公开(公告)号：CN113053746A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911374549.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  罗湘 ,  何逸涛 ,  丁杰 ,  刘葳 ,  刘武平 ,  冯宇 ,  卜毅

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/263 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种低压IGBT器件的制备方法，包括如下步骤：S1.在晶圆的正面完成IGBT正面结构；S2.将步骤S1得到的晶圆的背面减薄至第一厚度；S3.在所述步骤S2得到的晶圆的背面形成缓冲层；S4.将步骤S3得到的晶圆的背面减薄至最终厚度；S5.在步骤S4得到的晶圆的背面形成阳极层，在阳极层上沉积金属，形成集电极。本发明在较厚片厚下进行高温过程可避免产生过大翘曲而带来碎片风险，降低碎片率；且从背面进行质子注入可以避免对IGBT的正面结构造成损伤，从而提高产品质量。

公开(公告)号：CN113053746B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201911374549.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  罗湘 ,  何逸涛 ,  丁杰 ,  刘葳 ,  刘武平 ,  冯宇 ,  卜毅

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/263 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种低压IGBT器件的制备方法，包括如下步骤：S1.在晶圆的正面完成IGBT正面结构；S2.将步骤S1得到的晶圆的背面减薄至第一厚度；S3.在所述步骤S2得到的晶圆的背面形成缓冲层；S4.将步骤S3得到的晶圆的背面减薄至最终厚度；S5.在步骤S4得到的晶圆的背面形成阳极层，在阳极层上沉积金属，形成集电极。本发明在较厚片厚下进行高温过程可避免产生过大翘曲而带来碎片风险，降低碎片率；且从背面进行质子注入可以避免对IGBT的正面结构造成损伤，从而提高产品质量。

公开(公告)号：CN114005748A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111267168.5

申请日：2021-10-28

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 卜毅 ,  罗湘 ,  曾琪 ,  曾凯 ,  何逸涛 ,  冯宇

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的表面平坦化方法，包括如下步骤，在硅衬底上沉积氧化层和氮化硅；对打开区域进行氧化形成终端区氧化层；沉积硬掩膜层；进行光刻，然后对硬掩膜层进行刻蚀；使用硬掩膜层充当刻蚀阻挡层，进行有源区沟槽刻蚀；去除沟槽内损伤层，然后生长栅氧氧化层；表面淀积多晶硅，多晶硅填充满所有沟槽；进行CMP研磨，实现晶圆表面平坦化；同步刻蚀氮化硅和氧化层，停留在元胞区氧化层上；将元胞区域沟槽内高于硅平面的多晶硅和氧化层进行刻蚀，停留在与硅衬底表面，实现平坦化；本发明避免终端区的多晶硅残留，不需要引入格外工艺去除硬掩膜层，工艺简单，可以准确实现终点信号抓取，实现平坦化效果，保证产品的均一性。

公开(公告)号：CN113035711A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911356279.6

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 姚尧 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  罗湘 ,  何逸涛 ,  丁杰 ,  刘武平 ,  冯宇 ,  卜毅 ,  刘葳

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种低压IGBT器件的制备方法，包括如下步骤：S1.在晶圆的正面完成IGBT正面结构；S2.将步骤S1得到的晶圆的正面进行高能质子注入形成缓冲层；S3.将步骤S2得到的晶圆的背面减薄；S4.在步骤S3得到的晶圆的背面形成阳极层，在阳极层上沉积金属，形成集电极。本发明在背面减薄之后，无需炉管退火等高温工艺，可有效降低薄片的应力及翘曲度，从而大幅降低碎片风险。