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公开(公告)号：CN103904203A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210573096.1
申请日：2012-12-26
Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
Inventor： 赖志成
CPC classification number: H01L24/29 , H01L33/06 , H01L2224/3213 , H01L2224/325
Abstract: 一种发光二极管，包括发光二极管晶粒、基板、形成于发光二极管晶粒上的第一电极及第二电极、形成于基板顶面上的第一锡膏层及第二锡膏层，第一锡膏层与第一电极焊接，第二锡膏层与第二电极焊接，所述第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，所述第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出所述发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围。由于第一锡膏层在基板的顶面上的投影超出发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，第二锡膏层在基板的顶面上的投影超出发光二极管晶粒在基板的顶面上的投影范围，增强了对发光二极管晶粒的支撑作用，使得所述发光二极管的结构得到强化，在受到外力的作用下不易发生变形。
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公开(公告)号：CN102646609A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210031859.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/335 , H01L23/488 , H01L29/778 , H02M7/217 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/48 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05541 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/26175 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29019 , H01L2224/29036 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/83193 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/13064 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/83439 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0132 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0665 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。
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公开(公告)号：CN102281973A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004470.5
申请日：2010-01-04
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B22F1/0014 , B22F1/0003 , B22F1/007 , B22F2998/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29384 , H01L2224/29387 , H01L2224/294 , H01L2224/29455 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/33181 , H01L2224/83138 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10338 , H01L2924/12043 , H01L2924/15787 , Y10T428/25 , B22F1/0062 , B22F1/025 , H01L2224/73204 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/05032 , H01L2924/053 , H01L2924/01015 , H01L2924/00012 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 本发明涉及一种烧结材料，其具有金属的、设置了有机涂层的结构颗粒。按本发明规定，设置了非有机涂敷的、金属的和/或陶瓷的、在烧结过程中不会放出气体的辅助颗粒（7）。此外，本发明还涉及一种烧结结合体（1）以及一种制造烧结结合体（1）的方法。
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公开(公告)号：CN104704620A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380040541.0
申请日：2013-08-01
Applicant: 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H05K3/3431 , B23K1/0016 , B23K1/20 , B23K3/0684 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L33/62 , H01L2224/29082 , H01L2224/29105 , H01L2224/29113 , H01L2224/325 , H01L2224/83143 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83815 , H01L2224/83907 , H01L2224/9205 , H01L2224/95085 , H01L2224/95101 , H01L2224/95146 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H05K1/111 , H05K3/3468 , H05K13/0465 , H05K2201/10992 , H05K2203/044 , H05K2203/047 , H05K2203/048 , H01L2924/00012 , H01L2924/0105
Abstract: 描述了用于流控自组装的双焊料层、电组件衬底以及采用所述流控自组装的方法。所述双焊料层包括在电组件衬底（18）的焊料焊盘（16）上所部署的基底焊料（14）的层上所部署的自组装焊料（12）的层。所述自组装焊料（12）具有小于第一温度的液相线温度，并且所述基底焊料（14）具有大于所述第一温度的固相线温度。在流控自组装方法期间所述自组装焊料（12）在第一温度下液化，以引起电组件（10）粘附到所述衬底（18）。在附接之后，所述衬底（18）被从浴器（20）被移除并且被加热，从而所述基底焊料（14）和自组装焊料（12）组合以形成合成合金（22），所述合成合金在所述组件（10）与所述衬底（18）上的所述焊料焊盘（16）之间形成最终的电焊料连接。
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公开(公告)号：CN102646609B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210031859.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/335 , H01L23/488 , H01L29/778 , H02M7/217 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/48 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05541 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/26175 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29019 , H01L2224/29036 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/83193 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/13064 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/83439 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0132 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0665 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102196881B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200980141900.5
申请日：2009-04-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C22C13/02 , B23K1/0016 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K2101/36 , B23K2101/40 , C22C1/02 , C22C13/00 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05099 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/29 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/83455 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/013 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/00015 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明的钎料合金(3)含有：5质量％以上15质量％以下的Sb、3质量％以上8质量％以下的Cu、0.01质量％以上0.15质量％以下的Ni、0.5质量％以上5质量％以下的In，其余部分包括Sn及不可避免的杂质。由此，可得到抑制半导体元件(2)的破裂，而且提高钎料材料的耐裂性的可靠性高的钎料合金(3)及半导体装置(1)。
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公开(公告)号：CN103633075A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310275097.2
申请日：2013-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/58
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/3737 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/585 , H01L24/19 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/26125 , H01L2224/26145 , H01L2224/26155 , H01L2224/26175 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/33505 , H01L2224/33519 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81007 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明公开了一种叠层封装半导体器件和形成该半导体器件的方法，该半导体器件包括具有至少一个第一管芯和至少一个第二管芯的封装件。该半导体器件还包括将至少一个第一管芯和至少一个第二管芯电连接至衬底的一组导电元件。该半导体器件还包括位于至少一个第一管芯和至少一个第二管芯之间的热接触垫以将至少一个第一管芯热隔离于至少一个第二管芯。
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公开(公告)号：CN102196881A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980141900.5
申请日：2009-04-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C22C13/02 , B23K1/0016 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K2101/36 , B23K2101/40 , C22C1/02 , C22C13/00 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05099 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/29 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/83455 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/013 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/00015 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明的钎料合金(3)含有：5质量％以上15质量％以下的Sb、3质量％以上8质量％以下的Cu、0.01质量％以上0.15质量％以下的Ni、0.5质量％以上5质量％以下的In，其余部分包括Sn及不可避免的杂质。由此，可得到抑制半导体元件(2)的破裂，而且提高钎料材料的耐裂性的可靠性高的钎料合金(3)及半导体装置(1)。
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公开(公告)号：CN1307713C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02821250.9
申请日：2002-10-28
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/16225 , H01L2224/29036 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81903 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/3511 , Y10T29/49144 , Y10T29/49146 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2224/29075
Abstract: 通过组合使用热量和压力以接合倒装芯片的电路小片并使不流动的底层填料固化，可实现高屈服、高可靠性的倒装芯片的集成电路插件。该底层填料包括填料或低热膨胀系数的材料，以便降低固化后的底层填料的热膨胀系数。该底层填料包括填料，该填料可从包括硅石、氧化硅、二氧化硅、氮化硅、氧化铝、和氮化铝的一组材料中选择。该填料还可增加固化后的底层填料的粘度和/或增加其弹性模量。在方法实施例中，采用热压接合机以同时提供焊料突起回流和底层填料固化。各种方法可应用于部件插件、电子组件、和电子系统。
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公开(公告)号：CN1383197A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02118367.8
申请日：2002-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/90 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1131 , H01L2224/1134 , H01L2224/1147 , H01L2224/11822 , H01L2224/11902 , H01L2224/13018 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/29076 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83136 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K3/28 , H05K3/321 , H05K3/388 , H05K2201/09472 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H05K2203/0361 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655
Abstract: 本发明提供一种用导电胶将具有狭窄间距配置电极的半导体元件及电路基片高可靠性电气连接的半导体装置及制造这种半导体装置的制造方法。该制造方法包含以下各工序:在半导体部上形成多个半导体电极的工序;在电路基片上形成多个基片电极的工序;将半导体部及电路基片的一方粘接到由绝缘性材料组成的中间连接体上的第1粘接工序;在中间连接体上形成与多个半导体电极的位置及多个基片电极的位置对应的多个贯通孔的工序;通过各贯通孔将各半导体电极和各基片电极电气连接的工序;将半导体部及电路基片的另一方粘接到中间连接体上的第2粘接工序。
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