-
公开(公告)号：CN103647008B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310750779.4
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。本发明的方法可以有效释放半极性GaN厚膜中的应力，实现高质量、大面积半极性GaN厚膜异质外延。
-
公开(公告)号：CN103074674B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310010357.3
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/14 , C30B25/08 , C23C16/455
Abstract: 一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。本发明可实现MOCVD反应室进气方式的多样性和灵活性，提高组份混合均匀性并可以避免严重的预反应。
-
公开(公告)号：CN103556126A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310477594.0
申请日：2013-10-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/18 , H01L21/205
Abstract: 一种优化配置的多腔室MOCVD反应系统，包括：一独立与外界通过手套箱等隔离的箱体；多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于该箱体之内，分别用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长，该多个独立的生长室中的每个生长室都设有独立的加热源、独立的气体原材料管路、独立的监控系统；该多个独立的生长室分别采用独特的反应室设计，使之适用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长；并且用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的反应室的装机容量和数量是不同的；一机械臂，该机械臂位于该箱体底面的中部，该多个独立的生长室环绕于该机械臂的周围，使用该机械臂进行样品的传递。
-
公开(公告)号：CN103074674A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310010357.3
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/14 , C30B25/08 , C23C16/455
Abstract: 一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。本发明可实现MOCVD反应室进气方式的多样性和灵活性，提高组份混合均匀性并可以避免严重的预反应。
-
公开(公告)号：CN102031560A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910235336.5
申请日：2009-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法，包含以下步骤：步骤1：首先在衬底上生长一层ZnO膜；步骤2：在ZnO膜上生长低温缓冲层，形成样品；步骤3：在氢化物气相外延系统中，在低温缓冲层的上面高温生长GaN厚膜；步骤4：在氢化物气相外延系统中高温生长后，因氢化物气相外延系统中的HCl和NH3等腐蚀性气体，将ZnO膜2腐蚀，使GaN厚膜直接从衬底上脱离下来形成大尺寸的GaN自支撑衬底。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103088318A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310009608.6
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 一种MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置，包括：一第一气体入口；一第一气体出口；一第一直通阀门的一端与第一气体入口连通，该第一直通阀门的另一端与第一气体出口连通；一第一旁通阀门的一端与第一直通阀门的一端连接；一第二旁通阀门的一端与第一直通阀门的另一端连接；一第二气体入口；一第二气体出口；一第二直通阀门的一端与第二气体入口连通，该第二直通阀门的另一端与第二气体出口连通；一第三旁通阀门的一端与第二直通阀门的一端连接，该第三旁通阀门的另一端与第一旁通阀门的另一端连接；一第四旁通阀门的一端与第二直通阀门的另一端连接，该第四旁通阀门的另一端与第二旁通阀门的另一端连接；一气体混合器位于第一旁通阀门及第二旁通阀门之间并与之连通。
-
公开(公告)号：CN102534559A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210029175.6
申请日：2012-02-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于金属有机气相沉积设备的进气喷头，包括：多个进气管路；一上层板，该上层板为圆盘状；一外壳体，该外壳体为圆筒状，位于上层板的下面；一下层板，该下层板为圆盘状，位于外壳体的下面；气体分配管路，位于下层板上面、外壳体内部，多个进气管路穿过上层板与气体分配管路相连通。本发明具有混合均匀，减少预沉积，提高外延片的晶体均匀性；与常规MOCVD进气喷头相比，可以降低制作加工难度，减少维护次数；这种进气喷头结构容易扩展进气面积，从而提高MOCVD的每炉产能，降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN104451605A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410818493.X
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C30B25/12
CPC classification number: C23C16/458 , C30B25/12
Abstract: 本发明公开了一种用于MOCVD设备的托盘，包括盘体(10)和覆盖于盘体的该上表面的托盖(20)，盘体(10)呈一扁圆柱形，其上表面为平整面。盘体可由石墨材料形成，上表面覆盖有一层碳化硅保护层托盖的上表面设置有凹槽，所述凹槽(21)用于容纳进行MOCVD工艺的衬底。托盖可由石英材料形成。本发明具有改善MOCVD设备中的石墨托盘的使用寿命及其适用性，使之能适用于不同尺寸、形状的衬底优点。
-
公开(公告)号：CN103526190A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310477602.1
申请日：2013-10-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及其均匀性的装置，包含通过上表面设置的若干凹盘对应放置有若干外延片的托盘、设置在顶盖上方的一组非接触式、发光补偿的激光测试发光波长谱仪，及设置在托盘下方的加热器，该托盘沿径向设置有若干同心圆但半径递增的环状区域，该若干外延片分布排列在该若干环状区域内；该一组非接触光学测试外延片发光波长测试仪沿径向排列在所述托盘上方，每个或相邻若干非接触式光学外延片发光波长测试仪，对应监测所述托盘上同一环状区域内的至少一个或多个外延片的发光波长；该加热器包含同心圆设置的一组环状排列、独立功率输入的多个加热元件，每一个或相邻若干个所述加热元件通过加热托盘，对应加热托盘上排列在同一环状区域上的若干外延片。
-
公开(公告)号：CN103276444A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310179053.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/10
Abstract: 本发明公开了一种双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)，包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器；样品台，其上放置样品；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源；喷淋器，其位于所述样品台正上方，其与所述外延生长室外部的第二进气孔相连；所述喷淋器用于将从第二进气孔输入的反应气体和从金属源反应物放置器进入的金属化合物喷洒在所述样品表面，以进行材料生长。本发明通过双加热装置提高HVPE反应系统的生长温度，在石英反应腔内得到1500以上的高温区，从而可以实现AlN等材料的外延生长。且本发明提出的双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)能够降低能耗，提高控温精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.024 seconds)
