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公开(公告)号：CN104409336A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410658716.0
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C30B25/183 , C30B25/04 , H01L21/02436 , H01L21/02439
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出生长窗口；调节生长参数，实现窗口区到掩膜区的横向外延。该方法能够利用金属熔化后的流动性质来消除外延层和衬底层界面间热应力，达到改善外延层质量，保证其不会龟裂。
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公开(公告)号：CN111816729B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910297009.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/167 , H01L31/18
Abstract: 一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本发明利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。
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公开(公告)号：CN111816729A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201910297009.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/167 , H01L31/18
Abstract: 一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本发明利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。
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公开(公告)号：CN115369379A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110543134.8
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线，其中，该制备方法包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有金属薄膜层的复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN纳米线。
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公开(公告)号：CN111326610A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811539285.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法，该芯片包括：绝缘衬底；石墨烯层，生长于绝缘衬底上；纳米柱LED，间隔生长在所述石墨烯层上，所述纳米柱LED自衬底至上包括：n-GaN层、多量子阱发光层和p-GaN层；SOG填充物，填充在所述纳米柱LED的间隔及周围部分，用于隔离纳米柱LED，避免短路；氧化铟锡透明导电层，连接所述纳米柱LED的p-GaN层及所述SOG填充物，实现电流扩展；以及p/n电极，实现绝缘衬底上纳米柱LED芯片制备。本发明借助石墨烯缓冲层，在绝缘衬底上通过光刻工艺，在纳米柱生长之前覆盖n电极区域，生长之后暴露出n电极区域的石墨烯层以做n电极的电流扩展层，实现绝缘衬底上纳米柱n电极的引出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104409336B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410658716.0
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出生长窗口；调节生长参数，实现窗口区到掩膜区的横向外延。该方法能够利用金属熔化后的流动性质来消除外延层和衬底层界面间热应力，达到改善外延层质量，保证其不会龟裂。
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公开(公告)号：CN115369379B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110543134.8
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线，其中，该制备方法包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有金属薄膜层的复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN纳米线。
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公开(公告)号：CN114759088A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110039389.0
申请日：2021-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/165 , H01L21/336
Abstract: 一种石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法，该GaN/AlGaN异质结构包括：衬底，氮化镓层设置在衬底上，石墨烯插入层，设置在氮化镓层上；势垒层，设置在石墨烯插入层上；帽层，设置在势垒层上。本发明为GaN基高迁移率晶体管提供了一种新型结构，利用石墨烯0.3至1.2nm超薄厚度，以及10000至15000cm2/V·s的超高迁移率特性，提高GaN/AlGaN异质结中二维电子气的迁移率，从而解决器件逻辑电压的摆幅与缩短传输时间问题，以及降低开关能量之间矛盾的关键问题，使GaN基高迁移率晶体管在高频、高速器件领域发挥重大作用。
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公开(公告)号：CN104532208A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510005154.4
申请日：2015-01-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/44 , C30B25/08
Abstract: 本发明公开了一种的氮化物外延装置，包括真空腔室、溅射腔室和至少一个外延生长腔室；所述溅射腔室和至少一个外延生长腔室位于所述真空腔室内，所述溅射腔室用于在衬底上生长缓冲层，所述至少一个外延生长腔室用于在生长了缓冲层的衬底上外延生长氮化物。本发明具有两个或者以上的独立生长室，其中一个专用于使用溅射方法生长AlN缓冲层，能够降低生长温度，减少工艺周期时间，增加产出；其余腔室使用MOCVD方法在溅射AlN缓冲层上外延氮化物薄膜，也可以根据生长需要增加更多独立生长室做特定生长用途。各个独立生长室可以放置于一个公共的真空洁净环境中，外延片通过可以承受一定温度工作的机械手在各个腔室之间传递。
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公开(公告)号：CN104134736A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410363985.4
申请日：2014-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种透明电极及其制作方法，在正装LED结构中使用透明的金属网状电极代替传统的退火ITO透明电极层形成欧姆接触。本发明使用自组装方法铺设周期性结构作为掩膜铺设金属电极，通过金属网格的孔洞实现电极的透明功能。并能通过控制金属薄膜孔洞面积占比来控制电极的光透过率。
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