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公开(公告)号：CN112820721B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110056692.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/00
Abstract: 本发明公开了一种集成封装天线，包括至少一个半导体芯片及由上至下依次层压的天线模块基板、铝硅转接板及射频模块基板，天线模块基板包括天线层LCP基体及分别设于天线层LCP基体的顶面和底面的天线图形层和天线接地层，射频模块基板包括射频层LCP基体及分别设于射频层LCP基体的顶面和底面的射频接地层和射频传输布线层，本发明通过低介电常数、低吸湿率、高频稳定性好、损耗低的LCP基板进行天线和射频模块的布线，解决常用转接板散热相对较差、不可作为机械支撑的问题，相比传统的硅转接板或LTCC基板，可以降低成本，并提高散热，同时，本发明完成基板和壳体的集成，实现基板和壳体的结构功能一体化，获得天线模块与射频模块的集成、小型化、轻量化封装。
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公开(公告)号：CN112802809B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110055168.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/538 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L21/768 , H01Q1/22
Abstract: 本发明公开了一种硅铝合金封装基板及其制备方法，该硅铝合金封装基板的基体材料为硅铝合金，所述封装基板上设有曲面天线共型贴装平台、微波信号屏蔽腔体以及平面转接板，所述曲面天线共型贴装平台用于天线共型贴装，所述微波信号屏蔽腔体用于微波信号电路集成，所述封装基板为垂直互连封装基板。本发明提供的硅铝合金封装基板将转接板、微波屏蔽腔体、曲面天线共型贴装平台集中在封装基板上，实现了结构一体成型、一致性，简化了硅铝合金封装基板制备工序，结构强度高，同时实现了结构与功能一体化。本发明还提供了该封装基板的制造方法，该方法相对于传统封装基板制备工艺具有可操作性强，耗时短，成本低，可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN113990763A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111261660.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种基于精密电铸技术的芯片封装方法。包括以下步骤：先选择一基板并前处理，表面金属化；接着根据电路版图，在基板上芯片键合区域预制焊料；再根据电路版图，制作芯片埋置掩膜，精密电铸芯片埋置腔体；最后芯片键合、布线互连。本发明以精密电铸技术实现芯片封装位置与深度的精确控制，定位精度高,腔体尺寸与芯片尺寸匹配,并且埋置腔体底部预制焊料，有效解决芯片在不同材料基板内的低成本、高精度、高效率封装问题。
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公开(公告)号：CN111081674A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010002829.0
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/373 , H01L23/14 , H01L21/48 , B22F7/08
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金转接板及其制备方法，该转接板包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。采用本发明提供的方法制备的转接板结合界面牢固、可靠、气密性好，由于盲孔中心连接柱本身具备导电性，可直接用于电气互联，可省去通孔金属化过程，简化了转接板制备工艺流程，降低了转接板制备的时间和成本。
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公开(公告)号：CN114698267B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110908257.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种LCP多层柔性电路板曲面成型方法，包括：根据共形平台加工第一底座，第一底座具有小于共形平台弯曲角度的成型曲面，第一底座上设置有第一压块，第一压块的凸头与第一底座的弯曲弧度相匹配；将平面LCP多层基板放置于第一底座上，压上第一压块，保温后取出；加工第二底座，第二底座具有大于第一底座弯曲角度的成型曲面，第二底座上设置有第二压块；将弯曲LCP多层基板放置于第二底座上，压上第二压块，保温后取出。每次对底座可增加5°～15°，通过多次阶梯递进弯曲角度实现最终所述LCP多层基板的弯曲成型。本发明能够有效降低LCP多层基板一次弯曲成型过程中应力过大导致的与平台不贴合，有效降低基板弯曲应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112820694B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110056690.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/02 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种芯片屏蔽与气密封装方法，在铝硅基板的芯片埋置处加工芯片埋置槽，并将芯片贴装于芯片埋置槽内，再将多层LCP基板根据电路进行光刻，多层LCP基板层压形成气密盖板，最后将气密盖板和贴装有芯片的铝硅转接板进行层压，通过高频、稳定性好、损耗低且气密的LCP基板进行布线和气密，使用铝硅转接板进行散热和芯片屏蔽，通过将裸芯片埋置于铝硅材料内，以LCP基板进行电性能传输的同时对裸芯片进行气密，相比铝硅壳体与铝合金气密封焊的方法，不仅可提高芯片的散热性能，同时通过铝硅金属腔体对芯片进行屏蔽保护，还可提高组件的集成度，降低组件体积和质量。
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公开(公告)号：CN111081674B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010002829.0
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/373 , H01L23/14 , H01L21/48 , B22F7/08
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金转接板及其制备方法，该转接板包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。采用本发明提供的方法制备的转接板结合界面牢固、可靠、气密性好，由于盲孔中心连接柱本身具备导电性，可直接用于电气互联，可省去通孔金属化过程，简化了转接板制备工艺流程，降低了转接板制备的时间和成本。
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公开(公告)号：CN112928099B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110175993.6
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种基于铝硅合金的BGA互连载体，包括铝硅基板、金属层和锡层，铝硅基板于电气互连处加工有若干通柱，通柱与铝硅基板之间具有将通柱与铝硅基板隔离的环形通槽，环形通槽内填充有绝缘浆料，金属层包括上金属层和下金属层，上金属层从下至上依次包括第一镍层、第一金层，下金属层从上至下依次包括第二镍层、第二金层，锡层覆于上金属层和/或下金属层上，锡层和第一金层和/或第二金层形成阵列式的金锡焊料焊盘，金锡焊料焊盘上用于贴装元器件，以铝硅合金作为基板，具有与芯片热膨胀系数匹配、热传导率高和密度低的优点，预制金锡焊盘的BGA互连载体提高了芯片的封装效率，可广泛用于铝硅封装的微波组件。
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公开(公告)号：CN112802820B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110055167.8
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了基于硅铝合金垂直互连封装基板和LCP重布线的三维封装结构及制备方法，该三维封装结构包括三维封装结构包含硅铝合金垂直互连封装基板、LCP气密键合层、LCP重布线层，硅铝合金垂直互连封装基板至少包括第一硅铝合金垂直互连封装基板、第二硅铝合金垂直互连封装基板；第一硅铝合金垂直互连封装基板和第二硅铝合金垂直互连封装基板之间通过LCP气密键合层热压键合形成互连及气密腔体，气密腔体内的第一、第二硅铝合金垂直互连封装基板表面通过热压键合LCP重布线层；三维封装结构的上表面和底部分别热压键合LCP重布线层。采用热压键合的方法将硅铝合金和LCP材料结合在一起，制备了三维封装结构，可满足微电子封装小型化、高性能、多功能的需求。
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公开(公告)号：CN112802820A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110055167.8
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了基于硅铝合金垂直互连封装基板和LCP重布线的三维封装结构及制备方法，该三维封装结构包括三维封装结构包含硅铝合金垂直互连封装基板、LCP气密键合层、LCP重布线层，硅铝合金垂直互连封装基板至少包括第一硅铝合金垂直互连封装基板、第二硅铝合金垂直互连封装基板；第一硅铝合金垂直互连封装基板和第二硅铝合金垂直互连封装基板之间通过LCP气密键合层热压键合形成互连及气密腔体，气密腔体内的第一、第二硅铝合金垂直互连封装基板表面通过热压键合LCP重布线层；三维封装结构的上表面和底部分别热压键合LCP重布线层。采用热压键合的方法将硅铝合金和LCP材料结合在一起，制备了三维封装结构，可满足微电子封装小型化、高性能、多功能的需求。
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