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公开(公告)号：CN105870287A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/502
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n?GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n?GaN层台面另一侧的上面；一p?GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p?GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n?GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
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公开(公告)号：CN105552230A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610110998.X
申请日：2016-02-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213
Abstract: 一种基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池，包括：一钙钛矿单晶衬底；一空穴传输层，其制作在钙钛矿单晶衬底的下面；一下电极，其制作在空穴传输层的下面；一空穴阻挡层，其制作在钙钛矿单晶衬底上；一上电极，其制作在空穴阻挡层上。本发明的太阳能电池对300-800nm的光有超过90％的吸收率，单晶的钙钛矿层能够减少复合中心，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105405979A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510881246.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0032
Abstract: 一种有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将原料A及原料B进行混合，溶解于溶剂C中形成前驱溶液；步骤2：将配好的前驱溶液用聚四氟乙烯过滤器过滤，然后装入容器中，并密封；步骤3：将装有前驱溶液的密封容器加温至一预定温度；步骤4：待前驱溶液中有晶体析出，间隔一预定的时间，并逐步提高温度，随着温度逐渐提高，晶体逐渐长大；步骤5：待晶体长到适当尺寸后从密封容器中取出，完成制备。本发明具有实现低成本、快速制备有机无机杂化钙钛矿单晶的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104975293B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510266643.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。
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公开(公告)号：CN105140364A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510446424.5
申请日：2015-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种GaN发光器件及其制备方法，GaN发光器件包括基片、上电极层及下电极层，上电极层形成在基片的上方，下电极层形成在基片的下方，其中，基片自下而上包括正金字塔结构层、缓冲反射层、发光层、透明导电氧化物层。正金字塔结构层包括周期性排列的多个正金字塔结构。本发明能得到高质量的外延GaN，并能制造出低成本、高效的发光二极管。
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公开(公告)号：CN104975293A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510266643.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。
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公开(公告)号：CN104867997A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510169684.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法，该叠层太阳能电池包括：硅太阳能电池；在该硅太阳能电池上表面形成的高带隙光电转换材料；和/或在该硅太阳能电池下表面形成的低带隙光电转换材料。本发明针对硅太阳能电池性能难以大幅度提高的问题，添加额外的吸收层，即在硅基太阳能电池的正面和/或背面增加高能量光电转换材料和低能量光电转换材料，实现叠层多结硅基太阳能电池，以达到大幅提高硅基太阳能电池转换效率的目的，同时又不增加过多基础设施的投资，实现了低投入的高效太阳能电池制造能力。
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公开(公告)号：CN105870287B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n‑GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n‑GaN层台面另一侧的上面；一p‑GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p‑GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n‑GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
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