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公开(公告)号：CN112820784A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011332444.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/02 , H01L31/08 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种垂直背入射同面电极高功率光导开关，该光导开关包括：半导体晶片、设于半导体晶片正面的输入电极、输出电极；输入电极与输出电极之间间隔设置，并且相邻边之间相互交错形成交指结构，交指结构为光导开关的赋形照射感光区。本发明通过输入电极与输出电极相邻边之间相互交错形成交指结构，延长了电极之间的接触长度，从而有效降低了光导开关的导通电阻其中，输入电极与所述输出电极可以并排设置，也可以呈环形设置，环形设置的方式在交指结构的基础上再次延长电极之间的接触长度，进一步降低光导开关的导通电阻，大大提高了光导开关的性能。
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公开(公告)号：CN115347061B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210985706.2
申请日：2022-08-17
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H10F77/40 , H10F77/20 , H10F77/1226 , H10F30/10
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装领域，特别是涉及一种异面正对圆电极高耐压碳化硅光导开关。本发明所提供的光导开关包括碳化硅半绝缘晶片、输入电极和输出电极。输入电极和输出电极在晶片两侧呈异面正对设置，在电极周围分别设置有多个不同直径的同心圆环形槽体，圆环形槽体上面有钝化层。本发明通过圆环形槽体的设置，延长了输入电极和输出电极在晶片表面的沿边距离，大大降低了晶片沿边闪络击穿风险，降低电极边缘场强，并通过将电极正对设置，提高了电场均匀性，避免导通瞬间电场畸变，从而提升了光导开关的耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN112002770B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010843478.6
申请日：2020-08-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电极预置焊料的光导开关，包括碳化硅衬底及两个电极，两个电极设置于碳化硅衬底的第一表面和或第二表面上，电极包括依次堆叠的Ni层、TiW层、Pt层、第一Au层、第二Au层及Sn层，且Ni层位于靠近碳化硅衬底一侧，其中第二Au层和Sn层形成共晶焊料层，传统的焊料片熔化焊接方式存在着放置精度差，焊料片较厚，焊接后易形成凸起导致电荷集中，通过在电极上预置焊料膜层的方式可精准控制焊料定位，同时可有效控制焊料厚度及形状，提高光导开关的电极连接可靠性，从而提升光导开关的耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN115347061A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210985706.2
申请日：2022-08-17
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/08
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装领域，特别是涉及一种异面正对圆电极高耐压碳化硅光导开关。本发明所提供的光导开关包括碳化硅半绝缘晶片、输入电极和输出电极。输入电极和输出电极在晶片两侧呈异面正对设置，在电极周围分别设置有多个不同直径的同心圆环形槽体，圆环形槽体上面有钝化层。本发明通过圆环形槽体的设置，延长了输入电极和输出电极在晶片表面的沿边距离，大大降低了晶片沿边闪络击穿风险，降低电极边缘场强，并通过将电极正对设置，提高了电场均匀性，避免导通瞬间电场畸变，从而提升了光导开关的耐压能力及可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118867820B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202410898552.2
申请日：2024-07-05
Applicant: 北京镭梦光电科技有限公司 , 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本说明书公开了一种应用于微波系统的电光调制组件及高能微波发射系统，涉及微波技术领域。其中，第一调制晶体的第一表面、第二表面以及第一近端端面、第一远端端面分别相对。第二调制晶体与之类似，且第二调制晶体的第三表面垂直于该第一表面。沿微波通路依次设置有微波信号发生器、微波连接件、镀在第一表面与第二表面外的行波电极、微波连接件、连接线、微波连接件、镀在第三表面与第三表面外的行波电极、微波连接件、匹配电阻。第一远端端面与该第二近端端面相对，使高能脉冲激光能穿过第一调制晶体与第二调制晶体，在该过程中被调制为调制脉冲簇激光。可见，电光调制组件能够直接对高能脉冲激光进行调制，可在调制前进行对激光的放大。
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公开(公告)号：CN112002770A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010843478.6
申请日：2020-08-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电极预置焊料的光导开关，包括碳化硅衬底及两个电极，两个电极设置于碳化硅衬底的第一表面和或第二表面上，电极包括依次堆叠的Ni层、TiW层、Pt层、第一Au层、第二Au层及Sn层，且Ni层位于靠近碳化硅衬底一侧，其中第二Au层和Sn层形成共晶焊料层，传统的焊料片熔化焊接方式存在着放置精度差，焊料片较厚，焊接后易形成凸起导致电荷集中，通过在电极上预置焊料膜层的方式可精准控制焊料定位，同时可有效控制焊料厚度及形状，提高光导开关的电极连接可靠性，从而提升光导开关的耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN118867820A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410898552.2
申请日：2024-07-05
Applicant: 北京镭梦光电科技有限公司 , 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本说明书公开了一种应用于微波系统的电光调制组件及高能微波发射系统，涉及微波技术领域。其中，第一调制晶体的第一表面、第二表面以及第一近端端面、第一远端端面分别相对。第二调制晶体与之类似，且第二调制晶体的第三表面垂直于该第一表面。沿微波通路依次设置有微波信号发生器、微波连接件、镀在第一表面与第二表面外的行波电极、微波连接件、连接线、微波连接件、镀在第三表面与第三表面外的行波电极、微波连接件、匹配电阻。第一远端端面与该第二近端端面相对，使高能脉冲激光能穿过第一调制晶体与第二调制晶体，在该过程中被调制为调制脉冲簇激光。可见，电光调制组件能够直接对高能脉冲激光进行调制，可在调制前进行对激光的放大。
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公开(公告)号：CN112820784B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202011332444.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/024 , H01L31/02 , H01L31/08 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种垂直背入射同面电极高功率光导开关，该光导开关包括：半导体晶片、设于半导体晶片正面的输入电极、输出电极；输入电极与输出电极之间间隔设置，并且相邻边之间相互交错形成交指结构，交指结构为光导开关的赋形照射感光区。本发明通过输入电极与输出电极相邻边之间相互交错形成交指结构，延长了电极之间的接触长度，从而有效降低了光导开关的导通电阻其中，输入电极与所述输出电极可以并排设置，也可以呈环形设置，环形设置的方式在交指结构的基础上再次延长电极之间的接触长度，进一步降低光导开关的导通电阻，大大提高了光导开关的性能。
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公开(公告)号：CN211122597U
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201922184544.9
申请日：2019-12-09
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: G01N22/00
Abstract: 本实用新型公开一种模拟星载大气微波遥感地面实验装置，包括：储气罐、第一活动窗区、第二活动窗区、进气控制部、出气控制部和监测显示部；第一活动窗区和第二活动窗区位于储气罐两端且均设有可拆卸的活动窗片，活动窗片包括透波窗片、非透波窗片；进气控制部出气口与储气罐进气口连接，用以通入模拟大气所需的气体；出气控制部进气口与储气罐出气口连接，用以使储气罐内处于真空状态；监测显示部设于储气罐上，用以监测储气罐内气体状态。本实用新型使地面实验室条件下模拟出大气组成成分，通过出气控制部与进气控制部对储气罐内的气体成分及含量进行定量调节，从而得到模拟大气混合气体。该装置具有操作简单、通用性强，可控性强等优点。
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