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公开(公告)号：CN114695609A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210249461.7
申请日：2018-04-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
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公开(公告)号：CN108447955B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201810216614.1
申请日：2018-03-16
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括衬底、外延结构、台面结构、第一电流阻挡层、电流扩展层、第二电流阻挡层、第一P电极、分布布拉格反射层、第二P电极以及N电极。第一电流阻挡层形成于外延结构的部分表面，电流扩展层包裹第一电流阻挡层，第二电流阻挡层形成于电流扩展层表面且具有图案化的粗糙表面，分布布拉格反射层包裹第一P电极、第二电流阻挡层表面及外延结构侧壁。本发明通过具有图案化的粗糙结构的电流阻挡层，能大大增加电流扩展层与分布布拉格反射层的界面表面积，使分布布拉格反射层入射光散射增强，从而提升芯片亮度。同时，可增强该电流阻挡层与分布布拉格反射层的黏附性，提高结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN105789402B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610325068.6
申请日：2016-05-17
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。
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公开(公告)号：CN108447955A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810216614.1
申请日：2018-03-16
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括衬底、外延结构、台面结构、第一电流阻挡层、电流扩展层、第二电流阻挡层、第一P电极、分布布拉格反射层、第二P电极以及N电极。第一电流阻挡层形成于外延结构的部分表面，电流扩展层包裹第一电流阻挡层，第二电流阻挡层形成于电流扩展层表面且具有图案化的粗糙表面，分布布拉格反射层包裹第一P电极、第二电流阻挡层表面及外延结构侧壁。本发明通过具有图案化的粗糙结构的电流阻挡层，能大大增加电流扩展层与分布布拉格反射层的界面表面积，使分布布拉格反射层入射光散射增强，从而提升芯片亮度。同时，可增强该电流阻挡层与分布布拉格反射层的黏附性，提高结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN105679888A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610081608.0
申请日：2016-02-05
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L33/00 , B23K26/38 , B23K26/402
CPC classification number: H01L33/007 , B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片的制作方法，提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层，其中发光外延层包括N型层、发光层和P型层；采用激光对所述蓝宝石衬底进行多次渐进式隐切，形成一系列隐切图案，所述隐切图案逐渐远离所述蓝宝石衬底的上表面并靠近所述蓝宝石衬底的下表面中心点；沿所述一系列隐切图案进行激光切割并劈裂，得发光二极管芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105226177A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510655970.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0753 , H01L25/50 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13006 , H01L2224/13011 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13082 , H01L2224/14051 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81805 , H01L2225/06513 , H01L2924/12041 , H01L2924/37001 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片，包括：基板；第一半导体层；第二半导体层；局部缺陷区位于部分第二半导体层上，且向下延伸至第一半导体层；第一金属层位于部分第一半导体层上；第二金属层位于部分第二半导体层上；绝缘层，覆盖于第一金属层、第二金属层、第二半导体层以及局部缺陷区的第一半导体层上，绝缘层具有开口结构，分别位于第一金属层和第二金属层上；共晶电极结构，位于具有开口的绝缘层上，在垂直方向从下至上由第一共晶层和第二共晶层组成，在水平方向划分为第一型电极区和第二型电极区。本发明解决习知倒装LED芯片在共晶接合制程中可能发生共晶空洞率过高导致封装不良问题。
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公开(公告)号：CN110088922A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880004805.X
申请日：2018-04-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
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公开(公告)号：CN105226177B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510655970.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0753 , H01L25/50 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13006 , H01L2224/13011 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13082 , H01L2224/14051 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81805 , H01L2225/06513 , H01L2924/12041 , H01L2924/37001 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的共晶电极结构及倒装LED芯片，包括：基板；第一半导体层；第二半导体层；局部缺陷区位于部分第二半导体层上，且向下延伸至第一半导体层；第一金属层位于部分第一半导体层上；第二金属层位于部分第二半导体层上；绝缘层，覆盖于第一金属层、第二金属层、第二半导体层以及局部缺陷区的第一半导体层上，绝缘层具有开口结构，分别位于第一金属层和第二金属层上；共晶电极结构，位于具有开口的绝缘层上，在垂直方向从下至上由第一共晶层和第二共晶层组成，在水平方向划分为第一型电极区和第二型电极区。本发明解决习知倒装LED芯片在共晶接合制程中可能发生共晶空洞率过高导致封装不良问题。
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公开(公告)号：CN105234560B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510635391.9
申请日：2015-09-30
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的切割方法，包括以下工艺步骤：提供一半导体晶圆片及一提供激光的激光器；在所述半导体晶圆片上定义出切割道，并形成掩膜层；所述激光穿过与切割道位置上下对应的掩膜层，用于切割半导体晶圆片，形成半导体芯片；所述用于切割半导体晶圆片的激光为多单元方形激光束，所述掩膜层分为M个区域，每个区域包括N个单元，且每个区域对应一次待方形激光切割。将传统的半导体芯片线性激光切割改为方形激光切割，并且在半导体芯片与方形激光间增设具有若干个区域的掩膜层，每个区域对应一次待方形激光切割，即一次性达成多个芯片单元的切割工艺，增加单位时间产能。
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公开(公告)号：CN105336829A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510625578.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/12 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，包括：基板；外延层，位于所述基板之上，外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构，用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路，提高可靠性。
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