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公开(公告)号：CN108190829B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201711498024.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法，在单晶硅衬底上形成介质层，并形成感压薄膜；在感压薄膜正面淀积金属催化剂层，在谐振子区域离子注入碳，并促使石墨烯生长；淀积刻蚀金属以形成电学互联；刻蚀介质层，释放形成石墨烯谐振子；制作玻璃封装盖板，将玻璃封装盖板与石墨烯谐振子所在面对准键合；制作玻璃保护板，将玻璃保护板与感压薄膜的背面深腔所在面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。
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公开(公告)号：CN108217579A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711498022.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本公开提供了一种基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法，在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽；在振动空腔内制作玻璃通孔，形成金属填充电极；将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔；通过阳极键合，将玻璃片与待封装硅结构对准键合；将硅玻璃键合片放入电子束蒸发设备中，依次淀积金属钛和表层金属；图形化金属钛和表层金属，划片成独立器件，直接形成无金丝引线的贴片元器件。
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公开(公告)号：CN105197881A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510541609.4
申请日：2015-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第二硅片上制备或不制备薄膜层，在一定温度和压力条件下将第一硅片1和第二硅片3进行热压键合。本发明利用金属材料与硅扩散互溶的原理实现硅-硅的有效键合，其中键合材料为薄膜，可以通过常规淀积工艺很容易得到，同时薄层金属的存在及良好的延展性使得对键合材料的表面平整度、表面粗糙度的要求大大降低。
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公开(公告)号：CN102602880B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210077661.5
申请日：2012-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一功能材料层形成条形结构；淀积第二功能材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光，在条形的光刻胶掩模结构上部，制备出纳米量级的条形胶条，该条形胶条垂直并跨越条形光刻胶掩模；用该条形胶条做掩模，干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的表面；去除光刻胶掩模，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层，使第二功能材料层下方形成一个悬空结构；干法刻蚀去除条形胶条下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，完成制备。
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公开(公告)号：CN102602880A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210077661.5
申请日：2012-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一功能材料层形成条形结构；淀积第二功能材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光，在条形的光刻胶掩模结构上部，制备出纳米量级的条形胶条，该条形胶条垂直并跨越条形光刻胶掩模；用该条形胶条做掩模，干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的表面；去除光刻胶掩模，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层，使第二功能材料层下方形成一个悬空结构；干法刻蚀去除条形胶条下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，完成制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101996944A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091398.3
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于相变存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法，包括：在衬底上淀积金属，作为相变存储器的下电极，接着在下电极上制备一层绝缘材料；在绝缘材料上，采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔，孔底部为在衬底上淀积的金属；采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属；采用化学镀方法制作纳米尺寸的金属插塞电极阵列，作为相变存储器的下电极加热层；淀积相变材料；淀积金属，作为相变存储器的上电极；光刻、干法刻蚀顶部金属形成顶部电极图形；钝化开孔，引出电极，完成纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作。本发明避免了溅射、电镀、CVD等传统小孔填充方法的小孔填充质量不好、成本高等缺陷，并将其应用于相变存储器电极加热层的制造中。
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公开(公告)号：CN101996935A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091406.4
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种应用于导电桥存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法，包括：在衬底上淀积金属，作为导电桥存储器的下电极，接着在下电极上制备一层绝缘材料；在绝缘材料上采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔，孔底部为在衬底上淀积的金属；采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属；采用化学镀方法制作纳米尺寸的金属插塞电极阵列，作为导电桥存储器的金属离子源；淀积一层绝缘材料作为金属离子的扩散层；淀积金属，作为导电桥存储器的上电极；光刻、干法刻蚀顶部金属形成顶部电极图形；钝化开孔，引出电极，完成纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作。本发明避免了溅射、电镀、CVD等传统小孔填充方法的小孔填充质量不好、成本高等缺陷。
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公开(公告)号：CN108190829A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711498024.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法，在单晶硅衬底上形成介质层，并形成感压薄膜；在感压薄膜正面淀积金属催化剂层，在谐振子区域离子注入碳，并促使石墨烯生长；淀积刻蚀金属以形成电学互联；刻蚀介质层，释放形成石墨烯谐振子；制作玻璃封装盖板，将玻璃封装盖板与石墨烯谐振子所在面对准键合；制作玻璃保护板，将玻璃保护板与感压薄膜的背面深腔所在面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。
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公开(公告)号：CN103647016A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310681449.4
申请日：2013-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝缘材料层，并淀积一层第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，保留的第一金属材料层在核壳结构上的为上电极，在衬底上的为下电极；淀积一层第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法，使第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102623307B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201210088596.6
申请日：2012-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条，并跨越由第一功能材料层；干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构。本发明藉由线宽控制精度高、定位精确、可拓展性好、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低、可移植性好、经济高效的优点。
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