公开(公告)号：CN102031560A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910235336.5

申请日：2009-09-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 胡强 ,  段瑞飞 ,  魏同波 ,  杨建坤 ,  霍自强 ,  曾一平

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

Abstract: 一种制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法，包含以下步骤：步骤1：首先在衬底上生长一层ZnO膜；步骤2：在ZnO膜上生长低温缓冲层，形成样品；步骤3：在氢化物气相外延系统中，在低温缓冲层的上面高温生长GaN厚膜；步骤4：在氢化物气相外延系统中高温生长后，因氢化物气相外延系统中的HCl和NH3等腐蚀性气体，将ZnO膜2腐蚀，使GaN厚膜直接从衬底上脱离下来形成大尺寸的GaN自支撑衬底。

公开(公告)号：CN102034693A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910235335.0

申请日：2009-09-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 胡强 ,  段瑞飞 ,  魏同波 ,  杨建坤 ,  霍自强 ,  曾一平

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

Abstract: 一种在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法，包括以下步骤：步骤1：在C面蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；步骤2：利用常规光刻技术在淀积二氧化硅或氮化硅膜的C面蓝宝石衬底上光刻出沿着[11-20]方向的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形；步骤3：通过湿法刻蚀，将光刻的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形转移到衬底上；步骤4：腐蚀去掉二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到清洁的蓝宝石图形衬底；步骤5：直接采用氢化物气相外延系统在所得到的蓝宝石图形衬底上外延生长GaN厚膜，完成制备。