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公开(公告)号：CN110190511B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910454743.9
申请日：2019-05-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/125 , H01S5/183 , H01S5/187 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1‑x)N层和多孔AlyGa1‑yN层。本发明还提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，在衬底上沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及交替堆叠多周期的Alx(Ga1‑x)N薄膜和AlyGa1‑yN薄膜，然后进行光电化学刻蚀，通过光电化学反应的带隙选择性将AlGaN层多孔化，形成基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜。
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公开(公告)号：CN103474536A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310396219.3
申请日：2013-09-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法，其中该氮化镓基宽光谱发光二极管包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底上；一n型III族氮化物层，其制作在缓冲层上，该n型III族氮化物层上面的一侧有一台面，该台面的厚度小于n型III族氮化物层的厚度；一量子点有源区，其制作在远离台面一侧的n型III族氮化物层上，该量子点有源区为发光区；一p型III族氮化物层，其制作在量子点有源区上；一n型金属电极，其淀积在n型III族氮化物层一侧的台面上；一p型金属电极，其淀积在p型III族氮化物层上。本发明的氮化镓基宽光谱发光二极管具有宽光谱及光谱范围可调的优点。
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公开(公告)号：CN103633218B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201310651954.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓系发光器件，包括衬底；成核层；n型III族氮化物层；多量子阱有源区；最后一个量子垒层；类电子阻挡层；p型III族氮化物层；n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。本发明提出的上述方案相比现有的GaN LQB/AlGaN EBL结构(界面存在正的净极化电荷)，或极化匹配GaN LQB/AIInGaN EBL结构(界面净极化电荷为零)，能够增强电子阻挡层阻挡电子泄漏的效果，从而提高LED发光效率，并减少大注入电流下的发光效率衰减。
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公开(公告)号：CN110970513B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811153822.8
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种MSM型多孔氧化镓日盲探测器及其制造方法，其中探测器包括：外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极；外延结构包括：衬底、衬底上的u‑GaN外延层和u‑GaN外延层上的n‑GaN外延层；在n‑GaN外延层上层进行电化学腐蚀得到多孔结构的n‑GaN外延层，对多孔结构的n‑GaN外延层进行氧化处理得到多孔结构的氧化镓外延层；MSM电极蒸镀在多孔结构的氧化镓外延层表面。本公开通过热氧化法氧化多孔结构的n‑GaN制备多孔氧化镓日盲探测器能够显著增大氧化镓薄膜的比表面积，使更多的氧分子在多孔氧化镓的表面发生吸附和解吸附，从而大幅度提高氧化镓探测器的紫外探测性能。
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公开(公告)号：CN110190511A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910454743.9
申请日：2019-05-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/125 , H01S5/183 , H01S5/187 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1-x)N层和多孔AlyGa1-yN层。本发明还提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，在衬底上沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及交替堆叠多周期的Alx(Ga1-x)N薄膜和AlyGa1-yN薄膜，然后进行光电化学刻蚀，通过光电化学反应的带隙选择性将AlGaN层多孔化，形成基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887385B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410092505.5
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个量子垒层，AlyGa1-yN电子阻挡层，Al组分渐变AlGaN层和p型AlzGa1-zN接触层，其中0≤u，x，y，z≤1；其特征在于，其中所述AlxGa1-xN最后一个量子垒层中Al组分x与AlyGa1-yN电子阻挡层中的Al组分y相同。本发明因为电子阻挡效果的提高以及空穴注入的改善能有效降低电子泄露从而提高器件发光效率。
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公开(公告)号：CN111243954A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010061986.9
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/04
Abstract: 一种GaN基常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法，方法包括：S1，在衬底(10)上依次制备成核层(11)、缓冲层(12)和第一高阻GaN层(13)；S2，在第一高阻GaN层(13)上制备图形化介质层(20)；S3，基于图形化介质层(20)，横向外延生长脊形GaN层(30)，然后去除图形化介质层(20)，形成脊形GaN模板，其中，脊形GaN层(30)的侧壁为 晶面或 晶面；S4，基于脊形GaN模板，依次外延生长脊形沟道层(31)及脊形势垒层(32)，其中，脊形沟道层(31)和脊形势垒层(32)的侧壁的厚度均小于平台的厚度。该方法制备的晶体管，在沟道区域不存在刻蚀损耗及注入损伤，能有效避免刻蚀损伤对器件性能的影响，具有高的阈值电压，高的饱和电流和低的开态电阻。
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公开(公告)号：CN110970513A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811153822.8
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种MSM型多孔氧化嫁日盲探测器及其制造方法，其中探测器包括：外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极；外延结构包括：衬底、衬底上的u-GaN外延层和u-GaN外延层上的n-GaN外延层；在n-GaN外延层上层进行电化学腐蚀得到多孔结构的n-GaN外延层，对多孔结构的n-GaN外延层进行氧化处理得到多孔结构的氧化嫁外延层；MSM电极蒸镀在多孔结构的氧化嫁外延层表面。本公开通过热氧化法氧化多孔结构的n-GaN制备多孔氧化嫁日盲探测器能够显著增大氧化嫁薄膜的比表面积，使更多的氧分子在多孔氧化嫁的表面发生吸附和解吸附，从而大幅度提高氧化嫁探测器的紫外探测性能。
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公开(公告)号：CN106898640A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710091485.3
申请日：2017-02-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/66477 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法，该方法在衬底上依次生长成核层、铟镓氮高阻缓冲层、铝铟镓氮势垒层；在铝铟镓氮势垒层上制备源极和漏极；源漏之间刻蚀有单条或多条沟槽，沟槽的深度大于铝铟镓氮势垒层的厚度，沟槽内填充有高介电常数、宽带隙的电解质材料，在沟槽上方制备栅极；源极、漏极和栅极之间为钝化层，完成晶体管的制作。
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公开(公告)号：CN104867997A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510169684.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法，该叠层太阳能电池包括：硅太阳能电池；在该硅太阳能电池上表面形成的高带隙光电转换材料；和/或在该硅太阳能电池下表面形成的低带隙光电转换材料。本发明针对硅太阳能电池性能难以大幅度提高的问题，添加额外的吸收层，即在硅基太阳能电池的正面和/或背面增加高能量光电转换材料和低能量光电转换材料，实现叠层多结硅基太阳能电池，以达到大幅提高硅基太阳能电池转换效率的目的，同时又不增加过多基础设施的投资，实现了低投入的高效太阳能电池制造能力。
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