘武平 ,  冯宇 ,  卜毅

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/263 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种低压IGBT器件的制备方法，包括如下步骤：S1.在晶圆的正面完成IGBT正面结构；S2.将步骤S1得到的晶圆的背面减薄至第一厚度；S3.在所述步骤S2得到的晶圆的背面形成缓冲层；S4.将步骤S3得到的晶圆的背面减薄至最终厚度；S5.在步骤S4得到的晶圆的背面形成阳极层，在阳极层上沉积金属，形成集电极。本发明在较厚片厚下进行高温过程可避免产生过大翘曲而带来碎片风险，降低碎片率；且从背面进行质子注入可以避免对IGBT的正面结构造成损伤，从而提高产品质量。

公开(公告)号：CN222029076U

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202323480207.7

申请日：2023-12-19

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 时海定 ,  李贵生 ,  常桂钦 ,  肖强 ,  罗海辉 ,  邵钰 ,  刘元剑 ,  何雄辉 ,  陈超

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/367 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07

Abstract: 本实用新型涉及一种电子封装器件及功率模块，涉及半导体封装技术领域。本实用新型的电子封装器件包括用于安装芯片的衬板、包裹在衬板外的塑封体、以及用于连接衬板和外部电器的多个第一端子；第一端子至少部分嵌入塑封体内，第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，以形成接触密封。由于第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，转模时第一连接段与上模腔壁面直接接触，因此无需在塑封模具上为每个PIN针单独配置定位结构；由于在塑封时第一端子的台阶端面与塑封体之间形成接触密封，解决了转模塑封时容易发生环氧树脂外溢的问题。

公开(公告)号：CN221862667U

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202323289112.7

申请日：2023-12-04

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘敏安 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  任亚东 ,  李诚瞻 ,  翟龙

IPC: H02M1/32 ,  H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H03K17/082

Abstract: 本申请提供一种短路保护驱动电路及设备，该电路中，第一碳化硅MOS模块和第二碳化硅MOS模块串联于负载主电路形成半桥电路，电流传感器S1与负载主电路连接，电流传感器S1用于检测负载主电路中位于第一碳化硅MOS模块和第二碳化硅MOS模块之间的电流信号，第一驱动电路和第二驱动电路均与电流传感器S1连接，第一驱动电路与第一碳化硅MOS模块连接，第一驱动电路用于根据电流信号控制第一碳化硅MOS模块的栅极电压，第二驱动电路与第二碳化硅MOS模块连接，第二驱动电路用于根据电流信号控制第二碳化硅MOS模块的栅极电压。本申请具有电路短路保护的效果。