公开(公告)号：CN112820784A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011332444.7

申请日：2020-11-24

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 姚崇斌 ,  袁涛 ,  尚吉扬 ,  罗燕 ,  王立春 ,  李培 ,  丁海洋

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/024 ,  H01L31/02 ,  H01L31/08 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明公开了一种垂直背入射同面电极高功率光导开关，该光导开关包括：半导体晶片、设于半导体晶片正面的输入电极、输出电极；输入电极与输出电极之间间隔设置，并且相邻边之间相互交错形成交指结构，交指结构为光导开关的赋形照射感光区。本发明通过输入电极与输出电极相邻边之间相互交错形成交指结构，延长了电极之间的接触长度，从而有效降低了光导开关的导通电阻其中，输入电极与所述输出电极可以并排设置，也可以呈环形设置，环形设置的方式在交指结构的基础上再次延长电极之间的接触长度，进一步降低光导开关的导通电阻，大大提高了光导开关的性能。

公开(公告)号：CN112820784B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202011332444.7

申请日：2020-11-24

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 姚崇斌 ,  袁涛 ,  尚吉扬 ,  罗燕 ,  王立春 ,  李培 ,  丁海洋

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/024 ,  H01L31/02 ,  H01L31/08 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明公开了一种垂直背入射同面电极高功率光导开关，该光导开关包括：半导体晶片、设于半导体晶片正面的输入电极、输出电极；输入电极与输出电极之间间隔设置，并且相邻边之间相互交错形成交指结构，交指结构为光导开关的赋形照射感光区。本发明通过输入电极与输出电极相邻边之间相互交错形成交指结构，延长了电极之间的接触长度，从而有效降低了光导开关的导通电阻其中，输入电极与所述输出电极可以并排设置，也可以呈环形设置，环形设置的方式在交指结构的基础上再次延长电极之间的接触长度，进一步降低光导开关的导通电阻，大大提高了光导开关的性能。

公开(公告)号：CN115347061A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210985706.2

申请日：2022-08-17

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 丁蕾 ,  罗燕 ,  丁海洋 ,  袁涛 ,  周义 ,  姚崇斌 ,  王立春

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/08

Abstract: 本发明涉及半导体器件封装领域，特别是涉及一种异面正对圆电极高耐压碳化硅光导开关。本发明所提供的光导开关包括碳化硅半绝缘晶片、输入电极和输出电极。输入电极和输出电极在晶片两侧呈异面正对设置，在电极周围分别设置有多个不同直径的同心圆环形槽体，圆环形槽体上面有钝化层。本发明通过圆环形槽体的设置，延长了输入电极和输出电极在晶片表面的沿边距离，大大降低了晶片沿边闪络击穿风险，降低电极边缘场强，并通过将电极正对设置，提高了电场均匀性，避免导通瞬间电场畸变，从而提升了光导开关的耐压能力及可靠性。

公开(公告)号：CN115347061B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202210985706.2

申请日：2022-08-17

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 丁蕾 ,  罗燕 ,  丁海洋 ,  袁涛 ,  周义 ,  姚崇斌 ,  王立春

IPC: H10F77/40 ,  H10F77/20 ,  H10F77/1226 ,  H10F30/10

Abstract: 本发明涉及半导体器件封装领域，特别是涉及一种异面正对圆电极高耐压碳化硅光导开关。本发明所提供的光导开关包括碳化硅半绝缘晶片、输入电极和输出电极。输入电极和输出电极在晶片两侧呈异面正对设置，在电极周围分别设置有多个不同直径的同心圆环形槽体，圆环形槽体上面有钝化层。本发明通过圆环形槽体的设置，延长了输入电极和输出电极在晶片表面的沿边距离，大大降低了晶片沿边闪络击穿风险，降低电极边缘场强，并通过将电极正对设置，提高了电场均匀性，避免导通瞬间电场畸变，从而提升了光导开关的耐压能力及可靠性。