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公开(公告)号：CN103526190A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310477602.1
申请日：2013-10-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及其均匀性的装置，包含通过上表面设置的若干凹盘对应放置有若干外延片的托盘、设置在顶盖上方的一组非接触式、发光补偿的激光测试发光波长谱仪，及设置在托盘下方的加热器，该托盘沿径向设置有若干同心圆但半径递增的环状区域，该若干外延片分布排列在该若干环状区域内；该一组非接触光学测试外延片发光波长测试仪沿径向排列在所述托盘上方，每个或相邻若干非接触式光学外延片发光波长测试仪，对应监测所述托盘上同一环状区域内的至少一个或多个外延片的发光波长；该加热器包含同心圆设置的一组环状排列、独立功率输入的多个加热元件，每一个或相邻若干个所述加热元件通过加热托盘，对应加热托盘上排列在同一环状区域上的若干外延片。
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公开(公告)号：CN101471244B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710304215.2
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/20 , H01F41/14 , H01F41/22
Abstract: 本发明公开了一种制备稀磁半导体薄膜的方法，该方法包括：选择一III族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。利用本发明，获得了具有较好的磁学性能和半导体性能的稀磁半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN114899220A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210555452.0
申请日：2022-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/737 , H01L21/331 , H01L33/00 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种半导体pn结构，包括：第一基材层；第二基材层，包括Mg元素掺杂的p型GaN基材料，生长在第一基材层上；石墨烯层，设置在第二基材层上；第三基材层，包括n型GaN基材料，生长在石墨烯层上，第二基材层与第三基材层形成pn结；其中，石墨烯层适用于阻挡第二基材层的Mg元素向第三基材层扩散。本发明还提供一种上述的半导体pn结构的制备方法。由于石墨烯具有很好的导电性，在pn结界面的中间形成石墨烯层可起到电流扩展作用，可以提高半导体pn结构的正向导通和反向截止特性。
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公开(公告)号：CN110071177A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910438467.7
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 一种肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件，该肖特基二极管自下而上依次包括：衬底层；第一基材层，其生长在衬底层上，作为后续生长的模板缓冲层；第二基材层，其生长在第一基材层上，用于生长阴极电极；第三基材层，其生长在第二基材层上，作为肖特基二极管的有源区；墨烯层，其设置在第三基材层上；欧姆接触电极，其设置在第二基材层上，形成阴极电极；以及肖特基接触电极，其设置在石墨烯层上，形成阳极电极。本发明制作的肖特基二极管将具有高反向击穿电压和低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN109065438A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810810552.7
申请日：2018-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种AlN薄膜的制备方法，包含以下步骤：步骤1：将外延用的基底退火；步骤2：在基底上生长第一AlN层，生长温度与步骤1退火温度相同；步骤3：在第一AlN层上生长第二AlN层，该第二AlN层的生长温度和Al源流量是渐变的；步骤4：在第二AlN层上生长恒温恒源的第三AlN层。本发明的方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的低位错AlN外延材料制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101748377A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010033963.3
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。
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公开(公告)号：CN101140947A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610112889.8
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变AlxInyGazN层，该组分阶变AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。
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公开(公告)号：CN1313654C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410046039.3
申请日：2004-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种生长高阻氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；采用金属有机物化学气相沉积生长法，在衬底的晶面上生长一层低温氮化镓成核层；将衬底温度升高，在低温氮化镓成核层上生长本征氮化镓层，生长压力为100-300torr。该本征氮化镓层室温电阻率大于107Ω.cm。本发明降低了工艺难度，减少了工艺步骤，一次性的生长出了高质量的本征高阻氮化镓材料，优化了生长工艺，降低了生长成本。
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公开(公告)号：CN1892985A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012104.5
申请日：2005-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及III－氮化物半导体材料技术领域，特别是一种可以减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法。采用提前关闭Cp2Mg源并低温生长覆盖层的方法，有效减小Mg在pn结结面的记忆效应，其主要特征是在生长Mg掺杂p型GaN层时，提前适当时间关闭Cp2Mg源，其它生长参数不变，这样可以将Mg记忆效应造成的表面富Mg层控制在p型层中；然后再在低温下生长一薄层GaN，可以抑制Mg原子从富Mg层中逸出而进入n型层中，从而增加pn结的p型掺杂结面陡峭性，提高pn结性能。
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公开(公告)号：CN1704505A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200410046039.3
申请日：2004-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种生长高阻氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；采用金属有机物化学气相沉积生长法，在衬底的晶面上生长一层低温氮化镓成核层；将衬底温度升高，在低温氮化镓成核层上生长本征氮化镓层。本发明降低了工艺难度，减少了工艺步骤，一次性的生长出了高质量的本征高阻氮化镓材料，优化了生长工艺，降低了生长成本。
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