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公开(公告)号：CN113939177B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202111445518.2
申请日：2021-11-30
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H05K13/00
Abstract: 本发明公开了一种LCP柔性基板曲面成形装置及方法，LCP柔性基板曲面成形装置包括：成形底座，成形底座上端面开设有安装槽；正反丝杠，正反丝杠转动安装于安装槽内；角度滑块，角度滑块设有两个，一个角度滑块的一侧与正向螺纹段通过第一传动螺纹连接、相对的另一侧与成形底座上端面转动连接，另一个角度滑块的一侧与反向螺纹段通过第二传动螺纹连接、相对的另一侧与成形底座上端面转动连接；平移滑块，每个角度滑块上均滑动设有一个平移滑块。本发明中的LCP柔性基板曲面成形装置，结构简单可靠，使用方便，不仅能够实现LCP基板的曲面成形，而且对LCP基板曲面成形进行了参数量化，提高了批量生产的一致性。
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公开(公告)号：CN115347061A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210985706.2
申请日：2022-08-17
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/08
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装领域，特别是涉及一种异面正对圆电极高耐压碳化硅光导开关。本发明所提供的光导开关包括碳化硅半绝缘晶片、输入电极和输出电极。输入电极和输出电极在晶片两侧呈异面正对设置，在电极周围分别设置有多个不同直径的同心圆环形槽体，圆环形槽体上面有钝化层。本发明通过圆环形槽体的设置，延长了输入电极和输出电极在晶片表面的沿边距离，大大降低了晶片沿边闪络击穿风险，降低电极边缘场强，并通过将电极正对设置，提高了电场均匀性，避免导通瞬间电场畸变，从而提升了光导开关的耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN112802821B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110056695.5
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/373 , H01L23/552 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种双面多层布线的铝基转接板，包括铝硅基板、薄膜布线绝缘层、BCB薄膜布线层、第三薄膜金属布线层及LCP基板，BCB薄膜布线层及LCP基板分别设置于铝硅基板的两侧，采用高导热铝硅材料作为转接板衬底，将BCB薄膜布线层与LCP基板进行集成，可同时实现正面高密度布线与反面的射频微波传输功能，并利用垂直互连通柱实现信号的上下传输，并于金属基铝硅高导热衬底上设置基板埋置腔，用于贴装LCP基板，可实现射频微波的散热与自屏蔽功能，适用于各种复杂系统的多功能的多层布线转接板制作。
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公开(公告)号：CN111372395B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010324852.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于多层LCP电路板的微波导制备方法及微波导，包括：对多层LCP电路板进行光刻或选择确定目标多层LCP电路板，所述目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面和最后一层LCP电路板的下表面的具有第一金属层；将第二层LCP电路板的下表面以及第三层LCP电路板的上下两表面附上半固化片；将第二层LCP电路板和第三层LCP电路板切割出一个空腔；将第二层LCP电路板和第三层LCP电路板进行层压键合；对第二层LCP电路板和第三层LCP电路板的由所述空腔形成的侧壁上形成第二金属层；将多层LCP电路板堆叠层压键合。本发明中各层LCP电路板的加工可以并行进行，最后进行层压组成形成完整的矩形微波导，加工时间大为缩短。
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公开(公告)号：CN114698267A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110908257.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种LCP多层柔性电路板曲面成型方法，包括：根据共形平台加工第一底座，第一底座具有小于共形平台弯曲角度的成型曲面，第一底座上设置有第一压块，第一压块的凸头与第一底座的弯曲弧度相匹配；将平面LCP多层基板放置于第一底座上，压上第一压块，保温后取出；加工第二底座，第二底座具有大于第一底座弯曲角度的成型曲面，第二底座上设置有第二压块；将弯曲LCP多层基板放置于第二底座上，压上第二压块，保温后取出。每次对底座可增加5°～15°，通过多次阶梯递进弯曲角度实现最终所述LCP多层基板的弯曲成型。本发明能够有效降低LCP多层基板一次弯曲成型过程中应力过大导致的与平台不贴合，有效降低基板弯曲应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111628263B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010503677.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形三维微波导制造方法及微波导，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽对多层LCP电路板进行切割至第一金属层生成内腔体；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压，另一LCP电路板封盖内腔体的下侧面具有第二金属层。本发明中两个金属侧壁，由层压后的LCP多层板激光加工沟槽后，精密电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长，工艺复杂的问题。
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公开(公告)号：CN112928099A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110175993.6
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种基于铝硅合金的BGA互连载体，包括铝硅基板、金属层和锡层，铝硅基板于电气互连处加工有若干通柱，通柱与铝硅基板之间具有将通柱与铝硅基板隔离的环形通槽，环形通槽内填充有绝缘浆料，金属层包括上金属层和下金属层，上金属层从下至上依次包括第一镍层、第一金层，下金属层从上至下依次包括第二镍层、第二金层，锡层覆于上金属层和/或下金属层上，锡层和第一金层和/或第二金层形成阵列式的金锡焊料焊盘，金锡焊料焊盘上用于贴装元器件，以铝硅合金作为基板，具有与芯片热膨胀系数匹配、热传导率高和密度低的优点，预制金锡焊盘的BGA互连载体提高了芯片的封装效率，可广泛用于铝硅封装的微波组件。
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公开(公告)号：CN112820721A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110056692.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/00
Abstract: 本发明公开了一种集成封装天线，包括至少一个半导体芯片及由上至下依次层压的天线模块基板、铝硅转接板及射频模块基板，天线模块基板包括天线层LCP基体及分别设于天线层LCP基体的顶面和底面的天线图形层和天线接地层，射频模块基板包括射频层LCP基体及分别设于射频层LCP基体的顶面和底面的射频接地层和射频传输布线层，本发明通过低介电常数、低吸湿率、高频稳定性好、损耗低的LCP基板进行天线和射频模块的布线，解决常用转接板散热相对较差、不可作为机械支撑的问题，相比传统的硅转接板或LTCC基板，可以降低成本，并提高散热，同时，本发明完成基板和壳体的集成，实现基板和壳体的结构功能一体化，获得天线模块与射频模块的集成、小型化、轻量化封装。
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公开(公告)号：CN112820694A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110056690.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/02 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种芯片屏蔽与气密封装方法，在铝硅基板的芯片埋置处加工芯片埋置槽，并将芯片贴装于芯片埋置槽内，再将多层LCP基板根据电路进行光刻，多层LCP基板层压形成气密盖板，最后将气密盖板和贴装有芯片的铝硅转接板进行层压，通过高频、稳定性好、损耗低且气密的LCP基板进行布线和气密，使用铝硅转接板进行散热和芯片屏蔽，通过将裸芯片埋置于铝硅材料内，以LCP基板进行电性能传输的同时对裸芯片进行气密，相比铝硅壳体与铝合金气密封焊的方法，不仅可提高芯片的散热性能，同时通过铝硅金属腔体对芯片进行屏蔽保护，还可提高组件的集成度，降低组件体积和质量。
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公开(公告)号：CN112002769A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010844638.9
申请日：2020-08-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种耐高压光导开关，包括碳化硅衬底及两个电极柱，碳化硅衬底包括相对的第一表面和第二表面，两个电极柱分别对称设置于碳化硅衬底的第一表面和第二表面上，碳化硅衬底的第一表面和第二表面上还分别键合有环绕电极柱的绝缘介质层，通过在碳化硅晶片的上下表面键合介电常数与其相近的绝缘材料，降低电极边缘场强，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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