公开(公告)号：CN113990839A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111127348.3

申请日：2016-05-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 羽根田雅希

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN108172562A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711458686.9

申请日：2013-06-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胁山悟 ,  冈本正喜 ,  大冈丰 ,  庄子礼二郎 ,  财前义史 ,  长畑和典 ,  羽根田雅希

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L27/146 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

公开(公告)号：CN114899200A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210388793.3

申请日：2016-05-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 羽根田雅希

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN107534014B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201680023993.1

申请日：2016-05-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 羽根田雅希

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/14 ,  H04N5/369

Abstract: 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN113990838B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202111127293.6

申请日：2016-05-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 羽根田雅希

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN107534014A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680023993.1

申请日：2016-05-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 羽根田雅希

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/14 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/89 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80009 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/05442 ,  H04N5/369

Abstract: 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN113990839B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202111127348.3

申请日：2016-05-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 羽根田雅希

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN114899201A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210389474.4

申请日：2016-05-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 羽根田雅希

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 本公开涉及一种提高了可靠性的半导体装置、光检测装置和车辆传感器。该半导体装置包括：传感器基板，其包括光电二极管、晶体管和第一配线层；和电路基板，其包括信号处理电路和第二配线层，传感器基板层叠在电路基板上，其中，第一配线层包括第一连接焊盘和第一绝缘膜，第二配线层包括第二连接焊垫和第二绝缘膜，第一阻挡金属的第一部分与第二连接焊垫的第一部分接触，第一连接焊垫的第一部分与第二连接焊垫的第二部分接触，第一连接焊垫的第二部分与阻挡膜的第一部分接触，第一阻挡金属的第二部分与阻挡膜的第二部分接触，且第一阻挡金属的第一部分和第一阻挡金属的第二部分在第一连接焊垫的相对侧。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN113990838A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111127293.6

申请日：2016-05-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 羽根田雅希

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN108091564A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711458678.4

申请日：2013-06-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 胁山悟 ,  冈本正喜 ,  大冈丰 ,  庄子礼二郎 ,  财前义史 ,  长畑和典 ,  羽根田雅希

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。