公开(公告)号：CN112151512A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202011029235.5

申请日：2020-09-25

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 刘凯 ,  丁蕾 ,  叶雯燚 ,  陈靖 ,  任卫朋 ,  王立春

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明公开了一种微型芯片电容及其制造方法。该芯片电容包括：依次层叠的预制焊料锡层、预制焊料金层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层、介质层，电极层。其制造方法包括：S1：提供一铝硅合金衬底并前处理；S2：在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层；在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层；S3：在所述阻挡层上镀金，形成预制焊料金层；在所述黏结层上镀上导电层；S4：在导电层上溅射介质层、电极层；S5：在所述预制焊料金层上通过电沉积锡，形成预制焊料锡层；S6：划片得到独立的微型芯片电容。本发明以铝硅合金作为衬底，衬底无需抛光、无需溅射打底层、电容面积大、制作周期短，降低了微型芯片电容的装配难度。

公开(公告)号：CN112928099B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202110175993.6

申请日：2021-02-09

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 刘凯 ,  丁蕾 ,  高求 ,  罗燕 ,  叶雯燚 ,  王立春

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种基于铝硅合金的BGA互连载体，包括铝硅基板、金属层和锡层，铝硅基板于电气互连处加工有若干通柱，通柱与铝硅基板之间具有将通柱与铝硅基板隔离的环形通槽，环形通槽内填充有绝缘浆料，金属层包括上金属层和下金属层，上金属层从下至上依次包括第一镍层、第一金层，下金属层从上至下依次包括第二镍层、第二金层，锡层覆于上金属层和/或下金属层上，锡层和第一金层和/或第二金层形成阵列式的金锡焊料焊盘，金锡焊料焊盘上用于贴装元器件，以铝硅合金作为基板，具有与芯片热膨胀系数匹配、热传导率高和密度低的优点，预制金锡焊盘的BGA互连载体提高了芯片的封装效率，可广泛用于铝硅封装的微波组件。

公开(公告)号：CN112151512B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202011029235.5

申请日：2020-09-25

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 刘凯 ,  丁蕾 ,  叶雯燚 ,  陈靖 ,  任卫朋 ,  王立春

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明公开了一种微型芯片电容及其制造方法。该芯片电容包括：依次层叠的预制焊料锡层、预制焊料金层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层、介质层，电极层。其制造方法包括：S1：提供一铝硅合金衬底并前处理；S2：在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层；在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层；S3：在所述阻挡层上镀金，形成预制焊料金层；在所述黏结层上镀上导电层；S4：在导电层上溅射介质层、电极层；S5：在所述预制焊料金层上通过电沉积锡，形成预制焊料锡层；S6：划片得到独立的微型芯片电容。本发明以铝硅合金作为衬底，衬底无需抛光、无需溅射打底层、电容面积大、制作周期短，降低了微型芯片电容的装配难度。

公开(公告)号：CN112242382A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202011102812.9

申请日：2020-10-15

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 丁蕾 ,  刘凯 ,  陈靖 ,  叶雯燚 ,  任卫朋 ,  王立春

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明公开了一种预制金锡焊料的微小尺寸功率电阻，包括AlSi衬底及位于AlSi衬底两侧的薄膜电阻层、Ti/Pt/Au膜层和预制金锡焊料层，预制金锡焊料层设置于Ti/Pt/Au膜层上，预制金锡焊料层依次包括第一电镀Au膜层、电镀Sn膜层及溅射Au膜层，本发明采用高导热AlSi材料作为基板衬底，有利于功率电阻的散热、接地性能；引入串联小电阻串联设计，以及采用薄膜、光刻、刻蚀等技术，可实现功率电阻可调节设置；同时将功率电阻和预制金锡焊料层集成为一体，能够有效地控制金锡共晶焊料量，简化微波组件制造工艺步骤并降低工艺难度，实现微小尺寸的高精度贴装，适用于各种复杂系统的预制金锡焊料的微小尺寸功率电阻的制作。

公开(公告)号：CN112928099A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110175993.6

申请日：2021-02-09

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 刘凯 ,  丁蕾 ,  高求 ,  罗燕 ,  叶雯燚 ,  王立春

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种基于铝硅合金的BGA互连载体，包括铝硅基板、金属层和锡层，铝硅基板于电气互连处加工有若干通柱，通柱与铝硅基板之间具有将通柱与铝硅基板隔离的环形通槽，环形通槽内填充有绝缘浆料，金属层包括上金属层和下金属层，上金属层从下至上依次包括第一镍层、第一金层，下金属层从上至下依次包括第二镍层、第二金层，锡层覆于上金属层和/或下金属层上，锡层和第一金层和/或第二金层形成阵列式的金锡焊料焊盘，金锡焊料焊盘上用于贴装元器件，以铝硅合金作为基板，具有与芯片热膨胀系数匹配、热传导率高和密度低的优点，预制金锡焊盘的BGA互连载体提高了芯片的封装效率，可广泛用于铝硅封装的微波组件。