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公开(公告)号：CN114551698A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210183724.9
申请日：2022-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种MicroLED发光阵列结构，该结构包括：多个MicroLED像素单元，成行线和列线互联的阵列结构排列；所述MicroLED像素单元包括：衬底；MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底上；以及吸收层，形成于所述衬底上，位于所述MicroLED像素单元基片两侧，并高于所述MicroLED像素单元基片的表面。
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公开(公告)号：CN111048496B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811194251.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种倒装LED红光器件结构及其制备方法，结构包括：倒装蓝光LED芯片和位于所述倒装蓝光LED芯片上的红光OLED结构。其中，倒装蓝光LED芯片结构包括：蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、多量子阱发光层、P‑GaN层；红光OLED结构包括：在倒装蓝光LED芯片背面依次生长空穴传输层、掺杂红光掺杂剂的电子传输层、不掺杂掺杂剂的电子传输层和外层保护层。制备方法包括：制备倒装蓝光LED芯片；制备红光OLED结构；倒装LED红光器件倒装焊到电路板上。本发明采用倒装蓝光LED光致红光OLED发光的方法实现器件制备，该器件制备工艺简单，可以有效解决倒装红光LED器件制备工艺复杂、成品率低、成本高等问题。
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公开(公告)号：CN109216588A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810999692.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装OLED器件及其制备方法，该倒装OLED器件包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，沉积于衬底上；有机功能层，生长于正氧化铟锡电极层上；金属电极层，位于有机功能层上，一侧与负氧化铟锡电极层相连；保护层，位于OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，位于隔离开的氧化铟锡电极层的两端。本发明的倒装OLED器件制备工艺简单，解决了传统TFT驱动OLED显示屏的尺寸限制，可制备出大尺寸OLED显示屏；可通过倒装焊方式直接焊接到电路基板上，在大尺寸显示领域有明显的优势；倒装结构OLED芯片可与mini LED显示兼容。
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公开(公告)号：CN104505442B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410822161.9
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种LED外延片的切裂方法。该方法包括：制备具有多颗管芯结构的方形或圆形LED外延片。对于圆形LED外延片，在其周边的四个对称位置切去四个弓形后分别切裂，或者将弓形部分丢弃。本发明简单可靠、易于实现，可保证管芯切裂过程中，裂片力道均匀，无同排管芯位移不一致的现象，提高了裂片质量。
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公开(公告)号：CN103647012B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310712946.6
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/48 , H01L21/683
Abstract: 一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括以下步骤：在LED外延片上制作LED单元器件阵列，在该单元器件阵列的部分单元器件上制作金属，作为键合时的金属中间层，构成待键合单元器件阵列；同时，在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键合单元器件阵列的电极相对应，在该金属图案下面存在导热、导电通道，通过该导电通道，LED单元器件的电极与基板背面的金属焊盘相连；然后通过键合的方式，把待键合单元器件阵列倒装在基板上；最后，采用激光剥离的方式，对上述待键合单元器件依次进行剥离，使得待键合单元器件的外延层与衬底分离，该分离后的外延层与基板形成完整的薄膜LED阵列。本发明所述的芯片转移方法，可用于LED器件的晶圆级封装，提高封装效率和降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151445B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310067793.4
申请日：2013-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
Abstract: 一种低热阻LED封装结构，其包括：LED芯片；一支撑电路板，包括：一电路板；一制作在电路板下的反射层和一制作在反射层下的金属导热层，该电路板的中间有一通孔，所述LED芯片位于电路板的通孔内，该LED芯片通过金属引线与电路板电性连接；一封胶层，该封胶层将电性连接好的LED芯片固封在支撑电路板中的电路板的通孔内。本发明的优点是无支架，该LED封装结构可以提高LED芯片的出光效率，并且使LED芯片产生的热量经过金属导热层迅速扩散，并传导到散热器表面，省掉传统封装结构的中间环节，热阻明显下降，亮度和可靠性得到提高，整体制作成本下降，提高了产品一致性。
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公开(公告)号：CN104465856B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410758310.X
申请日：2014-12-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/14 , H01L31/153 , H01L31/18 , H01L33/06
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种无线能量传输发光系统，该系统包括：无线能量发送装置和无线能量接收及发光装置，其中：无线能量发射装置用于将电能转换为可在空间范围内自由传播的自由能量，并利用无线能量传输方式将所述自由能量发射出去；无线能量接收及发光装置用于接收在空间范围内自由传播的自由能量，并将接收到的自由能量转换为发光器件可用的电能后驱动发光器件发光。本发明利用无线能量传输技术，规避了传统芯片工艺技术中的金属电极工艺，可以实现将芯片设计尺寸大大减小后，依然能够进行很好的无接触式电注入。无论在芯片研究或是应用技术领域，本发明无线电力驱动芯片技术将会具有很大的发展空间。
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公开(公告)号：CN104599990A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510017005.X
申请日：2015-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L33/62 , H01L2933/0066
Abstract: 一种共晶焊方法，包括如下步骤：步骤1：在基板上表面制作线路；步骤2：将钢网图形与基板上表面线路对准，并固定钢网和基板；步骤3：将LED芯片摆放于基板上表面钢网的图形中；步骤4：对LED芯片加压；步骤5：对基板进行加热，完成共晶焊。本发明可以解决现有的高功率密度LED光源模块共晶效率低、芯片共晶精度低等缺陷。
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公开(公告)号：CN104576900A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510006030.8
申请日：2015-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/56
Abstract: 一种LED芯片的封装方法，包括下述步骤：步骤1：制作具有阵列式排布通孔的基板；步骤2：将带阵列式排布通孔的基板背面贴上粘性薄膜；步骤3：将待封装的LED芯片摆放并粘贴在基板通孔露出的粘性薄膜的中心位置；步骤4：向通孔内填充胶体，每个通孔内填充的胶体没过LED芯片的表面并与基板上表面水平；步骤5：固化；步骤6：将胶体的边缘与基板通孔的侧壁脱离，将粘性薄膜与基板分离，形成阵列式LED封装体，完成封装。本发明是通过该封装方法得到的LED封装体可以简化LED的封装流程，减小LED封装体的体积，减少LED的封装成本，提高了产品一致性，提高产能，降低热阻，提高LED封装体的可靠性。
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公开(公告)号：CN104505442A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410822161.9
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种LED外延片的切裂方法。该方法包括：制备具有多颗管芯结构的方形或圆形LED外延片。对于圆形LED外延片，在其周边的四个对称位置切去四个弓形后分别切裂，或者将弓形部分丢弃。本发明简单可靠、易于实现，可保证管芯切裂过程中，裂片力道均匀，无同排管芯位移不一致的现象，提高了裂片质量。
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