公开(公告)号：CN103165727B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310084016.0

申请日：2013-03-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 楚新波 ,  关敏 ,  曾一平 ,  王宝强 ,  朱战平

IPC: H01L31/147 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法，具体说来是将一个倒置型有机发光二极管(OLED)外延生长在下部的无机红外光探测器单元上。该装置的工作原理是反向偏置的红外探测器单元将输入的红外信号转换为电信号，光生电子依次通过N型间隔层和限光金属层注入到正向偏置的OLED内，驱动OLED器件发射可见光，从而实现红外光到可见光的上转换。本发明提到的N型注入的红外至可见波长上转换成像装置具有转换效率高、转换波长范围广、制备工艺简单、成本低等特点。本发明可用于红外夜视，医学检测，工业探伤等领域。

公开(公告)号：CN101192517A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610144304.0

申请日：2006-12-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 高宏玲 ,  曾一平 ,  段瑞飞 ,  王宝强 ,  朱战平 ,  崔利杰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: 一种砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一砷化镓衬底；步骤2：将砷化镓衬底进行脱氧处理；步骤3：在砷化镓衬底上生长砷化镓缓冲层，以获得平整的表面；步骤4：在低温范围内生长一铟铝砷缓冲层，该铟铝砷缓冲层为一层、两层或多层结构，以达到外延生长过程晶格常数的改变；步骤5：在生长完铟铝砷缓冲层后，升高砷化镓衬底温度，进行高温热退火，释放外延层的应力。

公开(公告)号：CN103165727A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310084016.0

申请日：2013-03-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 楚新波 ,  关敏 ,  曾一平 ,  王宝强 ,  朱战平

IPC: H01L31/147 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法，具体说来是将一个倒置型有机发光二极管(OLED)外延生长在下部的无机红外光探测器单元上。该装置的工作原理是反向偏置的红外探测器单元将输入的红外信号转换为电信号，光生电子依次通过N型间隔层和限光金属层注入到正向偏置的OLED内，驱动OLED器件发射可见光，从而实现红外光到可见光的上转换。本发明提到的N型注入的红外至可见波长上转换成像装置具有转换效率高、转换波长范围广、制备工艺简单、成本低等特点。本发明可用于红外夜视，医学检测，工业探伤等领域。

公开(公告)号：CN1929154A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200510086372.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴巨 ,  王宝强 ,  朱战平 ,  曾一平

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/30

Abstract: 一种铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤3：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度。步骤4：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤5：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定了量子的发光波长；步骤6：在第二铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。