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公开(公告)号：CN112928099B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110175993.6
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种基于铝硅合金的BGA互连载体，包括铝硅基板、金属层和锡层，铝硅基板于电气互连处加工有若干通柱，通柱与铝硅基板之间具有将通柱与铝硅基板隔离的环形通槽，环形通槽内填充有绝缘浆料，金属层包括上金属层和下金属层，上金属层从下至上依次包括第一镍层、第一金层，下金属层从上至下依次包括第二镍层、第二金层，锡层覆于上金属层和/或下金属层上，锡层和第一金层和/或第二金层形成阵列式的金锡焊料焊盘，金锡焊料焊盘上用于贴装元器件，以铝硅合金作为基板，具有与芯片热膨胀系数匹配、热传导率高和密度低的优点，预制金锡焊盘的BGA互连载体提高了芯片的封装效率，可广泛用于铝硅封装的微波组件。
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公开(公告)号：CN112151512B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202011029235.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种微型芯片电容及其制造方法。该芯片电容包括：依次层叠的预制焊料锡层、预制焊料金层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层、介质层，电极层。其制造方法包括：S1：提供一铝硅合金衬底并前处理；S2：在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层；在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层；S3：在所述阻挡层上镀金，形成预制焊料金层；在所述黏结层上镀上导电层；S4：在导电层上溅射介质层、电极层；S5：在所述预制焊料金层上通过电沉积锡，形成预制焊料锡层；S6：划片得到独立的微型芯片电容。本发明以铝硅合金作为衬底，衬底无需抛光、无需溅射打底层、电容面积大、制作周期短，降低了微型芯片电容的装配难度。
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公开(公告)号：CN110400741B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910681247.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L23/64
Abstract: 本发明提出了一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法，在干净的LCP基板覆铜面电镀Ni/Pd/Au层，无覆铜表面溅射薄膜电阻层和导带层，进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制备出电阻和导带，然后采用lift‑off工艺，在LCP基板上制作出电容层，最后表面溅射薄膜导带层，并进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制作出电容上电极和导带，完成LCP柔性基板无源阻容元件的制备。该制作方法利用薄膜溅射工艺，可一次性在LCP基板上同时制作出薄膜电阻和薄膜电容，并可制作薄膜阻容网络，实现阻容元件的薄膜集成化、高精度控制，应用在高频器件LCP系统级封装中进行无源阻容元件的埋置，可大大节约LCP柔性基板表面空间，提高基板组装密度。
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公开(公告)号：CN112802820B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110055167.8
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了基于硅铝合金垂直互连封装基板和LCP重布线的三维封装结构及制备方法，该三维封装结构包括三维封装结构包含硅铝合金垂直互连封装基板、LCP气密键合层、LCP重布线层，硅铝合金垂直互连封装基板至少包括第一硅铝合金垂直互连封装基板、第二硅铝合金垂直互连封装基板；第一硅铝合金垂直互连封装基板和第二硅铝合金垂直互连封装基板之间通过LCP气密键合层热压键合形成互连及气密腔体，气密腔体内的第一、第二硅铝合金垂直互连封装基板表面通过热压键合LCP重布线层；三维封装结构的上表面和底部分别热压键合LCP重布线层。采用热压键合的方法将硅铝合金和LCP材料结合在一起，制备了三维封装结构，可满足微电子封装小型化、高性能、多功能的需求。
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公开(公告)号：CN112802821A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110056695.5
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/373 , H01L23/552 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种双面多层布线的铝基转接板，包括铝硅基板、薄膜布线绝缘层、BCB薄膜布线层、第三薄膜金属布线层及LCP基板，BCB薄膜布线层及LCP基板分别设置于铝硅基板的两侧，采用高导热铝硅材料作为转接板衬底，将BCB薄膜布线层与LCP基板进行集成，可同时实现正面高密度布线与反面的射频微波传输功能，并利用垂直互连通柱实现信号的上下传输，并于金属基铝硅高导热衬底上设置基板埋置腔，用于贴装LCP基板，可实现射频微波的散热与自屏蔽功能，适用于各种复杂系统的多功能的多层布线转接板制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112802820A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110055167.8
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了基于硅铝合金垂直互连封装基板和LCP重布线的三维封装结构及制备方法，该三维封装结构包括三维封装结构包含硅铝合金垂直互连封装基板、LCP气密键合层、LCP重布线层，硅铝合金垂直互连封装基板至少包括第一硅铝合金垂直互连封装基板、第二硅铝合金垂直互连封装基板；第一硅铝合金垂直互连封装基板和第二硅铝合金垂直互连封装基板之间通过LCP气密键合层热压键合形成互连及气密腔体，气密腔体内的第一、第二硅铝合金垂直互连封装基板表面通过热压键合LCP重布线层；三维封装结构的上表面和底部分别热压键合LCP重布线层。采用热压键合的方法将硅铝合金和LCP材料结合在一起，制备了三维封装结构，可满足微电子封装小型化、高性能、多功能的需求。
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公开(公告)号：CN112802809A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110055168.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/538 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L21/768 , H01Q1/22
Abstract: 本发明公开了一种硅铝合金封装基板及其制备方法，该硅铝合金封装基板的基体材料为硅铝合金，所述封装基板上设有曲面天线共型贴装平台、微波信号屏蔽腔体以及平面转接板，所述曲面天线共型贴装平台用于天线共型贴装，所述微波信号屏蔽腔体用于微波信号电路集成，所述封装基板为垂直互连封装基板。本发明提供的硅铝合金封装基板将转接板、微波屏蔽腔体、曲面天线共型贴装平台集中在封装基板上，实现了结构一体成型、一致性，简化了硅铝合金封装基板制备工序，结构强度高，同时实现了结构与功能一体化。本发明还提供了该封装基板的制造方法，该方法相对于传统封装基板制备工艺具有可操作性强，耗时短，成本低，可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN111987010A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910424009.8
申请日：2019-05-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种功率芯片的自动共晶焊接方法，包括：对载体、焊料片和功率芯片进行预处理；对载体进行预热；在载体上放置焊料片；使用自动拾取吸头拾取功率芯片，自动拾取吸头将功率芯片放置在焊料片上进行热压并进行刮擦；自动拾取吸头取回共晶完成后的功率芯片。该种功率芯片的自动共晶焊接方法具有高共晶效率及高焊接质量。本发明还提供了一种功率芯片的自动共晶焊接的拾取吸头，包括：斜边卡槽，包括底槽、斜向卡板，斜向卡板布设在底槽相对的侧边，且朝向底槽的外侧倾斜，底槽开设有通孔；和吸管，吸管的一端固连于通孔。
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公开(公告)号：CN111628263A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010503677.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形三维微波导制造方法及微波导，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽对多层LCP电路板进行切割至第一金属层生成内腔体；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压，另一LCP电路板封盖内腔体的下侧面具有第二金属层。本发明中两个金属侧壁，由层压后的LCP多层板激光加工沟槽后，精密电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长，工艺复杂的问题。
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公开(公告)号：CN110634792A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910922962.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请提供了一种电气互连基板制造方法，该方法包括以下步骤：S1：根据通孔在布线层中的预设位置，在基板上开设通孔和定位标记；S2：在所述基板的第一表面设置金属层；S3：所述基板的金属层一面预留触点，在金属层表面设置介质保护层；S4：所述基板通过导电材料填充所述通孔；S5：在所述基板的第二表面设置金属层；S6：分别在所述基板的第一表面和第二表面设置单面电路布线层；其中，所述第一表面的电路通过通孔中的导电材料与所述第二表面的电路典型连接。本发明提供的基于激光纳米加工技术的电气互连LCP基板制造方法，制作流程简洁，加工精度高，通孔内部无空洞，互连可靠，有效提高了柔性基板三维封装的密度和可靠性。
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