公开(公告)号：CN101036976A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200610057412.4

申请日：2006-03-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱蓉辉 ,  赵冀 ,  惠峰 ,  卜俊鹏 ,  郑红军

IPC: B24B29/00

Abstract: 一种双面抛光机，包括：内齿圈和外齿圈，所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处；上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘和下抛光盘呈圆环形，环绕内齿圈而设置在内齿圈和外齿圈之间；以及至少一个单面抛光用晶片固定盘，贴附多个被加工的晶片；其特征在于，所述双面抛光机还包括至少一个活动齿圈，所述至少一个活动齿圈设置在内齿圈与外齿圈之间并且在上抛光盘与下抛光盘之间，所述至少一个活动齿圈与内齿圈、外齿圈啮合；所述至少一个活动齿圈上设有贯通孔，晶片固定盘设置在所述贯通孔中。

公开(公告)号：CN104051584A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410289596.1

申请日：2014-06-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王文军 ,  郭金霞 ,  赵冀 ,  王莉 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L33/0066 ,  B24B1/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20

Abstract: 一种蓝宝石图形衬底制备方法，包括如下步骤：步骤1：对蓝宝石切割片进行双面研磨，形成蓝宝石粗磨晶片；步骤2：对所述蓝宝石粗磨晶片进行单面精密研磨，形成蓝宝石精磨晶片；步骤3：在所述未经精抛的蓝宝石精磨晶片上直接形成刻蚀图形化结构，所述刻蚀图形化结构与蓝宝石精磨晶片上的粗化表面共同提高蓝宝石图形衬底光提取效率。本方法的制备工艺及设备和传统的蓝宝石图形化衬底片的制备工艺及设备完全兼容，易于实现。使用本发明制备的蓝宝石图形化衬底片和传统的蓝宝石图形化衬底片相比，成本降低百分之十以上。

公开(公告)号：CN103219437A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310141878.2

申请日：2013-04-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 段瑞飞 ,  季安 ,  伊晓燕 ,  王莉 ,  樊中朝 ,  郭金霞 ,  潘岭峰 ,  黄亚军 ,  赵冀 ,  李镇

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石图形衬底的制备方法，其包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底表面形成掩膜层；步骤2：将掩膜层图形化，形成掩膜图形；步骤3：利用干法刻蚀具有掩膜图形的蓝宝石衬底，并形成与所述掩膜图形对应的原始凸起；步骤4：利用湿法修饰所述原始凸起的表面，使其表面粗化形成最终的凸起图形。该制备方法利用干法刻蚀技术制备出图形形貌可控，均匀性、稳定性好的图形衬底中间产品，后续使用湿法腐蚀去除物理损伤改善表面反射率，进一步提高LED出光效率。

公开(公告)号：CN101028699A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610011400.8

申请日：2006-03-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱蓉辉 ,  惠峰 ,  卜俊峰 ,  郑红军 ,  赵冀

IPC: B24B29/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

Abstract: 一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒T形；一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面；欲将晶片抛光时，将气囊充气，将晶片固定在晶片固定盘上面，控制上抛光盘的转动及上抛光盘的上下位移，由抛光垫对晶片抛光。

公开(公告)号：CN101045853A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610066889.9

申请日：2006-03-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱蓉辉 ,  惠峰 ,  卜俊鹏 ,  郑红军 ,  赵冀

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 一种半导体晶片精密化学机械抛光剂，其特征在于，该抛光剂按重量百分比含有以下成分：二氧化氯融合剂1％－10％；pH调节剂3.5％－10％；其余为水；混合、搅拌，形成半导体晶片精密化学机械抛光剂。

公开(公告)号：CN101028625A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610011399.9

申请日：2006-03-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱蓉辉 ,  惠峰 ,  卜俊鹏 ,  郑红军 ,  赵冀

IPC: B08B3/12

Abstract: 一种扩散型兆声波清洗槽，其特征在于，包括：一清洗槽；一兆声阵列，该兆声阵列装在清洗槽的底部下面；一半球体能量扩散结构阵列，该半球体能量扩散结构阵列安装在清洗槽的底部上面，该兆声阵列与半球体能量扩散结构阵列相互对应。本发明的扩散型兆声波清洗槽，通过将石英槽底部的平面形状改为一些能起到扩散兆声的结构，它们将兆声振子发出的能量传递并扩散到清洗槽中，改变了本来的能量分布，从而更加适合广泛的清洗应用。