-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114121946A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010879846.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成芯片和IGBT模块，通过在所述第一半导体器件的第一电极裸露的第一部分上设置第二半导体器件，所述第一半导体器件表面除第一电极外不需要布局其它电极，有利于所述第二半导体器件的位置和电极布局的灵活性设置，包含所述半导体集成芯片的IGBT模块由于温度传感器不需要占用IGBT芯片的元胞区的面积，从而不会引起IGBT芯片电流密度的下降和饱和压降的增加，提高了IGBT模块的性能；而且温度传感器和快速恢复二极管之间的隔离简单，工艺成本低；此外，FRD芯片结温要比IGBT芯片结温高，将温度传感放置在FRD芯片上，避免IGBT芯片超过最高工作结温，引起模块失效。
-
公开(公告)号：CN114121946B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010879846.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成芯片和IGBT模块，通过在所述第一半导体器件的第一电极裸露的第一部分上设置第二半导体器件，所述第一半导体器件表面除第一电极外不需要布局其它电极，有利于所述第二半导体器件的位置和电极布局的灵活性设置，包含所述半导体集成芯片的IGBT模块由于温度传感器不需要占用IGBT芯片的元胞区的面积，从而不会引起IGBT芯片电流密度的下降和饱和压降的增加，提高了IGBT模块的性能；而且温度传感器和快速恢复二极管之间的隔离简单，工艺成本低；此外，FRD芯片结温要比IGBT芯片结温高，将温度传感放置在FRD芯片上，避免IGBT芯片超过最高工作结温，引起模块失效。
-
公开(公告)号：CN113053746A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911374549.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/263 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种低压IGBT器件的制备方法，包括如下步骤：S1.在晶圆的正面完成IGBT正面结构；S2.将步骤S1得到的晶圆的背面减薄至第一厚度；S3.在所述步骤S2得到的晶圆的背面形成缓冲层；S4.将步骤S3得到的晶圆的背面减薄至最终厚度；S5.在步骤S4得到的晶圆的背面形成阳极层，在阳极层上沉积金属，形成集电极。本发明在较厚片厚下进行高温过程可避免产生过大翘曲而带来碎片风险，降低碎片率；且从背面进行质子注入可以避免对IGBT的正面结构造成损伤，从而提高产品质量。
-
公开(公告)号：CN113053746B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201911374549.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/263 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种低压IGBT器件的制备方法，包括如下步骤：S1.在晶圆的正面完成IGBT正面结构；S2.将步骤S1得到的晶圆的背面减薄至第一厚度；S3.在所述步骤S2得到的晶圆的背面形成缓冲层；S4.将步骤S3得到的晶圆的背面减薄至最终厚度；S5.在步骤S4得到的晶圆的背面形成阳极层，在阳极层上沉积金属，形成集电极。本发明在较厚片厚下进行高温过程可避免产生过大翘曲而带来碎片风险，降低碎片率；且从背面进行质子注入可以避免对IGBT的正面结构造成损伤，从而提高产品质量。
-
公开(公告)号：CN113035711A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911356279.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种低压IGBT器件的制备方法，包括如下步骤：S1.在晶圆的正面完成IGBT正面结构；S2.将步骤S1得到的晶圆的正面进行高能质子注入形成缓冲层；S3.将步骤S2得到的晶圆的背面减薄；S4.在步骤S3得到的晶圆的背面形成阳极层，在阳极层上沉积金属，形成集电极。本发明在背面减薄之后，无需炉管退火等高温工艺，可有效降低薄片的应力及翘曲度，从而大幅降低碎片风险。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.022 seconds)
