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公开(公告)号：CN103806095A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410054225.5
申请日：2014-02-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/12 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种行星式旋转托盘装置。该行星式旋转托盘装置包括：固定板，其中心位置设置通孔，其外侧具有环形凹入轨道，驱动轴由通孔伸入；中心齿轮，固定于固定板的正面，由驱动轴驱动绕固定板中心位置的通孔转动；卫星盘架组，包括位于同一径向位置的若干个卫星盘架，每一个卫星盘架的转轴的底部均卡入固定板外侧的环形凹入轨道中，并可沿该环形凹入轨道前后移动；其中，每一卫星盘架的上部均具有上齿轮，相邻卫星盘架的上齿轮相互啮合，至少一卫星盘架的下部具有与其上齿轮共用一转轴的下齿轮，该下齿轮与中心齿轮处于同一平面，两者相互啮合。本发明行星式旋转托盘装置可实现每一卫星盘架的自转与公转。
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公开(公告)号：CN103633218A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310651954.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓系发光器件，包括衬底；成核层；n型III族氮化物层；多量子阱有源区；最后一个量子垒层；类电子阻挡层；p型III族氮化物层；n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。本发明提出的上述方案相比现有的GaN LQB/AlGaN EBL结构(界面存在正的净极化电荷)，或极化匹配GaN LQB/AIInGaN EBL结构(界面净极化电荷为零)，能够增强电子阻挡层阻挡电子泄漏的效果，从而提高LED发光效率，并减少大注入电流下的发光效率衰减。
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公开(公告)号：CN104409336B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410658716.0
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出生长窗口；调节生长参数，实现窗口区到掩膜区的横向外延。该方法能够利用金属熔化后的流动性质来消除外延层和衬底层界面间热应力，达到改善外延层质量，保证其不会龟裂。
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公开(公告)号：CN103806095B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410054225.5
申请日：2014-02-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/12 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种行星式旋转托盘装置。该行星式旋转托盘装置包括：固定板，其中心位置设置通孔，其外侧具有环形凹入轨道，驱动轴由通孔伸入；中心齿轮，固定于固定板的正面，由驱动轴驱动绕固定板中心位置的通孔转动；卫星盘架组，包括位于同一径向位置的若干个卫星盘架，每一个卫星盘架的转轴的底部均卡入固定板外侧的环形凹入轨道中，并可沿该环形凹入轨道前后移动；其中，每一卫星盘架的上部均具有上齿轮，相邻卫星盘架的上齿轮相互啮合，至少一卫星盘架的下部具有与其上齿轮共用一转轴的下齿轮，该下齿轮与中心齿轮处于同一平面，两者相互啮合。本发明行星式旋转托盘装置可实现每一卫星盘架的自转与公转。
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公开(公告)号：CN102031484A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010514077.2
申请日：2010-10-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法，包括如下步骤：步骤1：用溅射或者蒸发的方法在p型氮化物样品表面沉积一层金属薄层；步骤2：对沉积金属薄层的p型氮化物进行退火；步骤3：用酸溶液去除p型氮化物样品表面的金属薄层；步骤4：用去离子水对去除了金属薄层的p型氮化物样品表面清洗干净。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104357805A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410641935.8
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/18 , C23C16/458 , C30B25/12
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/4581 , C30B25/12
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD设备的石墨盘，其包括至少一个片坑，所述片坑面积大于衬底面积，且为衬底面积的整数倍，所述至少一个片坑边缘具有与衬底的角相吻合的凸角，且一定数量的衬底紧密排列后正好覆盖住所述至少一个片坑。本发明提出的石墨盘上衬底和衬底之间无间隔，整个石墨盘只有一个巨型片坑，或者是只有很少几个间隔将整个石墨盘分成几个巨型片坑。无间隔的设计能够大幅度提高石墨盘的利用率。同时，采用的衬底尽量用较小的倒角或无倒角。因此能够使得巨型片坑内的方形衬底排列的更加紧密，防止片子之间有空隙。如果有空隙，和高出的边沿一样也会引起湍流，影响气流的稳定性，从而影响外延样品的晶体质量。
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公开(公告)号：CN103808497A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410079018.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明属于半导体照明LED检测技术领域，公开了一种测量LED内量子效率的方法，该方法包括：根据LED的几何结构，通过数值计算或者软件建模来获得LED出光效率ηLEE；将LED芯片进行不会改变出光效率的简单封装，测量LED光功率P和光谱随电流的变化关系，求出LED外量子效率ηEXE；以及根据公式ηEXE＝ηIQEηLEE计算出LED内量子效率ηIQE。该方法简单可靠，不需要复杂的数学运算，能够计算不同电流下的内量子效率。
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公开(公告)号：CN103296165A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310244179.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率的可调控能带的量子阱结构及其外延生长方法。该可调控能带的LED量子阱结构包括至少一个组分渐变的量子阱势阱层，实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高LED量子阱区域的辐射复合效率。该多量子阱结构可应用于InGaN基蓝光和绿光LED，提高InGaN基蓝光和绿光LED有源区的内量子效率，进而提高LED的功率和效率。
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公开(公告)号：CN103633218B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201310651954.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓系发光器件，包括衬底；成核层；n型III族氮化物层；多量子阱有源区；最后一个量子垒层；类电子阻挡层；p型III族氮化物层；n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。本发明提出的上述方案相比现有的GaN LQB/AlGaN EBL结构(界面存在正的净极化电荷)，或极化匹配GaN LQB/AIInGaN EBL结构(界面净极化电荷为零)，能够增强电子阻挡层阻挡电子泄漏的效果，从而提高LED发光效率，并减少大注入电流下的发光效率衰减。
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公开(公告)号：CN104409336A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410658716.0
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C30B25/183 , C30B25/04 , H01L21/02436 , H01L21/02439
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出生长窗口；调节生长参数，实现窗口区到掩膜区的横向外延。该方法能够利用金属熔化后的流动性质来消除外延层和衬底层界面间热应力，达到改善外延层质量，保证其不会龟裂。
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