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公开(公告)号：CN111952707A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010503676.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形微同轴射频传输线制造方法及传输线，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面具有第一金属区域，下表面具有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽与第一金属区域之间的目标多层LCP电路板进行切割形成支撑体和内腔体，用支撑用于支撑第一金属区域；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压。本发明中金属侧壁，由层压后的多层板激光加工沟槽后，电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长的问题。
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公开(公告)号：CN114384399A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210004724.8
申请日：2022-01-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种测试功率放大器芯片结温的方法，包括如下步骤：搭建测试平台，将T/R组件或者功率放大器固定在测试平台上，设置测试平台的测试参数；测试，在结温的极限值范围内，设置测试平台中的脉冲频率后，分别测试每个状态下功率放大器芯片的结温和输出功率顶降值；生成曲线图，获取结温和输出功率顶降值，生成描绘顶降值与结温关系的曲线图；获取一T/R组件输出的顶降值，根据顶降值与芯片结温的关系曲线图查找该T/R组件对应功率放大器芯片的结温。本发明提供的测试功率放大器芯片结温的方法，能够解决目前现有测试芯片结温繁琐、测试设备要求高等不足的问题。
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公开(公告)号：CN113179606A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110470654.0
申请日：2021-04-28
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种低剖面TR组件，包括管壳、接口电路、LTCC基板、芯片电路、隔墙、内盖板以及外盖板；所述接口电路设置在所述管壳的两侧面上，所述LTCC基板设置在所述管壳的内侧面上；所述芯片电路和所述隔墙设置在LTCC基板上；所述内盖板设置在所述隔墙上；外盖板与所述管壳上端面连接，与所述管壳形成封闭腔体；LTCC基板、芯片电路、隔墙以及内盖板设置在封闭腔体内，管壳的内侧面和LTCC基板的接触面制作材料热膨胀系数小于预设置的系数阈值。本发明通过使用梯度铝硅管壳材料解决了管壳和外盖板热膨胀系数匹配问题，同时通过金丝键合、软金包焊等工艺实现信号传输软连接，提高了组件的可靠性，可广泛引用于空间飞行器领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111628263A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010503677.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形三维微波导制造方法及微波导，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽对多层LCP电路板进行切割至第一金属层生成内腔体；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压，另一LCP电路板封盖内腔体的下侧面具有第二金属层。本发明中两个金属侧壁，由层压后的LCP多层板激光加工沟槽后，精密电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长，工艺复杂的问题。
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公开(公告)号：CN111628263B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010503677.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形三维微波导制造方法及微波导，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽对多层LCP电路板进行切割至第一金属层生成内腔体；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压，另一LCP电路板封盖内腔体的下侧面具有第二金属层。本发明中两个金属侧壁，由层压后的LCP多层板激光加工沟槽后，精密电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长，工艺复杂的问题。
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公开(公告)号：CN111952707B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010503676.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形微同轴射频传输线制造方法及传输线，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面具有第一金属区域，下表面具有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽与第一金属区域之间的目标多层LCP电路板进行切割形成支撑体和内腔体，用支撑用于支撑第一金属区域；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压。本发明中金属侧壁，由层压后的多层板激光加工沟槽后，电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长的问题。
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公开(公告)号：CN221977873U
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202420518718.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/56
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种用于固化S i C晶片和S iO2晶片的对位夹具，包括：夹具底座，包括通过第一连接件相接的固定底座和限位座；水平滑块组件，设于所述固定底座上方并通过第一压合件与所述固定底座相接；晶片放置槽，设于所述水平滑块组件上端面；三轴固定装置，可调节设于所述水平滑块组件上，用于对晶片进行X、Y、Z三个方向的限位；旋转移动螺栓，贯穿所述限位座穿设于所述水平滑块组件中，用于对晶片进行X方向的限位调节，所述旋转移动螺栓由所述限位座限位。本实用新型中设有三轴固定装置，可以使碳化硅晶片和二氧化硅晶片在固化时保证X、Y、Z三个方向位置相互固定，不会产生微小位移。
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公开(公告)号：CN221951615U
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202420508331.5
申请日：2024-03-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: B05C13/02
Abstract: 本实用新型提供了一种用于微波组件射频玻璃绝缘子涂胶夹持装置，包括：套筒限位器、花心夹、弹性件和套筒，沿套筒限位器周向设有限位凸缘，套筒限位器在限位凸缘的一侧轴向延伸，依次具有第一轴段和第二轴段，第一轴段的直径大于第二轴段；花心夹的第一端与套筒限位器固定，花心夹的第二端端面沿轴向设有向套筒限位器延伸的凹槽；弹性件套设在第二轴段和花心夹靠近第二轴段的部分上；限位凸缘的直径大于套筒的直径，套筒套设在第一轴段、第二轴段、弹性件和花心夹上；花心夹全部位于套筒内状态时，套筒与花心夹的第二端配合，花心夹的第二端收缩变形夹紧金属杆芯。本实用新型可有效提升微波组件射频玻璃绝缘子涂胶效率和质量。
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