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公开(公告)号：CN105197881A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510541609.4
申请日：2015-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第二硅片上制备或不制备薄膜层，在一定温度和压力条件下将第一硅片1和第二硅片3进行热压键合。本发明利用金属材料与硅扩散互溶的原理实现硅-硅的有效键合，其中键合材料为薄膜，可以通过常规淀积工艺很容易得到，同时薄层金属的存在及良好的延展性使得对键合材料的表面平整度、表面粗糙度的要求大大降低。
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公开(公告)号：CN116859676A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310590000.0
申请日：2023-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种具有深台面结构的晶圆片的光刻方法，包括：在具有深台面结构的晶圆片表面匀涂光刻胶；对匀涂过光刻胶的晶圆片进行预烘；对预烘的晶圆片依次进行完成第一次曝光、第一次显影、第二次曝光以及第二次显影，以减弱曝光时的边缘衍射效应；其中，第一次曝光和第二次曝光的剂量相同；刻蚀待刻蚀区域；去除光刻胶，完成光刻。本公开经过二次曝光，减弱曝光时的边缘衍射效应，解决晶圆片的深台面边缘处光刻胶较薄的问题；采用稀释后的显影液，抑制显影液的减薄效果，保障深台面边缘处光刻胶的保护性；在预烘过程中，采用先低温恒温减少深台面边缘处光刻胶的收缩，再线性升高温度使得光刻胶粘附性更好的同时也能实现快速挥发。
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公开(公告)号：CN105174209A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510326079.1
申请日：2015-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种晶圆级光刻机键合方法，包括如下步骤：制作第一带通孔晶圆；取一第一支撑片，在支撑片上面的侧边制作第一保护片；在第一保护片上粘接第一带通孔晶圆，形成下底片；制作第二带通孔晶圆；取一第二支撑片，在第二支撑片上面的侧边制作第二保护片；在第二保护片上粘接第二带通孔晶圆，形成上盖片；在下底片上面的侧边制作键合材料层；通过光刻机将上盖片和下底片对准扣置，使第一带通孔晶圆和第二带通孔晶圆相对键合；去除下底片中的第一支撑片和第一保护片；去除上盖片中的第二支撑片和第二保护片，加热固化，完成键合。本发明通过在光刻机中实现带通孔圆片键合，提高了对准精度。该方法具有工艺简单和成本低的优势。
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公开(公告)号：CN104876180A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510213917.4
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法，包括如下步骤：步骤1：取一第一碳化硅片；步骤2：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第一碳化硅片上制备薄膜层；步骤3：取一第二碳化硅片；步骤4：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第二碳化硅片上制备薄膜层或不制备第二碳化硅片；步骤5：将第一和第二碳化硅片制备有薄膜层的一面相对进行热压键合或者进行静电键合，将第一和第二碳化硅片键合在一起；步骤6：退火，完成制备。本发明解决了传统方法中高温高压的极端键合条件及中间异质层带来的问题，为SiC MEMS相关器件的研制和实用化提供一种有效方法。
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公开(公告)号：CN103579424A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310587155.5
申请日：2013-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，包括：在蓝宝石衬底上生长掩膜材料；对掩膜材料进行光刻，得到具有周期尺寸图形的掩膜；湿法腐蚀蓝宝石衬底得到一定深度的凹坑；干法刻蚀蓝宝石衬底，直至掩膜退缩完全；表面清洗。本发明提供的这种干湿法相结合的技术来制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，通过先在不消耗掩膜的情况下湿法腐蚀蓝宝石衬底，再进行干法刻蚀蓝宝石衬底，而且极大的提高了掩膜的利用率，使同样周期的图形可以实现更深的深度，达到低反射率的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104617202A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510017329.3
申请日：2015-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 一种氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法，其中氮化镓基发光器件，包括：一透明衬底；一第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面，其为的金属氧化物导电薄膜；一Ag或Al的反射镜，位于p型接触层上，所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触；一P电极焊盘，在Ag或Al的反射镜上，由多层金属组成，多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层。本发明可以增加透射率，提高发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN103956415A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410192628.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 一种GaN基发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长缓冲层和n型GaN层；步骤2：采用光刻的方法，在n型GaN层上制备选择性生长掩膜；步骤3：在去掉选择性生长掩膜的n型GaN层的上面依序生长多量子阱层和p型GaN层；步骤4：将n型GaN层上保留的选择性生长掩膜刻蚀掉；步骤5：在p型GaN层和暴露的n型GaN层上生长透明电极层；步骤6：在p型GaN层上的透明电极层上制作金属电极，在n型GaN层上的透明电极层上制作金属电极，完成制备。本发明取消了器件制备过程中的台面干法刻蚀工艺，完全避免了台面刻蚀时造成量子阱以及P型GaN的损伤，不仅有效降低了材料生长过程的气源的消耗，还采用湿法工艺完成台面，省略了干法刻蚀设备的需求，大大节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN103219437A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310141878.2
申请日：2013-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石图形衬底的制备方法，其包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底表面形成掩膜层；步骤2：将掩膜层图形化，形成掩膜图形；步骤3：利用干法刻蚀具有掩膜图形的蓝宝石衬底，并形成与所述掩膜图形对应的原始凸起；步骤4：利用湿法修饰所述原始凸起的表面，使其表面粗化形成最终的凸起图形。该制备方法利用干法刻蚀技术制备出图形形貌可控，均匀性、稳定性好的图形衬底中间产品，后续使用湿法腐蚀去除物理损伤改善表面反射率，进一步提高LED出光效率。
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公开(公告)号：CN102064242B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201010534588.0
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积；步骤4：通过双层掩膜的差异，采用ICP刻蚀的方法，将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面，该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同，该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同；步骤5：采用湿法腐蚀的方法，腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜；步骤6：在氮化镓外延片上制作P电极；步骤7：采用激光剥离的方法，去掉衬底；步骤8：在P电极上制作转移衬底；步骤9：在氮化镓外延片上制作N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102064242A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010534588.0
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积；步骤4：通过双层掩膜的差异，采用ICP刻蚀的方法，将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面，该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同，该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同；步骤5：采用湿法腐蚀的方法，腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜；步骤6：在氮化镓外延片上制作P电极；步骤7：采用激光剥离的方法，去掉衬底；步骤8：在P电极上制作转移衬底；步骤9：在氮化镓外延片上制作N电极，完成制备。
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