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公开(公告)号：CN105870287B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n‑GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n‑GaN层台面另一侧的上面；一p‑GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p‑GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n‑GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
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公开(公告)号：CN103022300A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210579602.8
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备微纳米柱发光二极管的方法。该方法包括在发光二极管外延片上生长抗刻蚀层；在抗刻蚀层上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方法，将周期结构图形掩模转移至抗刻蚀层和发光二极管外延片上，形成微纳米柱；在发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充绝缘介质；去除发光二极管外延片上的抗刻蚀层，以及在去除抗刻蚀层的发光二极管外延片上制作pn电极，形成微纳米柱发光二极管。本发明制备微纳米柱氮化镓基LED的方法采用周期性的图形化掩模，刻蚀得到相同大小的结构空隙，从而在填充绝缘介质时，尽可能的保证绝缘介质的填充均匀，从而解决了正反向漏电大的技术问题。
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公开(公告)号：CN102969410A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210505214.5
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种制备GaN厚膜垂直结构LED的方法。该方法包括：在衬底的抛光面制备掩模图形，该掩模图形将衬底的抛光面分割为若干个分离的区域，得到图形化的衬底；在图像化的衬底上沉积n型掺杂的GaN厚膜，该GaN厚膜的厚度应当大于掩膜图形的厚度；以及在GaN厚膜上外延生长多周期量子阱LED。本发明通过GaN厚膜分块生长，释放了由晶格失配和热失配引起的应力，解决了二次外延中衬底开裂问题，降低了衬底的翘曲度，有利于后续的激光剥离衬底和芯片制作工艺。
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公开(公告)号：CN101924065A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910087351.X
申请日：2009-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/324 , H01L21/268 , H01L33/00
Abstract: 一种减少激光剥离损伤的方法，包括如下步骤：步骤1：将外延片置于一底板上；步骤2：将底板加热，该底板加热，是电阻加热、射频加热或外部光源加热，该底板加热的温度范围在100-600℃；步骤3：利用激光剥离设备的激光扫描，对外延片进行剥离，该外延片种类包括：光电子外延材料、微电子外延材料或厚膜外延材料。
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公开(公告)号：CN101728248A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810224104.5
申请日：2008-10-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上采用磁控溅射、脉冲激光沉积或MOCVD的方法，生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上采用MOCVD、HVPE或者脉冲激光沉积、磁控溅射的方法，生长外延层。本发明的氮化镓生长方法，可以实现氮化镓材料的高质量生长和极性选择以及低成本衬底的使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101654773A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810118737.8
申请日：2008-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18
Abstract: 一种金属有机物化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一反应室，该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导体外延薄膜材料；一有机源通道，该有机源通道的一端与反应室的一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供金属源材料；一气源通道，该气源通道的一端与反应室的另一入口连接，用于为反应室生长氮化物或者氧化锌材料提供氮源或者氧源；一气路分配单元，该气路分配单元的输出端与有机源通道和气源通道的另一端连接；一有机源，该有机源通过管路与气路分配单元的输入端连接；一载气，该载气通过管路与气路分配单元的输入端连接；一气源，该气源通过管路与气路分配单元的输入端连接。
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公开(公告)号：CN101519799A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810100953.X
申请日：2008-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN外延层的制备方法，以m面蓝宝石为衬底，用磁控溅射方法沉积ZnO缓冲层，再用氢化物气相外延方法生长低温GaN保护层，之后升温到高温，在NH3气氛中退火，最后使用氢化物气相外延快速生长GaN厚膜。本发明的非极性m面GaN厚膜可用于GaN的同质外延生长以及非极性LED、LD等光电器件的制备。
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公开(公告)号：CN105870287A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/502
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n?GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n?GaN层台面另一侧的上面；一p?GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p?GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n?GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
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公开(公告)号：CN105552230A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610110998.X
申请日：2016-02-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213
Abstract: 一种基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池，包括：一钙钛矿单晶衬底；一空穴传输层，其制作在钙钛矿单晶衬底的下面；一下电极，其制作在空穴传输层的下面；一空穴阻挡层，其制作在钙钛矿单晶衬底上；一上电极，其制作在空穴阻挡层上。本发明的太阳能电池对300-800nm的光有超过90％的吸收率，单晶的钙钛矿层能够减少复合中心，提高太阳能电池的光电转换效率。
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