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公开(公告)号：CN103647008B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310750779.4
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。本发明的方法可以有效释放半极性GaN厚膜中的应力，实现高质量、大面积半极性GaN厚膜异质外延。
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公开(公告)号：CN105405979A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510881246.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0032
Abstract: 一种有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将原料A及原料B进行混合，溶解于溶剂C中形成前驱溶液；步骤2：将配好的前驱溶液用聚四氟乙烯过滤器过滤，然后装入容器中，并密封；步骤3：将装有前驱溶液的密封容器加温至一预定温度；步骤4：待前驱溶液中有晶体析出，间隔一预定的时间，并逐步提高温度，随着温度逐渐提高，晶体逐渐长大；步骤5：待晶体长到适当尺寸后从密封容器中取出，完成制备。本发明具有实现低成本、快速制备有机无机杂化钙钛矿单晶的优点。
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公开(公告)号：CN104409336A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410658716.0
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C30B25/183 , C30B25/04 , H01L21/02436 , H01L21/02439
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出生长窗口；调节生长参数，实现窗口区到掩膜区的横向外延。该方法能够利用金属熔化后的流动性质来消除外延层和衬底层界面间热应力，达到改善外延层质量，保证其不会龟裂。
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公开(公告)号：CN102031560A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910235336.5
申请日：2009-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法，包含以下步骤：步骤1：首先在衬底上生长一层ZnO膜；步骤2：在ZnO膜上生长低温缓冲层，形成样品；步骤3：在氢化物气相外延系统中，在低温缓冲层的上面高温生长GaN厚膜；步骤4：在氢化物气相外延系统中高温生长后，因氢化物气相外延系统中的HCl和NH3等腐蚀性气体，将ZnO膜2腐蚀，使GaN厚膜直接从衬底上脱离下来形成大尺寸的GaN自支撑衬底。
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公开(公告)号：CN101819925A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010162506.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101807640A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010119349.9
申请日：2010-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/14
Abstract: 一种利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区、宽禁带势垒层和p型层，形成外延片；步骤3：在外延片上面的一侧进行刻蚀，刻蚀深度到达n型层的表面，形成一台面；步骤4：在该台面上制备一n电极；步骤5：在p型层的上面，制备一p电极。
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公开(公告)号：CN101205627A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610165541.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/00
Abstract: 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置，包括：一外延生长室，为竖直设置；外延生长室上、下端面装有底盘进行密封；一衬底装置设于外延生长室内上方，衬底放置方式为面朝下；衬底装置在生长室外部接有调速马达，以控制衬底装置的转速；一金属反应源放置器，位于外延生长室内衬底装置下方或反应炉之外；反应气体管道通过生长室下端面的底盘进入外延生长室，载气通过反应气体管道进入外延生长室，携带反应气体向上流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一副产物收集装置，与外延生长室出气口连接，收集反应副产物，以防止反应气体管道路堵塞；一加热装置环绕于外延生长室外圆周；一自动控制系统进行控制。
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公开(公告)号：CN101192517A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610144304.0
申请日：2006-12-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/336
Abstract: 一种砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一砷化镓衬底；步骤2：将砷化镓衬底进行脱氧处理；步骤3：在砷化镓衬底上生长砷化镓缓冲层，以获得平整的表面；步骤4：在低温范围内生长一铟铝砷缓冲层，该铟铝砷缓冲层为一层、两层或多层结构，以达到外延生长过程晶格常数的改变；步骤5：在生长完铟铝砷缓冲层后，升高砷化镓衬底温度，进行高温热退火，释放外延层的应力。
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公开(公告)号：CN103887385B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410092505.5
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个量子垒层，AlyGa1-yN电子阻挡层，Al组分渐变AlGaN层和p型AlzGa1-zN接触层，其中0≤u，x，y，z≤1；其特征在于，其中所述AlxGa1-xN最后一个量子垒层中Al组分x与AlyGa1-yN电子阻挡层中的Al组分y相同。本发明因为电子阻挡效果的提高以及空穴注入的改善能有效降低电子泄露从而提高器件发光效率。
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公开(公告)号：CN103219437A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310141878.2
申请日：2013-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石图形衬底的制备方法，其包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底表面形成掩膜层；步骤2：将掩膜层图形化，形成掩膜图形；步骤3：利用干法刻蚀具有掩膜图形的蓝宝石衬底，并形成与所述掩膜图形对应的原始凸起；步骤4：利用湿法修饰所述原始凸起的表面，使其表面粗化形成最终的凸起图形。该制备方法利用干法刻蚀技术制备出图形形貌可控，均匀性、稳定性好的图形衬底中间产品，后续使用湿法腐蚀去除物理损伤改善表面反射率，进一步提高LED出光效率。
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