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公开(公告)号：CN1347138A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN00129590.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/208 , H01L43/12 , C30B19/00
Abstract: 一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法,步骤如下:以砷化镓等单晶片为衬底;用石墨或石英制成生长容器;将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中,在外延炉中经充分溶解、混合后,在过冷度下进行外延生长;生长溶液中x和y为原子比;根据需要可以在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层;可以在衬底上生长单层结构,也可以根据需要生长多层结构;生长温度范围:573K－1073K。
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公开(公告)号：CN101205627A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610165541.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/00
Abstract: 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置，包括：一外延生长室，为竖直设置；外延生长室上、下端面装有底盘进行密封；一衬底装置设于外延生长室内上方，衬底放置方式为面朝下；衬底装置在生长室外部接有调速马达，以控制衬底装置的转速；一金属反应源放置器，位于外延生长室内衬底装置下方或反应炉之外；反应气体管道通过生长室下端面的底盘进入外延生长室，载气通过反应气体管道进入外延生长室，携带反应气体向上流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一副产物收集装置，与外延生长室出气口连接，收集反应副产物，以防止反应气体管道路堵塞；一加热装置环绕于外延生长室外圆周；一自动控制系统进行控制。
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公开(公告)号：CN1174467C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01124213.2
申请日：2001-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。
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公开(公告)号：CN1134047C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN00129590.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/208 , H01L43/12 , C30B19/00
Abstract: 一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法，步骤如下：以砷化镓单晶片为衬底；用石墨或石英制成生长容器；将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中，在外延炉中经充分溶解、混合后，在过冷度下进行外延生长；生长溶液中x和y为原子比；在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层；在衬底上生长单层结构，或生长多层结构；生长温度范围：573K-1073K。
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公开(公告)号：CN1402305A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN01124213.2
申请日：2001-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬垫，然后在衬垫上直接生长磁性材料；或在衬垫上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881533A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510076325.9
申请日：2005-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01L31/18 , C23C16/34
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的氨气进气孔连接。
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公开(公告)号：CN1260485A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN99100087.0
申请日：1999-01-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/203
Abstract: 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法;利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品,每次测量晶格常数后,测量标准样品的晶格常数,计算仪器误差:Δa’=a’－a’0其中,a’0=5.431058A为硅单晶的标准晶格常数;按下式消除仪器的测量误差,得到准确的单晶晶格常数:a=am－Δa’,am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。
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公开(公告)号：CN100418193C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510076325.9
申请日：2005-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01L31/18 , C23C16/34
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的氨气进气孔连接。
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公开(公告)号：CN1117982C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN99100087.0
申请日：1999-01-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/20
Abstract: 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法；利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am；采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差，以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品，每次测量晶格常数后，测量标准样品的晶格常数，计算仪器误差：Δa’＝a’-a’0其中，a’0＝5.431058为硅单晶的标准晶格常数；按下式消除仪器的测量误差，得到准确的单晶晶格常数：a＝am-Δa’，am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。
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公开(公告)号：CN2397130Y
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN99248214.3
申请日：1999-10-10
Applicant: 中国科学院力学研究所 , 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B19/06
Abstract: 一种液相外延水平生长晶体薄膜用的容器,它包括相互紧密耦合的容器厢体、滑动板和滑动样品室三部分;其中容器厢体为上面敞口的空心长方体结构;一滑动样品室,该滑动样品室包括一样品室主体和两个护板,该样品室主体概似门形,该滑动样品室置于容器厢体;一滑动板,该滑动板为长方体结构,该滑动板盖于容器厢体的敞口上;本实用新型能够在地面模拟空间生长的液相外延生长容器,用这种容器在地面也能生长出高质量的晶体。
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