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公开(公告)号：CN106558637A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611027044.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/22
Abstract: 一种非平面硅衬底LED器件及其制作方法，其中，所述方法包括：处理硅衬底，得到包含有斜侧面的非平面硅衬底；在斜侧面上生长第一外延层；在下平面上依次生长N电极和隔离层；在第一外延层上生长第二外延层；在N电极和隔离层上生长P电极；所述器件包括：基底和倒坑阵列结构，所述基底为非平面硅衬底，包含下平面和斜侧面，所述倒坑阵列结构包括：斜侧面上生长的自内而外的第一外延层和第二外延层；所述下平面上依次叠置的N电极、隔离层和P电极。本发明利用非平面硅衬底制作LED器件，具有工艺成熟、低成本、大尺寸和和实现高质量氮化物外延等诸多优点。
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公开(公告)号：CN104638081A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510028792.8
申请日：2015-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/24
Abstract: 一种基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件，包括：一N型或P型硅(100)的衬底；一随机分布的正金字塔结构，其制作在衬底上；一缓冲反射层，其制作在正金字塔结构的表面，该缓冲反射层的材料为高温AlN或低温AlN；一发光层，其制作在缓冲反射层上，该发光层的表面平行于正金字塔结构表面，或平行于衬底的表面；一透明导电氧化物层，其制作在发光层上，该透明导电氧化物层的表面为一平面；一上电极层，其制作在透明导电氧化物层上，该上电极层为网状分布；一下电极层，其制作在衬底的背面。本发明可以有效地释放外延材料应力，从而得到高质量的外延GaN，制造低成本、高效的发光LED。
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公开(公告)号：CN107293612A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610193042.0
申请日：2016-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18
Abstract: 一种太阳能电池发射结制备方法，包括步骤：(1)准备n型硅衬底，所述衬底具有正面和背面，在所述衬底的背面沉积保护层；(2)在所述衬底的正面形成尺寸大小为10-500nm的纳米孔或1-20μm的微米凹坑；(3)在腐蚀后的衬底的正面刷铝浆，烘干并烧结形成p型层。以及一种依据上述方法制备的太阳能电池发射结和包含该发射结的太阳能电池。所述制备方法中通过在衬底的正面采用丝网印刷形成发射结，成本相比于其他技术大为降低，并且易于大规模生产，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN104975293B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510266643.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。
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公开(公告)号：CN105140364A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510446424.5
申请日：2015-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种GaN发光器件及其制备方法，GaN发光器件包括基片、上电极层及下电极层，上电极层形成在基片的上方，下电极层形成在基片的下方，其中，基片自下而上包括正金字塔结构层、缓冲反射层、发光层、透明导电氧化物层。正金字塔结构层包括周期性排列的多个正金字塔结构。本发明能得到高质量的外延GaN，并能制造出低成本、高效的发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104975293A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510266643.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。
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公开(公告)号：CN105870287B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n‑GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n‑GaN层台面另一侧的上面；一p‑GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p‑GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n‑GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
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公开(公告)号：CN106229396A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610753068.6
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物生物探针及其制备方法，属于半导体材料制备及生物医学交叉领域。本发明采用具有潜在应用前景的III-V族材料作为探针基本材料，通过调节多组量子阱的材料组分、厚度及组数，得到可调的量子线结构，满足发光强度和波长一定范围内可调的要求，又由于成熟的制备工艺，使得生物探针在生物体内高度稳定，不易淬灭，寿命长，可代谢。
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公开(公告)号：CN105870287A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/502
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n?GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n?GaN层台面另一侧的上面；一p?GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p?GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n?GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
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公开(公告)号：CN105552230A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610110998.X
申请日：2016-02-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213
Abstract: 一种基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池，包括：一钙钛矿单晶衬底；一空穴传输层，其制作在钙钛矿单晶衬底的下面；一下电极，其制作在空穴传输层的下面；一空穴阻挡层，其制作在钙钛矿单晶衬底上；一上电极，其制作在空穴阻挡层上。本发明的太阳能电池对300-800nm的光有超过90％的吸收率，单晶的钙钛矿层能够减少复合中心，提高太阳能电池的光电转换效率。
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