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公开(公告)号：CN118867820B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410898552.2
申请日：2024-07-05
Applicant: 北京镭梦光电科技有限公司 , 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本说明书公开了一种应用于微波系统的电光调制组件及高能微波发射系统，涉及微波技术领域。其中，第一调制晶体的第一表面、第二表面以及第一近端端面、第一远端端面分别相对。第二调制晶体与之类似，且第二调制晶体的第三表面垂直于该第一表面。沿微波通路依次设置有微波信号发生器、微波连接件、镀在第一表面与第二表面外的行波电极、微波连接件、连接线、微波连接件、镀在第三表面与第三表面外的行波电极、微波连接件、匹配电阻。第一远端端面与该第二近端端面相对，使高能脉冲激光能穿过第一调制晶体与第二调制晶体，在该过程中被调制为调制脉冲簇激光。可见，电光调制组件能够直接对高能脉冲激光进行调制，可在调制前进行对激光的放大。
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公开(公告)号：CN116299845B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310136894.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种光波导与碳化硅小尺寸界面异质键合方法，包括：选择SiC晶片，在SiC晶片上制备SiO2钝化层；在所述SiC晶片侧边连接SiO2光波导,所述SiO2光波导进光的一侧镀空气与SiO2增透膜，与SiC晶片连接的一侧镀SiO2与SiC增透膜；将SiO2光波导与SiC晶片进行对位；通过SiO2光波导对SiC晶片相对的两侧同时加热且施加压力，以键合SiO2光波导；通过热压实现SiC上SiO2钝化层与增透膜上SiO2的原子间扩散互连。本发明能解决小尺寸半导体界面异质键合问题，提高了半导体器件的耐击穿强度。
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公开(公告)号：CN112002769A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010844638.9
申请日：2020-08-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种耐高压光导开关，包括碳化硅衬底及两个电极柱，碳化硅衬底包括相对的第一表面和第二表面，两个电极柱分别对称设置于碳化硅衬底的第一表面和第二表面上，碳化硅衬底的第一表面和第二表面上还分别键合有环绕电极柱的绝缘介质层，通过在碳化硅晶片的上下表面键合介电常数与其相近的绝缘材料，降低电极边缘场强，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112820784A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011332444.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/02 , H01L31/08 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种垂直背入射同面电极高功率光导开关，该光导开关包括：半导体晶片、设于半导体晶片正面的输入电极、输出电极；输入电极与输出电极之间间隔设置，并且相邻边之间相互交错形成交指结构，交指结构为光导开关的赋形照射感光区。本发明通过输入电极与输出电极相邻边之间相互交错形成交指结构，延长了电极之间的接触长度，从而有效降低了光导开关的导通电阻其中，输入电极与所述输出电极可以并排设置，也可以呈环形设置，环形设置的方式在交指结构的基础上再次延长电极之间的接触长度，进一步降低光导开关的导通电阻，大大提高了光导开关的性能。
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公开(公告)号：CN118867820A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410898552.2
申请日：2024-07-05
Applicant: 北京镭梦光电科技有限公司 , 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本说明书公开了一种应用于微波系统的电光调制组件及高能微波发射系统，涉及微波技术领域。其中，第一调制晶体的第一表面、第二表面以及第一近端端面、第一远端端面分别相对。第二调制晶体与之类似，且第二调制晶体的第三表面垂直于该第一表面。沿微波通路依次设置有微波信号发生器、微波连接件、镀在第一表面与第二表面外的行波电极、微波连接件、连接线、微波连接件、镀在第三表面与第三表面外的行波电极、微波连接件、匹配电阻。第一远端端面与该第二近端端面相对，使高能脉冲激光能穿过第一调制晶体与第二调制晶体，在该过程中被调制为调制脉冲簇激光。可见，电光调制组件能够直接对高能脉冲激光进行调制，可在调制前进行对激光的放大。
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公开(公告)号：CN116299845A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310136894.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种光波导与碳化硅小尺寸界面异质键合方法，包括：选择SiC晶片，在SiC晶片上制备SiO2钝化层；在所述SiC晶片侧边连接SiO2光波导,所述SiO2光波导进光的一侧镀空气与SiO2增透膜，与SiC晶片连接的一侧镀SiO2与SiC增透膜；将SiO2光波导与SiC晶片进行对位；通过SiO2光波导对SiC晶片相对的两侧同时加热且施加压力，以键合SiO2光波导；通过热压实现SiC上SiO2钝化层与增透膜上SiO2的原子间扩散互连。本发明能解决小尺寸半导体界面异质键合问题，提高了半导体器件的耐击穿强度。
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公开(公告)号：CN112820784B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202011332444.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/02 , H01L31/08 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种垂直背入射同面电极高功率光导开关，该光导开关包括：半导体晶片、设于半导体晶片正面的输入电极、输出电极；输入电极与输出电极之间间隔设置，并且相邻边之间相互交错形成交指结构，交指结构为光导开关的赋形照射感光区。本发明通过输入电极与输出电极相邻边之间相互交错形成交指结构，延长了电极之间的接触长度，从而有效降低了光导开关的导通电阻其中，输入电极与所述输出电极可以并排设置，也可以呈环形设置，环形设置的方式在交指结构的基础上再次延长电极之间的接触长度，进一步降低光导开关的导通电阻，大大提高了光导开关的性能。
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公开(公告)号：CN112002769B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010844638.9
申请日：2020-08-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种耐高压光导开关，包括碳化硅衬底及两个电极柱，碳化硅衬底包括相对的第一表面和第二表面，两个电极柱分别对称设置于碳化硅衬底的第一表面和第二表面上，碳化硅衬底的第一表面和第二表面上还分别键合有环绕电极柱的绝缘介质层，通过在碳化硅晶片的上下表面键合介电常数与其相近的绝缘材料，降低电极边缘场强，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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